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1. 发明专利

TW201907168A 用於積體電路裝置的改良電流感測审中-公开
简体标题：用于集成电路设备的改良电流传感
公开(公告)号：TW201907168A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107114367
申请日：2018-04-27
申请人：美商微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：迪克斯葛瑞格 , DIX, GREG , 迪佛菲利浦 , DEVAL, PHILIPPE
IPC分类号： G01R19/10 , G05F3/26
摘要：本發明提供一種用於控制並感測電流之積體電路裝置。該積體電路裝置包括經組態用於控制一主電流之一主電晶體裝置及經組態用於控制一組合感測電流之複數個感測電晶體裝置。該主電晶體裝置及該複數個感測電晶體裝置連接至一共同閘極節點。該主電晶體裝置之導通狀態電阻低於該複數個感測電晶體裝置之一組合導通狀態電阻。該等感測電晶體裝置分佈遍及該積體電路之至少一區段以減小該積體電路裝置之至少一個局部性質對該組合感測電流之一影響。
简体摘要：本发明提供一种用于控制并传感电流之集成电路设备。该集成电路设备包括经组态用于控制一主电流之一主晶体管设备及经组态用于控制一组合传感电流之复数个传感晶体管设备。该主晶体管设备及该复数个传感晶体管设备连接至一共同闸极节点。该主晶体管设备之导通状态电阻低于该复数个传感晶体管设备之一组合导通状态电阻。该等传感晶体管设备分布遍及该集成电路之至少一区段以减小该集成电路设备之至少一个局部性质对该组合传感电流之一影响。

2. 发明专利

TWI663696B 於半導體裝置中形成為金屬線互連之凸塊連結有权
简体标题：于半导体设备中形成为金属线互连之凸块链接
公开(公告)号：TWI663696B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW104116554
申请日：2015-05-22
申请人：美商微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：迪克斯葛瑞格 , DIX, GREG , 梅爾雀羅傑 , MELCHER, ROGER , 克林哈洛德 , KLINE, HAROLD
IPC分类号： H01L23/498

3. 发明专利

TW201834241A 具有前側源極與汲極觸點之場效電晶體或其他半導體裝置审中-公开
简体标题：具有前侧源极与汲极触点之场效应管或其他半导体设备
公开(公告)号：TW201834241A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106140647
申请日：2017-11-23
申请人：美商微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：迪克斯葛瑞格 , DIX, GREG , 蘇梅特吉那 , SHUMATE, JINA , 彼得森艾瑞克 , PETERSON, ERIC , 那雅拉傑西 , NAYAK, RAJESH
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/78
摘要：一積體電路(IC)結構可包含具有一前側汲極觸點之一或多個溝渠式半導體裝置，例如場效電晶體(溝渠FET)。各半導體裝置可包含：一磊晶層、該磊晶層中之一摻雜源極區域、經耦合至該源極區域之一前側源極觸點、經形成於該磊晶層中之一溝渠中之一多晶閘極，及延伸通過該多晶閘極溝渠且與該多晶閘極隔離之一前側汲極觸點。該裝置可界定自該多晶閘極/源極區域交叉點至該前側汲極觸點之一漂移區域。該漂移區域可係位於該磊晶層內，且不延伸至一下層塊狀基板或過渡層內。該前側汲極觸點之深度可經選擇以影響各自裝置之崩潰電壓。另外，該等前側汲極觸點可允許該IC結構經覆晶安裝或封裝。
简体摘要：一集成电路(IC)结构可包含具有一前侧汲极触点之一或多个沟渠式半导体设备，例如场效应管(沟渠FET)。各半导体设备可包含：一磊晶层、该磊晶层中之一掺杂源极区域、经耦合至该源极区域之一前侧源极触点、经形成于该磊晶层中之一沟渠中之一多晶闸极，及延伸通过该多晶闸极沟渠且与该多晶闸极隔离之一前侧汲极触点。该设备可界定自该多晶闸极/源极区域交叉点至该前侧汲极触点之一漂移区域。该漂移区域可系位于该磊晶层内，且不延伸至一下层块状基板或过渡层内。该前侧汲极触点之深度可经选择以影响各自设备之崩溃电压。另外，该等前侧汲极触点可允许该IC结构经覆晶安装或封装。

4. 发明专利

TW201834032A 形成具有前側源極及汲極觸點之場效電晶體（FET）或其它半導體裝置之方法审中-公开
简体标题：形成具有前侧源极及汲极触点之场效应管（FET）或其它半导体设备之方法
公开(公告)号：TW201834032A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106140691
申请日：2017-11-23
申请人：美商微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：迪克斯葛瑞格 , DIX, GREG , 蘇梅特吉那 , SHUMATE, JINA , 彼得森艾瑞克 , PETERSON, ERIC , 那雅拉傑西 , NAYAK, RAJESH
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
摘要：本發明提供一種用於形成包含溝渠式半導體裝置(例如，溝渠FET)之一積體電路(IC)結構之方法，該等溝渠式半導體裝置具有前側汲極觸點。該方法可包含：形成一磊晶區域；在該磊晶區域中形成一多晶閘極溝渠；形成通過該多晶閘極溝渠且延伸於該多晶閘極溝渠下方之一汲極觸點溝渠；在該多晶閘極溝渠中形成一多晶閘極；在該汲極觸點溝渠中形成一前側汲極觸點；且在與該多晶閘極相鄰之該磊晶區域中形成一源極區域。該裝置可界定自該多晶閘極/源極交叉點至該前側汲極觸點之一漂移區域。該漂移區域可係位於該磊晶層內，且不延伸至一下層基板或過渡層內。該前側汲極觸點深度可經選擇以影響該裝置之崩潰電壓。該等前側汲極觸點可允許覆晶安裝該IC結構。
简体摘要：本发明提供一种用于形成包含沟渠式半导体设备(例如，沟渠FET)之一集成电路(IC)结构之方法，该等沟渠式半导体设备具有前侧汲极触点。该方法可包含：形成一磊晶区域；在该磊晶区域中形成一多晶闸极沟渠；形成通过该多晶闸极沟渠且延伸于该多晶闸极沟渠下方之一汲极触点沟渠；在该多晶闸极沟渠中形成一多晶闸极；在该汲极触点沟渠中形成一前侧汲极触点；且在与该多晶闸极相邻之该磊晶区域中形成一源极区域。该设备可界定自该多晶闸极/源极交叉点至该前侧汲极触点之一漂移区域。该漂移区域可系位于该磊晶层内，且不延伸至一下层基板或过渡层内。该前侧汲极触点深度可经选择以影响该设备之崩溃电压。该等前侧汲极触点可允许覆晶安装该IC结构。

5. 发明专利

TW201603223A 於半導體裝置中形成為金屬線互連之凸塊連結审中-公开
简体标题：于半导体设备中形成为金属线互连之凸块链接
公开(公告)号：TW201603223A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104116554
申请日：2015-05-22
申请人：微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：迪克斯葛瑞格 , DIX, GREG , 梅爾雀羅傑 , MELCHER, ROGER , 克林哈洛德 , KLINE, HAROLD
IPC分类号： H01L23/498
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/4824 , H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/528 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13028 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/14133 , H01L2224/1613 , H01L2224/16245 , H01L2224/48245 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/19107 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要：本發明揭示一種半導體功率晶片，其具有形成於一半導體晶粒上之一半導體功率裝置；其中該半導體功率裝置包括：一導電接觸元件陣列；一鈍化層，其形成於該複數個導電接觸元件上方，該鈍化層包括複數個該等導電接觸元件上方之鈍化開口；及一導電凸塊陣列，其包含一或多個互連凸塊，其中每一互連凸塊形成於該鈍化層上方並延伸至該等鈍化開口中之至少兩者中且與至少兩個下伏導電接觸元件接觸，以藉此提供該至少兩個下伏導電接觸元件之間的一導電耦合。
简体摘要：本发明揭示一种半导体功率芯片，其具有形成于一半导体晶粒上之一半导体功率设备；其中该半导体功率设备包括：一导电接触组件数组；一钝化层，其形成于该复数个导电接触组件上方，该钝化层包括复数个该等导电接触组件上方之钝化开口；及一导电凸块数组，其包含一或多个互连凸块，其中每一互连凸块形成于该钝化层上方并延伸至该等钝化开口中之至少两者中且与至少两个下伏导电接触组件接触，以借此提供该至少两个下伏导电接触组件之间的一导电耦合。

6. 发明专利

TW201740442A 形成於重摻雜基板上之電容器审中-公开
简体标题：形成于重掺杂基板上之电容器
公开(公告)号：TW201740442A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105140391
申请日：2016-12-07
申请人：微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：迪克斯葛瑞格 , DIX, GREG , 葉奇藍迪 , YACH, RANDY , 馬西里法蘭西斯柯 , MAZZILLI, FRANCESCO
IPC分类号： H01L21/283 , H01L23/522
CPC分类号： H01L28/60 , H01L21/31105 , H01L21/52 , H01L23/3142 , H01L23/48 , H01L23/5223 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0652 , H01L28/00 , H01L28/40 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/14104 , H01L2224/1412 , H01L2224/16145 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/48101 , H01L2224/48105 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2224/8192 , H01L2924/00014 , H01L2924/1205 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/0665
摘要：本發明之教示可被應用於電容器之製造及設計。在此等教示之一些實施例中，一電容器可係形成於一重摻雜基板上。例如，一種用於製造一電容器之方法可包含：在一重摻雜基板之一第一側上沈積氧化物層；在該氧化物層上沈積一第一金屬層；及在該重摻雜基板之一第二側上沈積一第二金屬層。
简体摘要：本发明之教示可被应用于电容器之制造及设计。在此等教示之一些实施例中，一电容器可系形成于一重掺杂基板上。例如，一种用于制造一电容器之方法可包含：在一重掺杂基板之一第一侧上沉积氧化物层；在该氧化物层上沉积一第一金属层；及在该重掺杂基板之一第二侧上沉积一第二金属层。

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