专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI675179B 多重圖案化參數之量測有权
简体标题：多重图案化参数之量测
公开(公告)号：TWI675179B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW103145080
申请日：2014-12-23
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：舒傑葛洛夫安德烈V , SHCHEGROV, ANDREI V. , 克里許南桑卡 , KRISHNAN, SHANKAR , 彼得琳斯凱文 , PETERLINZ, KEVIN , 佐拉陶德斯傑拉德 , DZIURA, THADDEUS GERARD , 薩賓恩斯娜安 , SAPIENS, NOAM , 潘戴夫史帝藍伊凡渥夫 , PANDEV, STILIAN IVANOV
IPC分类号： G01B11/00 , H01L21/66

2. 发明专利

TWI673487B 度量系統、度量設備及度量方法有权
简体标题：度量系统、度量设备及度量方法
公开(公告)号：TWI673487B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW105105166
申请日：2016-02-22
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：克里許南桑卡 , KRISHNAN, SHANKAR , 莊國榮V , ZHUANG, GUORONG V. , 王大衛Y , WANG, DAVID Y. , 劉學峰 , LIU, XUEFENG
IPC分类号： G01N21/25 , G01N21/95 , G01J3/02

3. 发明专利

TWI635251B 度量衡系統及度量衡方法有权
简体标题：度量衡系统及度量衡方法
公开(公告)号：TWI635251B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW103117399
申请日：2014-05-16
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：闊克希東 , KWAK, HIDONG , 雷索尼約翰 , LESOINE, JOHN , 薩迪克馬立可 , SADIQ, MALIK , 魏藍華 , WEI, LANHUA , 克里許南桑卡 , KRISHNAN, SHANKAR , 波斯拉夫斯基李奧尼多 , POSLAVSKY, LEONID , 蘇夏奇克米克海爾M , SUSHCHIK, MIKHAIL M.
IPC分类号： G01B11/00 , G01N21/95

4. 发明专利

TW201802980A 半導體結構之孔隙度量測审中-公开
简体标题：半导体结构之孔隙度量测
公开(公告)号：TW201802980A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106114515
申请日：2017-05-02
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：克里許南桑卡 , KRISHNAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/66 , G01N23/00
CPC分类号： G01N15/088 , G01B11/12 , G01B2210/56 , G01N15/0806 , G01N21/00 , G01N21/91 , G01N2021/213 , G01N2021/8427 , G03F7/00
摘要：本文提出用於藉由一毛細管冷凝法製程來執行經填充有一填充材料之幾何結構之孔隙度的光學量測的方法及系統。當使用包含一經控制量之汽化填充材料之淨化氣體之一流動來處理該被量測結構時，執行量測。該填充材料的一部分冷凝且填充該等結構特徵中的開口(諸如一平面膜之孔)、結構特徵之間的空間、小體積(諸如，凹口、溝槽、狹縫、接觸孔等)。在一個態樣中，基於該待填充之最大特徵大小來判定該氣體流動中之汽化材料之所要飽和度。在另一態樣中，當一結構係未填充的及當該結構經填充時，收集量測資料。使該經收集資料組合於一基於多目標模型量測中，以估計孔隙度及關鍵尺寸之值。
简体摘要：本文提出用于借由一毛细管冷凝法制程来运行经填充有一填充材料之几何结构之孔隙度的光学量测的方法及系统。当使用包含一经控制量之汽化填充材料之净化气体之一流动来处理该被量测结构时，运行量测。该填充材料的一部分冷凝且填充该等结构特征中的开口(诸如一平面膜之孔)、结构特征之间的空间、小体积(诸如，凹口、沟槽、狭缝、接触孔等)。在一个态样中，基于该待填充之最大特征大小来判定该气体流动中之汽化材料之所要饱和度。在另一态样中，当一结构系未填充的及当该结构经填充时，收集量测数据。使该经收集数据组合于一基于多目标模型量测中，以估计孔隙度及关键尺寸之值。

5. 发明专利

TW201300753A 光學系統偏光層之校正审中-公开
简体标题：光学系统偏光层之校正
公开(公告)号：TW201300753A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101119215
申请日：2012-05-29
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：迪維爾喬漢斯D , DE VEER, JOHANNES D. , 波斯拉夫斯基李奧尼多 , POSLAVSKY, LEONID , 莊國榮維拉 , ZHUANG, GUORONG VERA , 克里許南桑卡 , KRISHNAN, SHANKAR
IPC分类号： G01M11/00 , G02B27/28 , G01J4/00
CPC分类号： G01N21/21 , G01J3/504 , G01N21/274
摘要：本發明揭示一種用於藉由將校正與經偏光光學系統之一偏光效應解耦而在任何入射角處校正該系統中之一偏光層之方法，該方法包括以下步驟：提供一校正裝置，該校正裝置包含使一偏光層安置於其一表面上之一基板，其中該基板上之一指示器用於指示該偏光層之一偏光定向；將該校正裝置裝載於該經偏光光學系統中，其中該指示器處於一所預期位置中；判定該偏光定向與該經偏光光學系統之一參考之間的一初始角度；在該偏光定向與該經偏光光學系統之該參考之間的複數個已知角度處使用該經偏光光學系統來獲取光譜；使用該等光譜來標繪指示該經偏光光學系統中之該偏光層之一角度之一曲線；及當該偏光層之該角度係在一所期望範圍之外時，調整該偏光層之該角度，且重複獲取該等光譜及標繪指示該偏光層之該角度之一曲線之該等步驟。
简体摘要：本发明揭示一种用于借由将校正与经偏光光学系统之一偏光效应解耦而在任何入射角处校正该系统中之一偏光层之方法，该方法包括以下步骤：提供一校正设备，该校正设备包含使一偏光层安置於其一表面上之一基板，其中该基板上之一指示器用于指示该偏光层之一偏光定向；将该校正设备装载于该经偏光光学系统中，其中该指示器处于一所预期位置中；判定该偏光定向与该经偏光光学系统之一参考之间的一初始角度；在该偏光定向与该经偏光光学系统之该参考之间的复数个已知角度处使用该经偏光光学系统来获取光谱；使用该等光谱来标绘指示该经偏光光学系统中之该偏光层之一角度之一曲线；及当该偏光层之该角度系在一所期望范围之外时，调整该偏光层之该角度，且重复获取该等光谱及标绘指示该偏光层之该角度之一曲线之该等步骤。

6. 发明专利

TW201734417A 用於擴展之紅外線光譜橢偏量測之系統及方法审中-公开
简体标题：用于扩展之红外线光谱椭偏量测之系统及方法
公开(公告)号：TW201734417A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106101090
申请日：2017-01-13
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：克里許南桑卡 , KRISHNAN, SHANKAR , 王大衛 Y , WANG, DAVID Y.
IPC分类号： G01J3/18 , G01J3/427 , G01N21/21 , G01N21/3563
CPC分类号： G01N21/3563 , G01J3/0224 , G01J3/18 , G01J3/2803 , G01J3/36 , G01J3/427 , G01J2003/4275 , G01N21/211 , G01N21/31 , G01N21/9501 , G01N2021/213 , G01N2021/3568
摘要：本文中呈現用於在紫外線波長、可見波長及紅外線波長下執行對半導體結構之同時光譜量測之方法及系統。在另一態樣中，藉由將偵測器表面上之波長色散方向定向成垂直於至該偵測器表面上之入射平面之投影而減小波長誤差。在另一態樣中，藉由包含具有不同敏感特性的多個光敏區域之一偵測器偵測一廣紅外線波長範圍。收集光根據波長跨該偵測器之該表面線性色散。各不同光敏區域配置於該偵測器上以感測一不同入射波長範圍。以此方式，藉由一單一偵測器以高信號對雜訊比偵測一廣紅外線波長範圍。此等特徵以高處理量、精度及準確度實現對高深寬比結構之高處理量量測。
简体摘要：本文中呈现用于在紫外线波长、可见波长及红外线波长下运行对半导体结构之同时光谱量测之方法及系统。在另一态样中，借由将侦测器表面上之波长色散方向定向成垂直于至该侦测器表面上之入射平面之投影而减小波长误差。在另一态样中，借由包含具有不同敏感特性的多个光敏区域之一侦测器侦测一广红外线波长范围。收集光根据波长跨该侦测器之该表面线性色散。各不同光敏区域配置于该侦测器上以传感一不同入射波长范围。以此方式，借由一单一侦测器以高信号对噪声比侦测一广红外线波长范围。此等特征以高处理量、精度及准确度实现对高深宽比结构之高处理量量测。

7. 发明专利

TWI539147B 可重新組態之光譜橢圓偏光儀有权
简体标题：可重新组态之光谱椭圆偏光仪
公开(公告)号：TWI539147B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW101114433
申请日：2012-04-23
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：克里許南桑卡 , KRISHNAN, SHANKAR , 王海明 , WANG, HAIMING
IPC分类号： G01N21/21 , G01B11/02
CPC分类号： G01B11/0641 , G01B2210/56 , G01N21/211 , G01N21/956

8. 发明专利

TW201423031A 用於高縱橫比及大橫向尺寸結構之測量系統及方法审中-公开
简体标题：用于高纵横比及大横向尺寸结构之测量系统及方法
公开(公告)号：TW201423031A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102138532
申请日：2013-10-24
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：佐拉陶德斯傑拉德 , DZIURA, THADDEUS GERARD , 劉學峰 , LIU, XUEFENG , 王大衛Y , WANG, DAVID Y. , 麥迪森強納生 , MADSEN, JONATHAN , 庫茲尼斯夫亞歷山大 , KUZNETSOV, ALEXANDER , 迪維爾喬漢斯D , DE VEER, JOHANNES D. , 克里許南桑卡 , KRISHNAN, SHANKAR , 蕭葛奈西德瑞克 , SHAUGHNESSY, DERRICK , 舒傑葛洛夫安德烈 , SHCHEGROV, ANDREI
IPC分类号： G01B11/24
CPC分类号： G01N21/47 , G01B2210/56 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供用於高縱橫比及大橫向尺寸結構之各種測量系統及方法。一種方法包括將光定向至於晶圓上形成的一或多個結構。該光包括紫外光、可見光及紅外光。該一或多個結構包括至少一個高縱橫比結構或至少一個大橫向尺寸結構。該方法亦包括生成響應於來自該一或多個結構的光(源自定向至該一或多個結構的光)的輸出。另外，該方法包括使用該輸出測量該一或多個結構之一或多個特徵。
简体摘要：本发明提供用于高纵横比及大横向尺寸结构之各种测量系统及方法。一种方法包括将光定向至于晶圆上形成的一或多个结构。该光包括紫外光、可见光及红外光。该一或多个结构包括至少一个高纵横比结构或至少一个大横向尺寸结构。该方法亦包括生成响应于来自该一或多个结构的光(源自定向至该一或多个结构的光)的输出。另外，该方法包括使用该输出测量该一或多个结构之一或多个特征。

9. 发明专利

TW201810477A 同時多重角度光譜审中-公开
简体标题：同时多重角度光谱
公开(公告)号：TW201810477A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106119204
申请日：2017-06-09
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：克里許南桑卡 , KRISHNAN, SHANKAR , 布特納爾亞歷山德爾 , BUETTNER, ALEXANDER , 普魯克克里絲汀 , PURRUCKER, KERSTIN , 王大衛 Y , WANG, DAVID Y.
IPC分类号： H01L21/66 , G01J3/02
CPC分类号： G01J3/189 , G01J3/0289 , G01J3/10 , G01J3/2803 , G01N21/255 , G01N21/27 , G01N33/00 , G01N2033/0095
摘要：本文呈現用於在入射角(AOI)、方位角或兩者之一寬範圍內執行半導體結構之同時光譜量測的方法及系統。在不同感測器區域上方依高通量同時量測包含入射角、方位角或兩者之兩個或兩個以上子範圍的光譜。根據AOI、方位角或兩者之各子範圍之波長來跨一或多個偵測器之不同光敏區域線性分散收集光。各不同光敏區域配置於該一或多個偵測器上以對AOI、方位角或兩者之各不同範圍執行一單獨光譜量測。依此方式，依高信雜比同時偵測AOI、方位角或兩者之一寬範圍。此方法實現依高通量、高精確度及高準確性來高通量量測高縱橫比結構。
简体摘要：本文呈现用于在入射角(AOI)、方位角或两者之一宽范围内运行半导体结构之同时光谱量测的方法及系统。在不同传感器区域上方依高通量同时量测包含入射角、方位角或两者之两个或两个以上子范围的光谱。根据AOI、方位角或两者之各子范围之波长来跨一或多个侦测器之不同光敏区域线性分散收集光。各不同光敏区域配置于该一或多个侦测器上以对AOI、方位角或两者之各不同范围运行一单独光谱量测。依此方式，依高信杂比同时侦测AOI、方位角或两者之一宽范围。此方法实现依高通量、高精确度及高准确性来高通量量测高纵横比结构。

10. 发明专利

TW201740094A 以毛細管冷凝法量測半導體結構审中-公开
简体标题：以毛细管冷凝法量测半导体结构
公开(公告)号：TW201740094A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106114513
申请日：2017-05-02
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：克里許南桑卡 , KRISHNAN, SHANKAR
IPC分类号： G01N21/13 , G01N1/22 , G01N21/31
CPC分类号： G01B11/02 , G01B2210/56 , G01N1/28 , G01N21/255 , G01N21/64 , G03F7/00 , G03F7/70616
摘要：本文提出用於執行藉由一毛細管冷凝法製程而填充之幾何結構的光學量測的方法及系統。當使用包含一經控制量之填充材料之淨化氣體之一流動來處理該等被量測結構時，執行量測。該填充材料的一部分冷凝至該等被量測結構上，且填充該等結構特徵中之開口、結構特徵之間的空間、小體積(諸如，凹口、溝槽、狹縫、接觸孔等)。基於該待填充之最大特徵大小來調整該氣體流動中之汽化材料之該飽和度。在一些實例中，當一結構係未填充的及當藉由毛細管冷凝法來填充該結構時，收集量測資料，諸如光譜資料或影像資料。使該經收集資料組合，以改良量測效能。
简体摘要：本文提出用于运行借由一毛细管冷凝法制程而填充之几何结构的光学量测的方法及系统。当使用包含一经控制量之填充材料之净化气体之一流动来处理该等被量测结构时，运行量测。该填充材料的一部分冷凝至该等被量测结构上，且填充该等结构特征中之开口、结构特征之间的空间、小体积(诸如，凹口、沟槽、狭缝、接触孔等)。基于该待填充之最大特征大小来调整该气体流动中之汽化材料之该饱和度。在一些实例中，当一结构系未填充的及当借由毛细管冷凝法来填充该结构时，收集量测数据，诸如光谱数据或影像数据。使该经收集数据组合，以改良量测性能。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式