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1. 发明专利

TWI683997B 用於在檢測工具上之動態看護區域產生的系統及方法有权
简体标题：用于在检测工具上之动态看护区域产生的系统及方法
公开(公告)号：TWI683997B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW105116916
申请日：2016-05-30
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：瑞瑪錢德倫維賈亞柯馬 , RAMACHANDRAN, VIJAYAKUMAR , 珊娜帕拉拉維庫瑪 , SANAPALA, RAVIKUMAR , 亞納桑維狄亞薩吉爾 , ANANTHA, VIDYASAGAR , 米梭爾菲利普 , MEASOR, PHILIP , 馬尼帕里拉傑希 , MANEPALLI, RAJESH , 方晶 , FANG, JUNG
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/956 , G01M11/02

2. 发明专利

TW201835675A 用於測量三維半導體晶圓上之掩埋缺陷之三維校準結構及方法审中-公开
简体标题：用于测量三维半导体晶圆上之掩埋缺陷之三维校准结构及方法
公开(公告)号：TW201835675A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107103792
申请日：2018-02-02
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：米梭爾菲利普 , MEASOR, PHILIP , 達納羅伯特 M , DANEN, ROBERT M.
IPC分类号： G03F1/42 , G01R31/26
摘要：本發明揭示一種用於測量一半導體裝置上之掩埋缺陷之三維校準結構。該三維校準結構包含具有一或多個程式化表面缺陷之一缺陷標準晶圓(DSW)。該三維校準結構包含沈積於該DSW上之一平坦化層。該三維校準結構包含沈積於該平坦化層上之一層堆疊。該層堆疊包含兩個或更多個交替層。該三維校準結構包含沈積於該層堆疊上之一罩蓋層。在沈積該罩蓋層之後，在該層堆疊中形成一或多個氣隙。該三維校準結構包含形成至該罩蓋層、該層堆疊或該平坦化層之至少一者中之一或多個孔。
简体摘要：本发明揭示一种用于测量一半导体设备上之掩埋缺陷之三维校准结构。该三维校准结构包含具有一或多个进程化表面缺陷之一缺陷标准晶圆(DSW)。该三维校准结构包含沉积于该DSW上之一平坦化层。该三维校准结构包含沉积于该平坦化层上之一层堆栈。该层堆栈包含两个或更多个交替层。该三维校准结构包含沉积于该层堆栈上之一罩盖层。在沉积该罩盖层之后，在该层堆栈中形成一或多个气隙。该三维校准结构包含形成至该罩盖层、该层堆栈或该平坦化层之至少一者中之一或多个孔。

3. 发明专利

TW201833539A 用於三維半導體結構之檢驗之缺陷發現及變因最佳化审中-公开
简体标题：用于三维半导体结构之检验之缺陷发现及变因最优化
公开(公告)号：TW201833539A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106141985
申请日：2017-11-30
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：巴哈特阿恰亞桑透許 , BHATTACHARYYA, SANTOSH , 夏瑪迪發希 , SHARMA, DEVASHISH , 馬希爾克里斯多夫 , MAHER, CHRISTOPHER , 華波 , HUA, BO , 米梭爾菲利普 , MEASOR, PHILIP , 達納羅伯特 M , DANEN, ROBERT M.
IPC分类号： G01N21/95 , G01N23/04 , G01R31/28 , G06T7/00
摘要：本文中闡述用於發現掩埋於三維半導體結構內之受關注缺陷(DOI)及將變因最佳化的方法及系統。藉由儲存與受量測之該等半導體結構之總深度之一子組相關聯之影像而減小經受缺陷發現及驗證之一半導體晶圓之體積。記錄與一或多個焦平面或聚焦範圍處之缺陷位置相關聯之影像片塊。基於以下各項中之任一者而減少所考量光學模式之數目：一或多個所量測晶圓級缺陷圖徵與一或多個預期晶圓級缺陷圖徵之一比較、所量測之缺陷信雜比及無需還原處理而驗證之缺陷。此外，採用經驗證缺陷及所記錄影像來訓練一擾亂篩選程式且將量測變因最佳化。將該所訓練擾亂篩選程式應用於缺陷影像以選擇最佳光學模式來用於生產。
简体摘要：本文中阐述用于发现掩埋于三维半导体结构内之受关注缺陷(DOI)及将变因最优化的方法及系统。借由存储与受量测之该等半导体结构之总深度之一子组相关联之影像而减小经受缺陷发现及验证之一半导体晶圆之体积。记录与一或多个焦平面或聚焦范围处之缺陷位置相关联之影像片块。基于以下各项中之任一者而减少所考量光学模式之数目：一或多个所量测晶圆级缺陷图征与一或多个预期晶圆级缺陷图征之一比较、所量测之缺陷信杂比及无需还原处理而验证之缺陷。此外，采用经验证缺陷及所记录像像来训练一扰乱筛选进程且将量测变因最优化。将该所训练扰乱筛选进程应用于缺陷影像以选择最佳光学模式来用于生产。

4. 发明专利

TW201819896A 用於半導體晶圓檢查之三維成像审中-公开
简体标题：用于半导体晶圆检查之三维成像
公开(公告)号：TW201819896A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106134442
申请日：2017-10-06
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：柯勤派維爾 , KOLCHIN, PAVEL , 達納羅伯特 M , DANEN, ROBERT M. , 米梭爾菲利普 , MEASOR, PHILIP
IPC分类号： G01N21/88 , G06T7/593
摘要：本文中描述用於基於三維影像之半導體晶圓上之所關注缺陷(DOI)之改良偵測與分類的方法及系統。厚分層結構之體積的三維成像以高處理量實現在三個維度中之精確缺陷偵測及缺陷位置的估計。在數個不同晶圓深度處獲取一系列影像。自該系列影像產生一厚半導體結構之一三維影像。基於該厚半導體結構之該三維影像之一分析來對缺陷進行識別及分類。在一些實例中，藉由等高線圖或橫截面圖來視覺化三維影像堆疊以識別一特性缺陷回應。在一些實例中，以演算法方式處理該三維影像以對缺陷進行識別及分類。在另一態樣中，基於該三維影像，在三個維度中估計一缺陷之位置。
简体摘要：本文中描述用于基于三维影像之半导体晶圆上之所关注缺陷(DOI)之改良侦测与分类的方法及系统。厚分层结构之体积的三维成像以高处理量实现在三个维度中之精确缺陷侦测及缺陷位置的估计。在数个不同晶圆深度处获取一系列影像。自该系列影像产生一厚半导体结构之一三维影像。基于该厚半导体结构之该三维影像之一分析来对缺陷进行识别及分类。在一些实例中，借由等高线图或横截面图来可视化三维影像堆栈以识别一特性缺陷回应。在一些实例中，以算法方式处理该三维影像以对缺陷进行识别及分类。在另一态样中，基于该三维影像，在三个维度中估计一缺陷之位置。

5. 发明专利

TW201812328A 用於缺陷檢測放大之反向裝飾审中-公开
简体标题：用于缺陷检测放大之反向装饰
公开(公告)号：TW201812328A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106124256
申请日：2017-07-20
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：米梭爾菲利普 , MEASOR, PHILIP , 達納羅伯特 , DANEN, ROBERT , 麥當勞保羅 , MACDONALD, PAUL
IPC分类号： G01R31/28 , H01L21/306 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/22 , G01R31/2898 , H01L21/30608 , H01L21/30625
摘要：反向裝飾可用來檢測一裝置中之缺陷。晶圓可包含NAND堆疊或其他裝置。該缺陷可為一通道橋、一空隙或其他類型之缺陷。反向裝飾可保留一缺陷及/或可改良缺陷檢測。可自一裝置移除一層之一部分。亦可將一層添加至該裝置，諸如添加於該缺陷上，且可移除該層之部分。
简体摘要：反向装饰可用来检测一设备中之缺陷。晶圆可包含NAND堆栈或其他设备。该缺陷可为一信道桥、一空隙或其他类型之缺陷。反向装饰可保留一缺陷及/或可改良缺陷检测。可自一设备移除一层之一部分。亦可将一层添加至该设备，诸如添加于该缺陷上，且可移除该层之部分。

6. 发明专利

TW201706590A 用於在檢測工具上之動態看護區域產生的系統及方法审中-公开
简体标题：用于在检测工具上之动态看护区域产生的系统及方法
公开(公告)号：TW201706590A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105116916
申请日：2016-05-30
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：瑞瑪錢德倫維賈亞柯馬 , RAMACHANDRAN, VIJAYAKUMAR , 珊娜帕拉拉維庫瑪 , SANAPALA, RAVIKUMAR , 亞納桑維狄亞薩吉爾 , ANANTHA, VIDYASAGAR , 米梭爾菲利普 , MEASOR, PHILIP , 馬尼帕里拉傑希 , MANEPALLI, RAJESH , 方晶 , FANG, JUNG
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/956 , G01M11/02
摘要：本發明揭示一種缺陷檢測系統，其包含一檢測子系統及通信耦合至偵測器之一控制器。該檢測子系統包含：一照明源，其經組態以產生一照明束；一組照明光學器件，其用以將該照明束引導至一樣本；及一偵測器，其經組態以收集從該樣本發出之照明。該控制器包含一記憶體裝置及經組態以執行程式指令之一或多個處理器。該控制器經組態以：判定對應於該樣本上之一或多個特徵之一或多個目標圖案；基於該一或多個目標圖案及儲存在該控制器之該記憶體裝置內之該樣本之設計資料而界定該樣本上之一或多個看護區域；及基於藉由該偵測器收集之該照明而識別該樣本之該一或多個看護區域內之一或多個缺陷。
简体摘要：本发明揭示一种缺陷检测系统，其包含一检测子系统及通信耦合至侦测器之一控制器。该检测子系统包含：一照明源，其经组态以产生一照明束；一组照明光学器件，其用以将该照明束引导至一样本；及一侦测器，其经组态以收集从该样本发出之照明。该控制器包含一内存设备及经组态以运行进程指令之一或多个处理器。该控制器经组态以：判定对应于该样本上之一或多个特征之一或多个目标图案；基于该一或多个目标图案及存储在该控制器之该内存设备内之该样本之设计数据而界定该样本上之一或多个看护区域；及基于借由该侦测器收集之该照明而识别该样本之该一或多个看护区域内之一或多个缺陷。

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