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2. 发明专利

TW201232822A 發光裝置及其製造方法 LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：发光设备及其制造方法 LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201232822A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100137620
申请日：2011-10-18
申请人：納普拉有限公司
发明人：關根重信 , 關根由莉奈 , 桑名良治 , 上林和利
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要：提供一種可靠性高且容易製造的發光裝置及其製造方法。透明結晶基板2的一面是光射出面21,且發光元件1係積層在與透明結晶基板2的光射出面21為相反側的另一面22上。位於透明結晶基板側之N型半導體層31具有與P型半導體層32不重疊的部份33。N型半導體層31的第1半導體面電極51設置在不重疊的部份33的表面,P型半導體層32的第2半導體面電極52設置在與第1半導體面電極51同側的面上。發光元件1藉由絕緣層6覆蓋,絕緣層6上積層有支持基板9。通過絕緣層6而連接於第1及第2半導體面電極51、52之第1及第2縱導體71、72是與貫通支持基板9之第1及第2貫通電極94、95相連接。
简体摘要：提供一种可靠性高且容易制造的发光设备及其制造方法。透明结晶基板2的一面是光射出面21,且发光组件1系积层在与透明结晶基板2的光射出面21为相反侧的另一面22上。位于透明结晶基板侧之N型半导体层31具有与P型半导体层32不重叠的部份33。N型半导体层31的第1半导体面电极51设置在不重叠的部份33的表面,P型半导体层32的第2半导体面电极52设置在与第1半导体面电极51同侧的面上。发光组件1借由绝缘层6覆盖,绝缘层6上积层有支持基板9。通过绝缘层6而连接于第1及第2半导体面电极51、52之第1及第2纵导体71、72是与贯通支持基板9之第1及第2贯通电极94、95相连接。

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