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1. 发明专利

TWI665707B 多帶電粒子束的遮蔽裝置以及多帶電粒子束照射裝置有权
简体标题：多带电粒子束的屏蔽设备以及多带电粒子束照射设备
公开(公告)号：TWI665707B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW106114427
申请日：2017-05-02
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：東矢高尚 , TOUYA, TAKANAO , 松本裕史 , MATSUMOTO, HIROSHI , 小笠原宗博 , OGASAWARA, MUNEHIRO , 森田博文 , MORITA, HIROFUMI
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/147 , H01J37/30

2. 发明专利

TWI649786B 多重帶電粒子束描繪方法以及多重帶電粒子束描繪裝置有权
简体标题：多重带电粒子束描绘方法以及多重带电粒子束描绘设备
公开(公告)号：TWI649786B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW105142115
申请日：2016-12-20
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：森田博文 , MORITA, HIROFUMI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/305

3. 发明专利

TWI684831B 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束調整方法有权
简体标题：多带电粒子束描绘设备及多带电粒子束调整方法
公开(公告)号：TWI684831B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW107117146
申请日：2018-05-21
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：森田博文 , MORITA, HIROFUMI
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/147 , H01J37/10

4. 发明专利

TW202004821A 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法审中-公开
简体标题：带电粒子束描绘设备及带电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TW202004821A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108116502
申请日：2019-05-14
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：東矢高尚 , TOUYA, TAKANAO , 森田博文 , MORITA, HIROFUMI , 小笠原宗博 , OGASAWARA, MUNEHIRO
IPC分类号： H01J37/12 , H01J37/145 , H01J37/147
摘要：本發明有關帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法。本實施形態之帶電粒子束描繪裝置，具備：放出部，放出帶電粒子束；及第1孔徑，將前述帶電粒子束成形；及照明透鏡，將前述帶電粒子束照明至前述第1孔徑；及第2孔徑，將穿透了前述第1孔徑之帶電粒子束成形；及投影透鏡，將穿透了前述第1孔徑之帶電粒子束投影至前述第2孔徑；及對物透鏡，為將穿透了前述第2孔徑之帶電粒子束的焦點予以對合之磁場型透鏡；及靜電透鏡，配合描繪對象的基板的表面高度而進行帶電粒子束的焦點修正。前述靜電透鏡配置於前述對物透鏡內，在該靜電透鏡的電極被施加正的電壓，在該電極的上端之該對物透鏡的磁場的強度成為規定值以下。
简体摘要：本发明有关带电粒子束描绘设备及带电粒子束描绘方法。本实施形态之带电粒子束描绘设备，具备：放出部，放出带电粒子束；及第1孔径，将前述带电粒子束成形；及照明透镜，将前述带电粒子束照明至前述第1孔径；及第2孔径，将穿透了前述第1孔径之带电粒子束成形；及投影透镜，将穿透了前述第1孔径之带电粒子束投影至前述第2孔径；及对物透镜，为将穿透了前述第2孔径之带电粒子束的焦点予以对合之磁场型透镜；及静电透镜，配合描绘对象的基板的表面高度而进行带电粒子束的焦点修正。前述静电透镜配置于前述对物透镜内，在该静电透镜的电极被施加正的电压，在该电极的上端之该对物透镜的磁场的强度成为规定值以下。

5. 发明专利

TW201903535A 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束調整方法审中-公开
简体标题：多带电粒子束描绘设备及多带电粒子束调整方法
公开(公告)号：TW201903535A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107117146
申请日：2018-05-21
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：森田博文 , MORITA, HIROFUMI
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/147 , H01J37/10
摘要：本發明的一態樣的多帶電粒子束描繪裝置包括：成形孔徑陣列，形成多束；遮蔽孔徑陣列，設有對多束的各束進行遮蔽偏轉的遮蔽器；阻擋孔徑，於錯開第3開口的位置將藉由所述遮蔽器而以成為束斷開的狀態的方式受到偏轉的束加以遮蔽，並使成為束接通的狀態的各束自第3開口通過；第1對準線圈，配置於遮蔽孔徑陣列與阻擋孔徑之間，進行束軌道的調整；接物透鏡，配置於阻擋孔徑與工作台之間；以及移動部，於阻擋孔徑的面內方向上對第3開口的位置進行移動。
简体摘要：本发明的一态样的多带电粒子束描绘设备包括：成形孔径数组，形成多束；屏蔽孔径数组，设有对多束的各束进行屏蔽偏转的屏蔽器；阻挡孔径，于错开第3开口的位置将借由所述屏蔽器而以成为束断开的状态的方式受到偏转的束加以屏蔽，并使成为束接通的状态的各束自第3开口通过；第1对准线圈，配置于屏蔽孔径数组与阻挡孔径之间，进行束轨道的调整；接物透镜，配置于阻挡孔径与工作台之间；以及移动部，于阻挡孔径的面内方向上对第3开口的位置进行移动。

6. 发明专利

TWI588859B 多重帶電粒子束用遮沒裝置及多重帶電粒子束描繪裝置有权
简体标题：多重带电粒子束用遮没设备及多重带电粒子束描绘设备
公开(公告)号：TWI588859B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW104127506
申请日：2015-08-24
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：松本裕史 , MATSUMOTO, HIROSHI , 森田博文 , MORITA, HIROFUMI
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/045 , H01J37/3177 , H01J2237/0437

7. 发明专利

TW201830150A 多射束光學系統的調整方法及多射束曝光裝置审中-公开
简体标题：多射束光学系统的调整方法及多射束曝光设备
公开(公告)号：TW201830150A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106134334
申请日：2017-10-05
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：小笠原宗博 , OGASAWARA, MUNEHIRO , 森田博文 , MORITA, HIROFUMI
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/09 , H01J37/317
摘要：本發明的一個態樣之多射束光學系統的調整方法，其特徵為，在成形孔徑陣列基板的包含複數個開口部全體之區域，接受帶電粒子束的照射，帶電粒子束的一部分分別通過複數個開口部，藉此形成多射束，一面將多射束的交叉點高度位置設為可變一面測定多射束的畸變，測定多射束的畸變會變得更小之多射束的交叉點高度位置，將限制多射束當中脫離軌道的射束通過之限制孔徑基板的高度位置，調整至交叉點高度位置。
简体摘要：本发明的一个态样之多射束光学系统的调整方法，其特征为，在成形孔径数组基板的包含复数个开口部全体之区域，接受带电粒子束的照射，带电粒子束的一部分分别通过复数个开口部，借此形成多射束，一面将多射束的交叉点高度位置设为可变一面测定多射束的畸变，测定多射束的畸变会变得更小之多射束的交叉点高度位置，将限制多射束当中脱离轨道的射束通过之限制孔径基板的高度位置，调整至交叉点高度位置。

8. 发明专利

TW201802857A 多帶電粒子束照射裝置、多帶電粒子束的照射方法及多帶電粒子束的調整方法审中-公开
简体标题：多带电粒子束照射设备、多带电粒子束的照射方法及多带电粒子束的调整方法
公开(公告)号：TW201802857A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106107826
申请日：2017-03-09
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：西村慎祐 , NISHIMURA, SHINSUKE , 小笠原宗博 , OGASAWARA, MUNEHIRO , 東矢高尚 , TOUYA, TAKANAO , 森田博文 , MORITA, HIROFUMI
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/141 , H01J37/147 , H01J37/153 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/153 , H01J37/045 , H01J37/141 , H01J37/1472 , H01J37/3007 , H01J37/3177 , H01J2237/0437 , H01J2237/0492 , H01J2237/153
摘要：本發明一態樣之多帶電粒子束照射裝置，其特徵為，具備：放出部，放出帶電粒子束；成形孔徑陣列基板，形成有複數個第1開口部，在包含複數個第1開口部全體之區域受到帶電粒子束的照射，帶電粒子束的一部分分別通過複數個第1開口部當中的相對應之第1開口部，藉此形成多射束並且將多射束成形；及複數段的透鏡，係以相較於最終段的透鏡所造成之多射束的縮小倍率而言最終段的回退側的至少1個透鏡所造成之多射束的縮小倍率會成為較大之方式配置，一面修正將多射束予以成形而成的多射束的孔徑像的成像變形，一面在最終段的透鏡與最終段的回退1個的透鏡之間的高度位置及試料面上將多射束的孔徑像予以成像。
简体摘要：本发明一态样之多带电粒子束照射设备，其特征为，具备：放出部，放出带电粒子束；成形孔径数组基板，形成有复数个第1开口部，在包含复数个第1开口部全体之区域受到带电粒子束的照射，带电粒子束的一部分分别通过复数个第1开口部当中的相对应之第1开口部，借此形成多射束并且将多射束成形；及复数段的透镜，系以相较于最终段的透镜所造成之多射束的缩小倍率而言最终段的回退侧的至少1个透镜所造成之多射束的缩小倍率会成为较大之方式配置，一面修正将多射束予以成形而成的多射束的孔径像的成像变形，一面在最终段的透镜与最终段的回退1个的透镜之间的高度位置及试料面上将多射束的孔径像予以成像。

9. 发明专利

TW201621960A 多重帶電粒子束用遮沒裝置及多重帶電粒子束描繪裝置审中-公开
简体标题：多重带电粒子束用遮没设备及多重带电粒子束描绘设备
公开(公告)号：TW201621960A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104127506
申请日：2015-08-24
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：松本裕史 , MATSUMOTO, HIROSHI , 森田博文 , MORITA, HIROFUMI
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/045 , H01J37/3177 , H01J2237/0437
摘要：本發明一態樣之多重帶電粒子束用遮沒裝置，其特徵為，具備：基板，形成有供多射束當中的各個相對應射束通過之貫通的複數個開口部；絕緣膜，形成於基板上；複數個第1電極，在絕緣膜上配置於和複數個開口部當中的各個相對應開口部相接之位置，且被施加第1偏向電位，以將多射束當中的各個相對應射束予以遮沒偏向；複數個第2電極，在絕緣膜上配置成和複數個第1電極當中各個相對應之第1電極隔著相對應開口部而相向，且被施加包括接地電位在內之第2偏向電位，以藉由與第1偏向電位之間的電位差將前述相對應射束予以偏向；導電膜，配置於絕緣膜上的第2區域，該第2區域是在從相對應射束通過相對應開口部之位置看來成為各個第1電極的影子之沿著第1電極的絕緣膜上的複數個第1區域以外；藉由絕緣膜和相對應開口部之組合，複數個第1電極與複數個第2電極之間被絕緣。
简体摘要：本发明一态样之多重带电粒子束用遮没设备，其特征为，具备：基板，形成有供多射束当中的各个相对应射束通过之贯通的复数个开口部；绝缘膜，形成于基板上；复数个第1电极，在绝缘膜上配置于和复数个开口部当中的各个相对应开口部相接之位置，且被施加第1偏向电位，以将多射束当中的各个相对应射束予以遮没偏向；复数个第2电极，在绝缘膜上配置成和复数个第1电极当中各个相对应之第1电极隔着相对应开口部而相向，且被施加包括接地电位在内之第2偏向电位，以借由与第1偏向电位之间的电位差将前述相对应射束予以偏向；导电膜，配置于绝缘膜上的第2区域，该第2区域是在从相对应射束通过相对应开口部之位置看来成为各个第1电极的影子之沿着第1电极的绝缘膜上的复数个第1区域以外；借由绝缘膜和相对应开口部之组合，复数个第1电极与复数个第2电极之间被绝缘。

10. 发明专利

TWI681434B 多帶電粒子束描繪裝置以及多帶電粒子束描繪方法有权
简体标题：多带电粒子束描绘设备以及多带电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TWI681434B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107117151
申请日：2018-05-21
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：森田博文 , MORITA, HIROFUMI , 飯塚修 , IIZUKA, OSAMU , 七尾翼 , NANAO, TSUBASA
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/28 , H01J37/317 , G03F7/20

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