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1. 发明专利

TWI681546B 反及記憶體陣列，包括半導體通道材料及氮的裝置及形成反及記憶體陣列的方法有权
简体标题：反及内存数组，包括半导体信道材料及氮的设备及形成反及内存数组的方法
公开(公告)号：TWI681546B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107122930
申请日：2018-07-03
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡森克里斯 M , CARLSON, CHRIS M. , 劉鴻威 , LIU, HUNG-WEI , 李傑 , LI, JIE , 帕夫洛普洛斯迪米崔歐斯 , PAVLOPOULOS, DIMITRIOS
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11543 , H01L21/20

2. 发明专利

TWI663713B 記憶體單元及整合式結構有权
简体标题：内存单元及集成式结构
公开(公告)号：TWI663713B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW107108545
申请日：2018-03-14
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡森克里斯 M , CARLSON, CHRIS M.
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11568 , H01L27/1157

3. 发明专利

TW201921652A 對阻隔區具有屏障之電荷捕獲結構审中-公开
简体标题：对阻隔区具有屏障之电荷捕获结构
公开(公告)号：TW201921652A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107127922
申请日：2018-08-10
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡森克里斯 M , CARLSON, CHRIS M.
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L29/792
摘要：本文中所揭示之各種實施例包括具有電荷捕獲結構的方法及設備，其中每一電荷捕獲結構包括在該電荷捕獲結構之一閘極與一電荷捕獲區上之一阻隔介電質之間的一介電質屏障。在各種實施例中，該等電荷捕獲結構中的每一者的該介電質屏障的材料可具有比氧化鋁之介電常數大的一介電常數。揭示了額外的設備、系統及方法。
简体摘要：本文中所揭示之各种实施例包括具有电荷捕获结构的方法及设备，其中每一电荷捕获结构包括在该电荷捕获结构之一闸极与一电荷捕获区上之一阻隔介电质之间的一介电质屏障。在各种实施例中，该等电荷捕获结构中的每一者的该介电质屏障的材料可具有比氧化铝之介电常数大的一介电常数。揭示了额外的设备、系统及方法。

4. 发明专利

TW201921654A 用於電荷捕獲結構之孔隙形成审中-公开
简体标题：用于电荷捕获结构之孔隙形成
公开(公告)号：TW201921654A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107127992
申请日：2018-08-10
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡森克里斯 M , CARLSON, CHRIS M.
IPC分类号： H01L27/11582
摘要：各種實施例包括具有多個電荷捕獲結構之方法及設備，其中每一電荷捕獲結構包括在一閘極與一阻隔介電質區之間的一介電質屏障，該阻隔介電質區位於該電荷捕獲結構之一電荷捕獲區上。該閘極之至少一部分可藉由一孔隙與其上直接安置有該電荷捕獲結構之一區分隔開。揭示了額外設備、系統及方法。
简体摘要：各种实施例包括具有多个电荷捕获结构之方法及设备，其中每一电荷捕获结构包括在一闸极与一阻隔介电质区之间的一介电质屏障，该阻隔介电质区位于该电荷捕获结构之一电荷捕获区上。该闸极之至少一部分可借由一孔隙与其上直接安置有该电荷捕获结构之一区分隔开。揭示了额外设备、系统及方法。

5. 发明专利

TW201921639A 包括控制閘極間之孔隙之記憶體裝置审中-公开
简体标题：包括控制闸极间之孔隙之内存设备
公开(公告)号：TW201921639A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107127913
申请日：2018-08-10
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡森克里斯 M , CARLSON, CHRIS M.
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11578
摘要：一些實施例包括設備及形成該等設備之方法。該等設備中之一者包括：一通道，其用以傳導電流，該通道包括一第一通道部分及一第二通道部分；一第一記憶體單元結構，其位於一第一閘極與該第一通道部分之間；一第二記憶體單元結構，其位於一第二閘極與該第二通道部分之間；及一孔隙，其位於該第一閘極與該第二閘極之間及該第一記憶體單元結構與該第二記憶體單元結構之間。
简体摘要：一些实施例包括设备及形成该等设备之方法。该等设备中之一者包括：一信道，其用以传导电流，该信道包括一第一信道部分及一第二信道部分；一第一内存单元结构，其位于一第一闸极与该第一信道部分之间；一第二内存单元结构，其位于一第二闸极与该第二信道部分之间；及一孔隙，其位于该第一闸极与该第二闸极之间及该第一内存单元结构与该第二内存单元结构之间。

6. 发明专利

TW201911581A 電荷捕獲結構之孔隙形成审中-公开
简体标题：电荷捕获结构之孔隙形成
公开(公告)号：TW201911581A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107127000
申请日：2018-08-03
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡森克里斯 M , CARLSON, CHRIS M. , 盧梭鄔勾 , RUSSO, UGO
IPC分类号： H01L29/792 , H01L21/76
摘要：電子設備及形成該電子設備之方法可包括供在各種電子系統及裝置中使用之一或多個電荷捕獲結構，其中每一電荷捕獲結構包括在該電荷捕獲結構之一電荷捕獲區上之一閘極與一阻隔介電質之間的一介電質屏障。在各種實施例中，一孔隙位於該電荷捕獲區與其上安置有該電荷捕獲結構之一區之間。在各種實施例中，使一電荷捕獲區與一電荷捕獲結構之一半導體柱分隔開的一隧道區可經配置使得該隧道區及該半導體柱為一孔隙之邊界。揭示了額外設備、系統及方法。
简体摘要：电子设备及形成该电子设备之方法可包括供在各种电子系统及设备中使用之一或多个电荷捕获结构，其中每一电荷捕获结构包括在该电荷捕获结构之一电荷捕获区上之一闸极与一阻隔介电质之间的一介电质屏障。在各种实施例中，一孔隙位于该电荷捕获区与其上安置有该电荷捕获结构之一区之间。在各种实施例中，使一电荷捕获区与一电荷捕获结构之一半导体柱分隔开的一隧道区可经配置使得该隧道区及该半导体柱为一孔隙之边界。揭示了额外设备、系统及方法。

7. 发明专利

TWI692855B 用於電荷捕獲結構之孔隙形成有权
简体标题：用于电荷捕获结构之孔隙形成
公开(公告)号：TWI692855B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW107127992
申请日：2018-08-10
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡森克里斯 M , CARLSON, CHRIS M.
IPC分类号： H01L27/11582

8. 发明专利

TWI691091B 電荷捕獲結構之孔隙形成有权
简体标题：电荷捕获结构之孔隙形成
公开(公告)号：TWI691091B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107127000
申请日：2018-08-03
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡森克里斯 M , CARLSON, CHRIS M. , 盧梭鄔勾 , RUSSO, UGO
IPC分类号： H01L29/792 , H01L21/76

9. 发明专利

TWI686922B 記憶體設備及其形成之方法有权
简体标题：内存设备及其形成之方法
公开(公告)号：TWI686922B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107127913
申请日：2018-08-10
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡森克里斯 M , CARLSON, CHRIS M.
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11578

10. 发明专利

TWI671889B 記憶胞、積體結構及記憶體陣列有权
简体标题：记忆胞、积体结构及内存数组
公开(公告)号：TWI671889B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW107101359
申请日：2018-01-15
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡森克里斯 M , CARLSON, CHRIS M. , 巴克蕾 M 傑瑞 , BARCLAY, M. JARED
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11548 , H01L27/1157 , H01L27/11575

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