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1. 发明专利

TW202019157A 具有相位檢測自動聚焦像素的影像感測器审中-公开
简体标题：具有相位检测自动聚焦像素的影像传感器
公开(公告)号：TW202019157A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108107715
申请日：2019-03-08
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：渡邊一史 , WATANABE, KAZUFUMI , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH-WEI , 凡尼賈文生 , VENEZIA, VINCENT , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 葛蘭特林德賽 , GRANT, LINDSAY
IPC分类号： H04N5/232 , G02B3/00 , G02B7/28 , G03B13/36
摘要：一種影像感測器像素陣列包括一中心區及兩個平行邊緣區，其中該中心區位於該兩個平行邊緣區之間。該中心區包括沿著列及行之第一子陣列安置之複數個影像像素，其中該複數個影像像素中之每一者包括經形成於一第一光接收元件上方之一偏移位置處之一第一微透鏡(ML)，以作為用於縮短該中心區中之該影像像素之出射光瞳距離之一對策，且該兩個平行邊緣區中之每一者包括沿著列及行之第二子陣列安置之複數個相位檢測自動聚焦(PDAF)像素，其中該複數個PDAF像素中之每一者包括經形成於一第二光接收元件上方之一對準位置處之一第二微透鏡(ML)；且該等PDAF像素中之至少一者位於遠離該邊緣區之中心一距離處，以沿著一射入傾角接收入射光。
简体摘要：一种影像传感器像素数组包括一中心区及两个平行边缘区，其中该中心区位于该两个平行边缘区之间。该中心区包括沿着列及行之第一子数组安置之复数个影像像素，其中该复数个影像像素中之每一者包括经形成于一第一光接收组件上方之一偏移位置处之一第一微透镜(ML)，以作为用于缩短该中心区中之该影像像素之出射光瞳距离之一对策，且该两个平行边缘区中之每一者包括沿着列及行之第二子数组安置之复数个相位检测自动聚焦(PDAF)像素，其中该复数个PDAF像素中之每一者包括经形成于一第二光接收组件上方之一对准位置处之一第二微透镜(ML)；且该等PDAF像素中之至少一者位于远离该边缘区之中心一距离处，以沿着一射入倾角接收入射光。

2. 发明专利

TWI684838B 相位偵測自動聚焦影像感測器及影像感測器系統有权
简体标题：相位侦测自动聚焦影像传感器及影像传感器系统
公开(公告)号：TWI684838B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW107114985
申请日：2018-05-03
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：鄭榮友 , JUNG, YOUNG WOO , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH-WEI , 渡邊一史 , WATANABE, KAZUFUMI
IPC分类号： G03H1/22 , H04N5/369

3. 发明专利

TWI649866B 具有混合深溝槽隔離之圖像感測器有权
简体标题：具有混合深沟槽隔离之图像传感器
公开(公告)号：TWI649866B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106137993
申请日：2017-11-02
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：熊志偉 , HSIUNG, CHIH-WEI , 毛杜立 , MAO, DULI , 凡尼賈文生 , VENEZIA, VINCENT , 陳剛 , CHEN, GANG , 戴戴森 H , TAI, DYSON H.
IPC分类号： H01L27/146

4. 发明专利

TWI686939B 具有串擾抑制濾光器陣列的背照式彩色影像感測器及其製造方法有权
简体标题：具有串扰抑制滤光器数组的背照式彩色影像传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI686939B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106128938
申请日：2017-08-25
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：彭進寶 , PANG, CHIN-POH , 張博洋 , ZHANG, BOYANG , 劉家穎 , LIU, CHIA-YING , 楊武璋 , YANG, WU-ZANG , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH-WEI , 艾群詠 , AI, CHUN-YUNG
IPC分类号： H01L27/146

5. 发明专利

TWI677086B 製作像素陣列的方法有权
简体标题：制作像素数组的方法
公开(公告)号：TWI677086B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW108103236
申请日：2019-01-29
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：渡辺一史 , WATANABE, KAZUFUMI , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH-WEI , 戴幸志 , TAI, DYSON H. , 葛蘭特琳賽亞歷山大 , GRANT, LINDSAY ALEXANDER
IPC分类号： H01L27/146

6. 发明专利

TWI698992B 用於改善影像感測器之效能之源極隨耦器裝置有权
简体标题：用于改善影像传感器之性能之源极随耦器设备
公开(公告)号：TWI698992B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW107141792
申请日：2018-11-23
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：渡邊一史 , WATANABE, KAZUFUMI , 鄭榮友 , JUNG, YOUNG WOO , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH-WEI , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 葛蘭特林德賽 , GRANT, LINDSAY
IPC分类号： H01L27/146 , H01L29/10 , H04N5/3745

7. 发明专利

TWI693830B 具有相位檢測自動聚焦像素的影像感測器有权
简体标题：具有相位检测自动聚焦像素的影像传感器
公开(公告)号：TWI693830B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW108107715
申请日：2019-03-08
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：渡邊一史 , WATANABE, KAZUFUMI , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH-WEI , 凡尼賈文生 , VENEZIA, VINCENT , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 葛蘭特林德賽 , GRANT, LINDSAY
IPC分类号： H04N5/232 , G02B3/00 , G02B7/28 , G03B13/36

8. 发明专利

TWI674668B 用於高動態範圍影像感測器之減少串擾有权
简体标题：用于高动态范围影像传感器之减少串扰
公开(公告)号：TWI674668B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107104599
申请日：2018-02-09
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：渡邊一史 , WATANABE, KAZUFUMI , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH-WEI , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 葛蘭特林德賽 , GRANT, LINDSAY
IPC分类号： H01L27/146

9. 发明专利

TW201830681A 具有混合深溝槽隔離之圖像感測器审中-公开
简体标题：具有混合深沟槽隔离之图像传感器
公开(公告)号：TW201830681A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106137993
申请日：2017-11-02
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：熊志偉 , HSIUNG, CHIH-WEI , 毛杜立 , MAO, DULI , 凡尼賈文生 , VENEZIA, VINCENT , 陳剛 , CHEN, GANG , 戴戴森 H , TAI, DYSON H.
IPC分类号： H01L27/146
摘要：一種圖像感測器包含安置於一半導體材料中位於半導體材料之一第一側與一第二側之間的複數個光電二極體。該圖像感測器亦包含安置於半導體材料中之複數個混合深溝槽隔離(DTI)結構，其中複數個光電二極體中之個別光電二極體由個別混合DTI結構分隔開。個別混合DTI結構包含自半導體材料之第一側朝向第二側延伸之一淺部分，且淺部分包含一介電質區域及一金屬區域，使得介電質區域之至少部分安置於半導體材料與金屬區域之間。混合DTI結構亦包含一深部分，深部分自淺部分延伸且安置於淺部分與半導體材料之第二側之間。
简体摘要：一种图像传感器包含安置于一半导体材料中位于半导体材料之一第一侧与一第二侧之间的复数个光电二极管。该图像传感器亦包含安置于半导体材料中之复数个混合深沟槽隔离(DTI)结构，其中复数个光电二极管中之个别光电二极管由个别混合DTI结构分隔开。个别混合DTI结构包含自半导体材料之第一侧朝向第二侧延伸之一浅部分，且浅部分包含一介电质区域及一金属区域，使得介电质区域之至少部分安置于半导体材料与金属区域之间。混合DTI结构亦包含一深部分，深部分自浅部分延伸且安置于浅部分与半导体材料之第二侧之间。

10. 发明专利

TW201729410A 用於影像感測器之感光性電容畫素审中-公开
简体标题：用于影像传感器之感光性电容像素
公开(公告)号：TW201729410A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW106116443
申请日：2016-02-24
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：楊武璋 , YANG,WU-ZANG , 劉家穎 , LIU,CHIA-YING , 熊志偉 , HSIUNG,CHIH-WEI , 艾群詠 , AI,CHUN-YUNG , 戴戴森 H , TAI,DYSON H. , 麥西堤多明尼克 , MASSETTI,DOMINIC
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14692 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/90
摘要：本發明揭示一種影像感測器畫素及影像感測器及一種製造影像感測器畫素及影像感測器之方法。該影像畫素包含一感光性電容器及一電晶體網路。該感光性電容器包含一電極、一導電層、一介電層及一感光性半導體材料。該導電層經安置於該電極周圍，且該介電層形成於該導電層與該電極之間。該感光性半導體材料係用於回應於影像光產生一影像信號且經安置於該介電層與該電極之間。該電晶體網路經耦合以從該感光性電容器之該電極讀出該影像信號。
简体摘要：本发明揭示一种影像传感器像素及影像传感器及一种制造影像传感器像素及影像传感器之方法。该影像像素包含一感光性电容器及一晶体管网络。该感光性电容器包含一电极、一导电层、一介电层及一感光性半导体材料。该导电层经安置于该电极周围，且该介电层形成于该导电层与该电极之间。该感光性半导体材料系用于回应于影像光产生一影像信号且经安置于该介电层与该电极之间。该晶体管网络经耦合以从该感光性电容器之该电极读出该影像信号。

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