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1. 发明专利

TWI692799B 清潔方法有权
简体标题：清洁方法
公开(公告)号：TWI692799B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW105141008
申请日：2016-12-12
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史東彼得 , STONE, PETER , 奧森克里斯多夫S , OLSEN, CHRISTOPHER S. , 郭騰芳 , KUO, TENG-FANG , 謝秉翰 , HSIEH, PING HAN , 丁振文 , DING, ZHENWEN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065

2. 发明专利

TW201921581A 具備吸附力控制的靜電吸附基板支撐件审中-公开
简体标题：具备吸附力控制的静电吸附基板支撑件
公开(公告)号：TW201921581A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107129931
申请日：2018-08-28
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：波亞二世威德格恩 , BOYD, JR., WENDELL GLENN , 何吉姆鍾儀 , HE, JIM ZHONGYI , 丁振文 , DING, ZHENWEN
IPC分类号： H01L21/683
摘要：本文描述的實施例提供用以藉由在基板處理期間監測及控制一基板的偏斜量（因此還有在該基板與一基板支撐件之間的接觸力），來減少或大致免除對基板之非有效表面的非所欲刮傷的方法及設備。在一實施例中一種用於處理一基板的方法包括下列步驟：將該基板定位在一基板支撐件的一有圖案表面上，其中該基板支撐件經設置在一處理腔室的一處理容積中，對設置在該基板支撐件中的一吸附電極施加一吸附電壓；流通一氣體至設置在該基板及該基板支撐件之間的一背側容積中，監測該基板的一偏斜量，及基於該基板的該偏斜量來改變一吸附參數。
简体摘要：本文描述的实施例提供用以借由在基板处理期间监测及控制一基板的偏斜量（因此还有在该基板与一基板支撑件之间的接触力），来减少或大致免除对基板之非有效表面的非所欲刮伤的方法及设备。在一实施例中一种用于处理一基板的方法包括下列步骤：将该基板定位在一基板支撑件的一有图案表面上，其中该基板支撑件经设置在一处理腔室的一处理容积中，对设置在该基板支撑件中的一吸附电极施加一吸附电压；流通一气体至设置在该基板及该基板支撑件之间的一背侧容积中，监测该基板的一偏斜量，及基于该基板的该偏斜量来改变一吸附参数。

3. 发明专利

TW201719799A 具有沉積表面特徵之基板支撐組件审中-公开
简体标题：具有沉积表面特征之基板支撑组件
公开(公告)号：TW201719799A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105117755
申请日：2016-06-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：波亞二世威德格恩 , BOYD, JR., WENDELL GLENN , 帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D. , 郭騰芳 , KUO, TENG FANG , 丁振文 , DING, ZHENWEN
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , C03C17/00 , H01L21/6875 , H01L21/68757
摘要：一種製造靜電夾盤的方法，包括拋光靜電夾盤之陶瓷主體的表面，以產生拋光表面，並將陶瓷塗層沉積到該陶瓷主體之該拋光表面上，以產生經塗佈陶瓷主體。該方法進一步包括在該經塗佈陶瓷主體上方配置遮罩，該遮罩包含複數個橢圓形孔，並通過該遮罩的該複數個橢圓形孔沉積陶瓷材料，以在該經塗佈陶瓷主體上形成複數個橢圓形臺面，其中該複數個橢圓形臺面具有圓邊。然後從該經塗佈陶瓷主體移除該遮罩，並拋光該複數個橢圓形臺面。
简体摘要：一种制造静电夹盘的方法，包括抛光静电夹盘之陶瓷主体的表面，以产生抛光表面，并将陶瓷涂层沉积到该陶瓷主体之该抛光表面上，以产生经涂布陶瓷主体。该方法进一步包括在该经涂布陶瓷主体上方配置遮罩，该遮罩包含复数个椭圆形孔，并通过该遮罩的该复数个椭圆形孔沉积陶瓷材料，以在该经涂布陶瓷主体上形成复数个椭圆形台面，其中该复数个椭圆形台面具有圆边。然后从该经涂布陶瓷主体移除该遮罩，并抛光该复数个椭圆形台面。

4. 发明专利

TW201732872A 清潔方法审中-公开
简体标题：清洁方法
公开(公告)号：TW201732872A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105141008
申请日：2016-12-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史東彼得 , STONE, PETER , 奧森克里斯多夫S , OLSEN, CHRISTOPHER S. , 郭騰芳 , KUO, TENG-FANG , 謝秉翰 , HSIEH, PING HAN , 丁振文 , DING, ZHENWEN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/3065 , H01L21/3221 , H01L21/6719 , H01L21/68742
摘要：本揭露的實施一般係關於用於在基板表面上磊晶沉積的方法和設備。更具體言之，本揭露的實施一般係關於用於在磊晶沉積之前作表面製備（preparation）之方法和設備。在一個實施中，提供了一種處理基板的方法。該方法包括以下步驟：藉由使用電漿蝕刻處理來蝕刻含矽基板的表面以形成該含矽基板的一蝕刻過的表面，以及在該含矽基板的該蝕刻過的表面上形成磊晶層。該電漿蝕刻處理包括以下步驟：將包含含氟前驅物和含氫前驅物的蝕刻劑氣體混合物流入第一處理腔室的基板處理區域，及從流入基板處理區域的該蝕刻劑氣體混合物形成電漿。
简体摘要：本揭露的实施一般系关于用于在基板表面上磊晶沉积的方法和设备。更具体言之，本揭露的实施一般系关于用于在磊晶沉积之前作表面制备（preparation）之方法和设备。在一个实施中，提供了一种处理基板的方法。该方法包括以下步骤：借由使用等离子蚀刻处理来蚀刻含硅基板的表面以形成该含硅基板的一蚀刻过的表面，以及在该含硅基板的该蚀刻过的表面上形成磊晶层。该等离子蚀刻处理包括以下步骤：将包含含氟前驱物和含氢前驱物的蚀刻剂气体混合物流入第一处理腔室的基板处理区域，及从流入基板处理区域的该蚀刻剂气体混合物形成等离子。

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