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1. 发明专利

TWI698026B 用於增加角靈敏度的多像素偵測器及相關方法有权
简体标题：用于增加角灵敏度的多像素侦测器及相关方法
公开(公告)号：TWI698026B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW107129817
申请日：2018-08-27
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陸震偉 , LU, CHEN WEI , 錢胤 , QIAN, YIN , 彭進寶 , PANG, CHIN POH , 張博洋 , ZHANG, BOYANG
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L27/14 , G02B1/10

2. 发明专利

TWI686939B 具有串擾抑制濾光器陣列的背照式彩色影像感測器及其製造方法有权
简体标题：具有串扰抑制滤光器数组的背照式彩色影像传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI686939B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106128938
申请日：2017-08-25
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：彭進寶 , PANG, CHIN-POH , 張博洋 , ZHANG, BOYANG , 劉家穎 , LIU, CHIA-YING , 楊武璋 , YANG, WU-ZANG , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH-WEI , 艾群詠 , AI, CHUN-YUNG
IPC分类号： H01L27/146

3. 发明专利

TWI670840B 電漿子奈米結構感測器像素有权
简体标题：等离子子奈米结构传感器像素
公开(公告)号：TWI670840B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW105140614
申请日：2016-12-08
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：張博洋 , ZHANG, BOYANG , 彭進寶 , PANG, CHIN-POH
IPC分类号： H01L27/146 , B82Y40/00

4. 发明专利

TWI665795B 電漿子奈米結構感測器像素有权
简体标题：等离子子奈米结构传感器像素
公开(公告)号：TWI665795B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW106146029
申请日：2016-12-08
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：張博洋 , ZHANG, BOYANG , 彭進寶 , PANG, CHIN-POH
IPC分类号： H01L27/146 , B82Y40/00

5. 发明专利

TW201813071A 電漿子奈米結構感測器像素审中-公开
简体标题：等离子子奈米结构传感器像素
公开(公告)号：TW201813071A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106146029
申请日：2016-12-08
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：張博洋 , ZHANG, BOYANG , 彭進寶 , PANG, CHIN-POH
IPC分类号： H01L27/146 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L27/14649 , B82Y20/00 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , Y10S977/773 , Y10S977/81 , Y10S977/954
摘要：第一電漿子奈米結構感測器像素包括半導體基板和多個金屬柱。半導體基板具有上表面和上表面下方的光電二極管區域。這些金屬柱至少部分地嵌入在基板中，並以實質上垂直上表面的方向從上表面延伸。第二電漿子奈米結構感測器像素包括(a)具有上表面的半導體基板，(b)在上表面上的氧化物層，(c)在上表面和氧化物層之間的薄膜塗層，以及(d)多個金屬奈米顆粒，這些金屬奈米顆粒(i)至少部分地在上表面和氧化物層之間，並且(ii)至少部分地嵌入在薄膜塗層和氧化物層中之至少一個中。第三電漿子奈米結構感測器像素包括第一和第二電漿子奈米結構感測器像素的特徵。
简体摘要：第一等离子子奈米结构传感器像素包括半导体基板和多个金属柱。半导体基板具有上表面和上表面下方的光电二极管区域。这些金属柱至少部分地嵌入在基板中，并以实质上垂直上表面的方向从上表面延伸。第二等离子子奈米结构传感器像素包括(a)具有上表面的半导体基板，(b)在上表面上的氧化物层，(c)在上表面和氧化物层之间的薄膜涂层，以及(d)多个金属奈米颗粒，这些金属奈米颗粒(i)至少部分地在上表面和氧化物层之间，并且(ii)至少部分地嵌入在薄膜涂层和氧化物层中之至少一个中。第三等离子子奈米结构传感器像素包括第一和第二等离子子奈米结构传感器像素的特征。

6. 发明专利

TW201725714A 電漿子奈米結構感測器像素审中-公开
简体标题：等离子子奈米结构传感器像素
公开(公告)号：TW201725714A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105140614
申请日：2016-12-08
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：張博洋 , ZHANG, BOYANG , 彭進寶 , PANG, CHIN-POH
IPC分类号： H01L27/146 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L27/14649 , B82Y20/00 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , Y10S977/773 , Y10S977/81 , Y10S977/954
摘要：第一電漿子奈米結構感測器像素包括半導體基板和多個金屬柱。半導體基板具有上表面和上表面下方的光電二極管區域。這些金屬柱至少部分地嵌入在基板中，並以實質上垂直上表面的方向從上表面延伸。第二電漿子奈米結構感測器像素包括(a)具有上表面的半導體基板，(b)在上表面上的氧化物層，(c)在上表面和氧化物層之間的薄膜塗層，以及(d)多個金屬奈米顆粒，這些金屬奈米顆粒(i)至少部分地在上表面和氧化物層之間，並且(ii)至少部分地嵌入在薄膜塗層和氧化物層中之至少一個中。第三電漿子奈米結構感測器像素包括第一和第二電漿子奈米結構感測器像素的特徵。
简体摘要：第一等离子子奈米结构传感器像素包括半导体基板和多个金属柱。半导体基板具有上表面和上表面下方的光电二极管区域。这些金属柱至少部分地嵌入在基板中，并以实质上垂直上表面的方向从上表面延伸。第二等离子子奈米结构传感器像素包括(a)具有上表面的半导体基板，(b)在上表面上的氧化物层，(c)在上表面和氧化物层之间的薄膜涂层，以及(d)多个金属奈米颗粒，这些金属奈米颗粒(i)至少部分地在上表面和氧化物层之间，并且(ii)至少部分地嵌入在薄膜涂层和氧化物层中之至少一个中。第三等离子子奈米结构传感器像素包括第一和第二等离子子奈米结构传感器像素的特征。

7. 发明专利

TWI579599B 用以最小化顏色混疊之紅綠藍色彩色濾光器陣列圖案有权
简体标题：用以最小化颜色混叠之红绿蓝色彩色滤光器数组图案
公开(公告)号：TWI579599B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104129065
申请日：2015-09-02
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：吳雷蒙 , WU, RAYMOND , 單記章 , SHAN, JIZHANG , 彭進寶 , PANG, CHIH POH
IPC分类号： G02B5/20 , H01L27/146 , H04N5/378
CPC分类号： H04N9/045 , G06T3/4015 , H04N5/3696 , H04N5/378 , H04N2209/047

8. 发明专利

TW201706707A 具有對稱之多像素相位差檢測器之影像感測器及相關方法审中-公开
简体标题：具有对称之多像素相位差检测器之影像传感器及相关方法
公开(公告)号：TW201706707A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105122790
申请日：2016-07-19
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：劉關松 , LIU, GUANSONG , 單繼章 , SHAN, JIZHANG , 彭進寶 , PANG, CHIN POH , 楊曉冬 , YANG, XIAODONG
IPC分类号： G03B43/00 , H04N5/335
CPC分类号： H04N5/23212 , G02B5/201 , G02B7/36 , G03B13/36 , H04N9/045
摘要：一種具有相位檢測晶片之成像系統，其包括具有對稱多像素相位差檢測器之影像感測器。每一對稱多像素相位差檢測器包括：(a)複數個像素，用以形成一陣列，每一像素其上具有各自濾色鏡，每一濾色鏡具有一透射光譜；以及(b)顯微透鏡，所述顯微透鏡之至少一部分位於該複數個像素之上，且具有與該陣列相交之一光軸。該陣列憑藉每一透射光譜，而具有反射對稱，其與(a)該光軸的第一平面和(b)與該第一平面正交之一第二平面兩者相關。成像系統包括相位檢測行對和類比相位檢測列對，相位檢測行對包括相鄰像素行成對中之複數個對稱多像素相位差檢測器。
简体摘要：一种具有相位检测芯片之成像系统，其包括具有对称多像素相位差检测器之影像传感器。每一对称多像素相位差检测器包括：(a)复数个像素，用以形成一数组，每一像素其上具有各自滤色镜，每一滤色镜具有一透射光谱；以及(b)显微透镜，所述显微透镜之至少一部分位于该复数个像素之上，且具有与该数组相交之一光轴。该数组凭借每一透射光谱，而具有反射对称，其与(a)该光轴的第一平面和(b)与该第一平面正交之一第二平面两者相关。成像系统包括相位检测行对和模拟相位检测列对，相位检测行对包括相邻像素行成对中之复数个对称多像素相位差检测器。

9. 发明专利

TW201811013A 相位檢測自動聚焦圖元陣列和相關的成像系統审中-公开
简体标题：相位检测自动聚焦图元数组和相关的成像系统
公开(公告)号：TW201811013A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106105091
申请日：2017-02-16
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：張博洋 , ZHANG, BOYANG , 彭進寶 , PANG, CHIN POH
IPC分类号： H04N5/225 , H04N5/232 , H04N5/369
CPC分类号： H04N5/23212 , H04N5/2257 , H04N5/3696
摘要：相位檢測自動聚焦(PDAF)圖元陣列包括第一圖元和第二圖元。第一圖元位於距PDAF圖元陣列中心的第一距離處，其包括相對於該中心的第一內光電二極體和第一外光電二極體。第一內光電二極體和第一外光電二極體分別佔據第一內面積和第一外面積。第一內面積除以第一外面積等於第一比率。第二圖元位於距該中心的第二距離處，該第二距離超過第一距離，其包括相對於該中心的第二內光電二極體和第二外光電二極體。第二內光電二極體和第二外光電二極體分別佔據第二內面積和第二外面積。第二內面積除以第二外面具等於超過第一比率的第二比率。
简体摘要：相位检测自动聚焦(PDAF)图元数组包括第一图元和第二图元。第一图元位于距PDAF图元数组中心的第一距离处，其包括相对于该中心的第一内光电二极管和第一外光电二极管。第一内光电二极管和第一外光电二极管分别占据第一内面积和第一外面积。第一内面积除以第一外面积等于第一比率。第二图元位于距该中心的第二距离处，该第二距离超过第一距离，其包括相对于该中心的第二内光电二极管和第二外光电二极管。第二内光电二极管和第二外光电二极管分别占据第二内面积和第二外面积。第二内面积除以第二外面具等于超过第一比率的第二比率。

10. 发明专利

TW201717375A 具有改進的相位偵測像素的BSI CMOS影像感測器及其方法审中-公开
简体标题：具有改进的相位侦测像素的BSI CMOS影像传感器及其方法
公开(公告)号：TW201717375A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105133113
申请日：2016-10-13
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：劉家穎 , LIU, CHIA YING , 彭進寶 , PANG, CHIN-POH , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH WEI , 威尼斯文森特 , VENEZIA, VINCENT
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14685
摘要：改進的背照式(BSI)互補金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器和相關聯的方法可改進相位偵測能力。BSI CMOS影像感測器具有包括相位偵測像素(PDP)、由埋藏式濾色器陣列和複合金屬/氧化物網格形成的複合網格、和對應至PDP的光電二極體植入物的像素陣列。PDP遮罩被與鄰近PDP的深槽隔離(DTI，deep trench isolation)結構一起製造，並被設置為遮蓋光電二極體植入物的至少部分，使得PDP遮罩被設置於複合網格和光電二極體植入物之間。
简体摘要：改进的背照式(BSI)互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器和相关联的方法可改进相位侦测能力。BSI CMOS影像传感器具有包括相位侦测像素(PDP)、由埋藏式滤色器数组和复合金属/氧化物网格形成的复合网格、和对应至PDP的光电二极管植入物的像素数组。PDP遮罩被与邻近PDP的深槽隔离(DTI，deep trench isolation)结构一起制造，并被设置为遮盖光电二极管植入物的至少部分，使得PDP遮罩被设置于复合网格和光电二极管植入物之间。

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