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1. 发明专利

TWI638993B 具有包括可重複使用之子結構的半導體裝置模型之度量衡系統有权
简体标题：具有包括可重复使用之子结构的半导体设备模型之度量衡系统
公开(公告)号：TWI638993B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW104101371
申请日：2015-01-15
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：伊羅瑞塔強納森 , ILORETA, JONATHAN , 拉芬馬修A , LAFFIN, MATTHEW A. , 波斯拉夫斯基李奧尼多 , POSLAVSKY, LEONID , 凱克托斯頓 , KAACK, TORSTEN , 趙寬 , ZHAO, QIANG , 李列泉 , LEE, LIE-QUAN
IPC分类号： G01N21/95 , G05B17/02

2. 发明专利

TWI569344B 用於以頻譜匹配為基礎之校正之檢驗方法、非暫時性電腦可讀媒體及檢驗系統有权
简体标题：用于以频谱匹配为基础之校正之检验方法、非暂时性电脑可读媒体及检验系统
公开(公告)号：TWI569344B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW101143536
申请日：2012-11-21
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：闊克希東 , KWAK, HIDONG , 江志明 , JIANG, ZHIMING , 迪森華德亞戴爾 , DIXON, WARD RDELL , 詹姆士肯尼斯愛得華二世 , JAMES, KENNETH EDWARD, JR. , 波斯拉夫斯基李奧尼多 , POSLAVSKY, LEONID , 凱克托斯頓 , KAACK, TORSTEN
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/02
CPC分类号： G01N21/274 , G01N21/211 , G03F7/70608

3. 发明专利

TW201531694A 包括可重複使用之子結構的半導體裝置模型审中-公开
简体标题：包括可重复使用之子结构的半导体设备模型
公开(公告)号：TW201531694A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW104101371
申请日：2015-01-15
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：伊羅瑞塔強納森 , ILORETA, JONATHAN , 拉芬馬修A , LAFFIN, MATTHEW A. , 波斯拉夫斯基李奧尼多 , POSLAVSKY, LEONID , 凱克托斯頓 , KAACK, TORSTEN , 趙寬 , ZHAO, QIANG , 李列泉 , LEE, LIE-QUAN
IPC分类号： G01N21/95 , G05B17/02
CPC分类号： H01L22/12
摘要：本發明提出用於基於可重複使用之參數模型產生複雜裝置結構之量測模型的方法及工具。採用此等模型之度量衡系統經組態以量測與不同半導體製程相關聯的結構及材料特性。該可重複使用之參數子結構模型係藉由模型建置工具之一使用者輸入之一組獨立參數來完全定義。與模型形狀及構成之幾何結構元件中之內部約束條件相關聯的全部其他變量係在該模型內予以預定義。在一些實施例中，一或多個可重複使用之參數模型經整合至一複雜半導體裝置之一量測模型中。在另一態樣中，一模型建置工具基於來自一使用者之輸入產生一可重複使用之參數子結構模型。該等所得模型可匯出至可由其他使用者使用之一檔案，且可包括安全性特徵以控制與特定使用者共用敏感智慧財產。
简体摘要：本发明提出用于基于可重复使用之参数模型产生复杂设备结构之量测模型的方法及工具。采用此等模型之度量衡系统经组态以量测与不同半导体制程相关联的结构及材料特性。该可重复使用之参数子结构模型系借由模型建置工具之一用户输入之一组独立参数来完全定义。与模型形状及构成之几何结构组件中之内部约束条件相关联的全部其他变量系在该模型内予以预定义。在一些实施例中，一或多个可重复使用之参数模型经集成至一复杂半导体设备之一量测模型中。在另一态样中，一模型建置工具基于来自一用户之输入产生一可重复使用之参数子结构模型。该等所得模型可导出至可由其他用户使用之一文档，且可包括安全性特征以控制与特定用户共享敏感智能财产。

4. 发明专利

TW201307825A 用於薄膜之組成量測审中-公开
简体标题：用于薄膜之组成量测
公开(公告)号：TW201307825A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101123067
申请日：2012-06-27
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：狄明 , DI, MING , 凱克托斯頓 , KAACK, TORSTEN , 趙寬 , ZHAO, QIANG , 高翔 , GAO, XIANG , 波斯拉夫斯基李奧尼多 , POSLAVSKY, LEONID
IPC分类号： G01N21/21
CPC分类号： G01N21/211 , G01N21/8422 , G01N2021/213
摘要：本發明包含：針對複數個半導體晶圓產生一個三維實驗設計(DOE)，該DOE中之一第一維度係薄膜之一第一組分之一相對量，該DOE之一第二維度係該薄膜之一第二組分之一相對量，該DOE之一第三維度係該薄膜之一厚度；獲得該等晶圓之各者之一光譜；藉由推導所獲得之光譜之各者之複折射率之一實分量(n)及一虛分量(k)而產生一組光學色散資料；識別該組光學色散資料之一或多個系統性特徵；及使用該組光學色散資料之該經識別之一或多個系統性特徵而產生一個多分量布魯格曼(Bruggeman)有效中值近似(BEMA)模型。
简体摘要：本发明包含：针对复数个半导体晶圆产生一个三维实验设计(DOE)，该DOE中之一第一维度系薄膜之一第一组分之一相对量，该DOE之一第二维度系该薄膜之一第二组分之一相对量，该DOE之一第三维度系该薄膜之一厚度；获得该等晶圆之各者之一光谱；借由推导所获得之光谱之各者之复折射率之一实分量(n)及一虚分量(k)而产生一组光学色散数据；识别该组光学色散数据之一或多个系统性特征；及使用该组光学色散数据之该经识别之一或多个系统性特征而产生一个多分量布鲁格曼(Bruggeman)有效中值近似(BEMA)模型。

5. 发明专利

TWI559421B 高生產率薄膜特性分析及缺陷偵測有权
简体标题：高生产率薄膜特性分析及缺陷侦测
公开(公告)号：TWI559421B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW101135675
申请日：2012-09-27
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：高翔 , GAO, XIANG , 伏蘭納菲利浦D 三世 , FLANNER, PHILIP D., III , 波斯拉夫斯基李奧尼多 , POSLAVSKY, LEONID , 江志明 , JIANG, ZHIMING , 葉俊杰 , YE, JUN-JIE JULIEN , 凱克托斯頓 , KAACK, TORSTEN , 趙寬 , ZHAO, QIANG
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/31
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/211 , G01N21/8422 , G01N21/8851 , H01L22/12

6. 发明专利

TW201308493A 以局部清除控制大氣分子汙染审中-公开
简体标题：以局部清除控制大气分子污染
公开(公告)号：TW201308493A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101124088
申请日：2012-07-04
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：闊克希東 , KWAK, HIDONG , 迪森華德 , DIXON, WARD , 凱克托斯頓 , KAACK, TORSTEN , 王明義尼爾 , WANG, NING-YI NEIL , 珊瑚傑吉特 , SANDHU, JAGJIT
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/55 , B08B5/02 , G01B11/06 , G01B11/0641 , G01B2210/56 , G01N21/21 , H01L21/67017 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種利用清除氣體清除一晶圓之一表面之一部分的局部清除工具。該清除工具包含：一清除室，其經組態以將清除氣體包含於該清除室之一腔內；該清除室之一表面之一可透氣部分，該可透氣部分經組態以使清除氣體從該室之該腔擴散至一晶圓之一表面之一部分；及一孔隙，其經組態以將從一照明源接收之照明傳輸至該晶圓之該表面之該部分的一量測位置且經進一步組態以將從該量測位置反射之照明傳輸至一偵測器。
简体摘要：本发明揭示一种利用清除气体清除一晶圆之一表面之一部分的局部清除工具。该清除工具包含：一清除室，其经组态以将清除气体包含于该清除室之一腔内；该清除室之一表面之一可透气部分，该可透气部分经组态以使清除气体从该室之该腔扩散至一晶圆之一表面之一部分；及一孔隙，其经组态以将从一照明源接收之照明传输至该晶圆之该表面之该部分的一量测位置且经进一步组态以将从该量测位置反射之照明传输至一侦测器。

7. 发明专利

TWI582404B 用於薄膜之組成量測有权
简体标题：用于薄膜之组成量测
公开(公告)号：TWI582404B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW101123067
申请日：2012-06-27
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：狄明 , DI, MING , 凱克托斯頓 , KAACK, TORSTEN , 趙寬 , ZHAO, QIANG , 高翔 , GAO, XIANG , 波斯拉夫斯基李奧尼多 , POSLAVSKY, LEONID
IPC分类号： G01N21/21
CPC分类号： G01N21/211 , G01N21/8422 , G01N2021/213

8. 发明专利

TWI555108B 以局部清除控制大氣分子汙染有权
简体标题：以局部清除控制大气分子污染
公开(公告)号：TWI555108B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW101124088
申请日：2012-07-04
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：闊克希東 , KWAK, HIDONG , 迪森華德 , DIXON, WARD , 凱克托斯頓 , KAACK, TORSTEN , 王明義尼爾 , WANG, NING-YI NEIL , 珊瑚傑吉特 , SANDHU, JAGJIT
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/55 , B08B5/02 , G01B11/06 , G01B11/0641 , G01B2210/56 , G01N21/21 , H01L21/67017 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

9. 发明专利

TW201330134A 以頻譜匹配為基礎之校正审中-公开
简体标题：以频谱匹配为基础之校正
公开(公告)号：TW201330134A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101143536
申请日：2012-11-21
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：闊克希東 , KWAK, HIDONG , 江志明 , JIANG, ZHIMING , 迪森華德亞戴爾 , DIXON, WARD RDELL , 詹姆士肯尼斯愛得華二世 , JAMES, KENNETH EDWARD, JR. , 波斯拉夫斯基李奧尼多 , POSLAVSKY, LEONID , 凱克托斯頓 , KAACK, TORSTEN
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/02
CPC分类号： G01N21/274 , G01N21/211 , G03F7/70608
摘要：本發明呈現用於校正一目標檢驗系統之系統參數值之方法及系統。以頻譜誤差為基礎之校正(SEBC)藉由對於一給定樣本或一組樣本最小化不同的檢驗系統之間的頻譜誤差之差增加檢驗系統之間的一致性。該等系統參數值經判定使得與藉由該目標檢驗系統之一樣本之一量測相關聯之一頻譜誤差及與藉由一參考檢驗系統之相同的樣本之一量測相關聯之一頻譜誤差之間之差得以最小化。在一些實例中，在不修改樣本參數之情況下校正系統參數值。因為該目標系統及該參考系統二者量測相同的樣本或一組樣本，故樣本參數值之小偏差對該校正影響微小。藉由對一組樣本執行SEBC，對受測試之一廣泛範圍的樣本之所得校正係穩健的。
简体摘要：本发明呈现用于校正一目标检验系统之系统参数值之方法及系统。以频谱误差为基础之校正(SEBC)借由对于一给定样本或一组样本最小化不同的检验系统之间的频谱误差之差增加检验系统之间的一致性。该等系统参数值经判定使得与借由该目标检验系统之一样本之一量测相关联之一频谱误差及与借由一参考检验系统之相同的样本之一量测相关联之一频谱误差之间之差得以最小化。在一些实例中，在不修改样本参数之情况下校正系统参数值。因为该目标系统及该参考系统二者量测相同的样本或一组样本，故样本参数值之小偏差对该校正影响微小。借由对一组样本运行SEBC，对受测试之一广泛范围的样本之所得校正系稳健的。

10. 发明专利

TW201322352A 高生產率薄膜特性分析及缺陷偵測审中-公开
简体标题：高生产率薄膜特性分析及缺陷侦测
公开(公告)号：TW201322352A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101135675
申请日：2012-09-27
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：高翔 , GAO, XIANG , 伏蘭納菲利浦D 三世 , FLANNER, PHILIP D., III , 波斯拉夫斯基李奧尼多 , POSLAVSKY, LEONID , 江志明 , JIANG, ZHIMING , 葉俊杰 , YE, JUN-JIE JULIEN , 凱克托斯頓 , KAACK, TORSTEN , 趙寬 , ZHAO, QIANG
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/31
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/211 , G01N21/8422 , G01N21/8851 , H01L22/12
摘要：本發明呈現用於基於光譜回應資料決定沈積於一基板之上之高k介電膜之帶結構特性的方法及系統。利用高生產率分光計以在製造程序早期快速量測半導體晶圓。基於光譜資料決定光學色散度量。基於光學色散度量值決定帶結構特性，諸如帶隙、帶邊緣及缺陷。在一些實施例中，藉由色散度量值之曲線擬合及內插決定一帶結構特性。在一些其他實施例中，藉由一所選色散模型之回歸決定帶結構特性。在一些實例中，亦決定指示高k介電膜之帶加寬的帶結構特性。基於在該製造程序早期識別之該帶結構特性估計已完成晶圓之電效能。
简体摘要：本发明呈现用于基于光谱回应数据决定沉积于一基板之上之高k介电膜之带结构特性的方法及系统。利用高生产率分光计以在制造进程早期快速量测半导体晶圆。基于光谱数据决定光学色散度量。基于光学色散度量值决定带结构特性，诸如带隙、带边缘及缺陷。在一些实施例中，借由色散度量值之曲线拟合及内插决定一带结构特性。在一些其他实施例中，借由一所选色散模型之回归决定带结构特性。在一些实例中，亦决定指示高k介电膜之带加宽的带结构特性。基于在该制造进程早期识别之该带结构特性估计已完成晶圆之电性能。

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