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1. 发明专利

TWI575672B 晶片封裝體及其製造方法有权
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TWI575672B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW103127488
申请日：2014-08-11
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：林建名 , LIN, CHIENMIN , 黃郁庭 , HUANG, YUTING , 傅振寧 , FU, CHENNING , 何彥仕 , HO, YENSHIH
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/488
CPC分类号： B81B7/007 , B81C1/00182 , B81C1/00269 , B81C2201/0197 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201606948A 晶片封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201606948A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW103127488
申请日：2014-08-11
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：林建名 , LIN, CHIENMIN , 黃郁庭 , HUANG, YUTING , 傅振寧 , FU, CHENNING , 何彥仕 , HO, YENSHIH
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/488
CPC分类号： B81B7/007 , B81C1/00182 , B81C1/00269 , B81C2201/0197 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種晶片封裝體，包含半導體晶片、中介片、高分子黏著支撐層、重佈局線路以及封裝層。半導體晶片具有感應元件以及導電墊，導電墊電性連接感應元件。中介片配置於半導體晶片上方，中介片具有溝槽以及穿孔，其中溝槽暴露出部分感應元件，穿孔暴露出導電墊。高分子黏著支撐層夾設於半導體晶片與中介片之間。重佈局線路配置於中介片上方以及穿孔內以電性連接導電墊。封裝層覆蓋中介片以及重佈局線路，封裝層具有開口暴露出溝槽。
简体摘要：本发明提供一种芯片封装体，包含半导体芯片、中介片、高分子黏着支撑层、重布局线路以及封装层。半导体芯片具有感应组件以及导电垫，导电垫电性连接感应组件。中介片配置于半导体芯片上方，中介片具有沟槽以及穿孔，其中沟槽暴露出部分感应组件，穿孔暴露出导电垫。高分子黏着支撑层夹设于半导体芯片与中介片之间。重布局线路配置于中介片上方以及穿孔内以电性连接导电垫。封装层覆盖中介片以及重布局线路，封装层具有开口暴露出沟槽。

3. 发明专利

TW201532152A 晶片封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201532152A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW104104665
申请日：2015-02-12
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEX INC.
发明人：黃郁庭 , HUANG, YU TING , 傅振寧 , FU, CHEN NING
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：本發明揭露一種晶片封裝體的製造方法，包括提供一基底，其具有一第一表面及與其相對的一第二表面，且第一表面上具有一感測裝置。將一半導體基底接合至基底，使半導體基底的一第三表面面向基底的第一表面，其中半導體基底包括一第一開口，自第三表面朝與其相對的一第四表面延伸。一保護材料層填入第一開口。在半導體基底內形成自第四表面朝第一開口延伸的一第二開口，以暴露出保護材料層。本發明亦揭露一種晶片封裝體。
简体摘要：本发明揭露一种芯片封装体的制造方法，包括提供一基底，其具有一第一表面及与其相对的一第二表面，且第一表面上具有一传感设备。将一半导体基底接合至基底，使半导体基底的一第三表面面向基底的第一表面，其中半导体基底包括一第一开口，自第三表面朝与其相对的一第四表面延伸。一保护材料层填入第一开口。在半导体基底内形成自第四表面朝第一开口延伸的一第二开口，以暴露出保护材料层。本发明亦揭露一种芯片封装体。

4. 发明专利

TW201604970A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201604970A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103125123
申请日：2014-07-22
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEX INC.
发明人：何彥仕 , HO, YENSHIH , 傅振寧 , FU, CHENNING , 黃郁庭 , HUANG, YUTING , 林建名 , LIN, CHIENMIN
IPC分类号： H01L21/50 , H01L25/04
摘要：一種半導體結構包含第一晶圓、微機電裝置、第二晶圓與導電層。第一晶圓具有承載面。微機電裝置覆蓋部分承載面，且微機電裝置具有第一側面與接合面。接合面背對承載面且鄰接第一側面。第二晶圓覆蓋部分接合面，且第二晶圓具有第二側面與頂面。頂面背對接合面且鄰接第二側面。導電層位於頂面、第二側面、未被第二晶圓覆蓋之接合面、第一側面與未被微機電裝置覆蓋之承載面上。
简体摘要：一种半导体结构包含第一晶圆、微机电设备、第二晶圆与导电层。第一晶圆具有承载面。微机电设备覆盖部分承载面，且微机电设备具有第一侧面与接合面。接合面背对承载面且邻接第一侧面。第二晶圆覆盖部分接合面，且第二晶圆具有第二侧面与顶面。顶面背对接合面且邻接第二侧面。导电层位于顶面、第二侧面、未被第二晶圆覆盖之接合面、第一侧面与未被微机电设备覆盖之承载面上。

5. 发明专利

TWI549202B 晶片封裝體及其製造方法有权
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TWI549202B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW104104665
申请日：2015-02-12
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEX INC.
发明人：黃郁庭 , HUANG, YU TING , 傅振寧 , FU, CHEN NING
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/11

6. 发明专利

TW201533883A 晶片封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201533883A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103105782
申请日：2014-02-21
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEX INC.
发明人：樓百堯 , LOU, BAI YAO , 傅振寧 , FU, CHEN NING , 黃郁庭 , HUANG, YU TING , 林建名 , LIN, CHIEN MIN
IPC分类号： H01L25/04 , H01L21/76
摘要：本發明揭露一種晶片封裝體，包括一第一基底，其中第一基底的一表面上具有一感測裝置。一第二基底接合至第一基底的表面上，且包括一第一開口，暴露出感測裝置。一間隔層設置於第一基底與第二基底之間，且間隔層內包括一第一孔洞，與第一開口連通，以暴露出感測裝置。間隔層內更包括至少一曲折通道暴露出部分的第一基底及第二基底，且未與第一孔洞連通，其中曲折通道具有至少一開口端，自間隔層的一側壁向內延伸。本發明揭露一種晶片封裝體的製造方法。
简体摘要：本发明揭露一种芯片封装体，包括一第一基底，其中第一基底的一表面上具有一传感设备。一第二基底接合至第一基底的表面上，且包括一第一开口，暴露出传感设备。一间隔层设置于第一基底与第二基底之间，且间隔层内包括一第一孔洞，与第一开口连通，以暴露出传感设备。间隔层内更包括至少一曲折信道暴露出部分的第一基底及第二基底，且未与第一孔洞连通，其中曲折信道具有至少一开口端，自间隔层的一侧壁向内延伸。本发明揭露一种芯片封装体的制造方法。

7. 发明专利

TWI566307B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI566307B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW103125123
申请日：2014-07-22
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEX INC.
发明人：何彥仕 , HO, YENSHIH , 傅振寧 , FU, CHENNING , 黃郁庭 , HUANG, YUTING , 林建名 , LIN, CHIENMIN
IPC分类号： H01L21/50 , H01L25/04

8. 发明专利

TWI543333B 晶片封裝體及其製造方法有权
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TWI543333B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103105782
申请日：2014-02-21
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEX INC.
发明人：樓百堯 , LOU, BAI YAO , 傅振寧 , FU, CHEN NING , 黃郁庭 , HUANG, YU TING , 林建名 , LIN, CHIEN MIN
IPC分类号： H01L25/04 , H01L21/76

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