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1. 发明专利

TW465131B 矽膜之形成方法失效
简体标题：硅膜之形成方法
公开(公告)号：TW465131B
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：TW089105851
申请日：2000-03-29
申请人：精工愛普生股份有限公司 , JSR股份有限公司
发明人：下田達也 , 宮下悟 , 關俊一 , 古澤昌宏 , 湯田一夫 , 竹內安正 , 松木安生
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0242 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/02628 , H01L21/02675
摘要：本發明係有關將含有不含碳之環系矽烷化合物及/或以硼或磷變性之矽烷化合物的溶液塗佈於基板上，形成矽前驅體膜後，藉由熱及/或光處理轉變成半導體矽。如此與CVD法等之真空製程不同，可以低成本，簡單製得具有電子材料之良好特性的矽膜。
简体摘要：本发明系有关将含有不含碳之环系硅烷化合物及/或以硼或磷变性之硅烷化合物的溶液涂布于基板上，形成硅前驱体膜后，借由热及/或光处理转变成半导体硅。如此与CVD法等之真空制程不同，可以低成本，简单制得具有电子材料之良好特性的硅膜。

2. 发明专利

TW447143B 太陽電池之製造方法有权
简体标题：太阳电池之制造方法
公开(公告)号：TW447143B
公开(公告)日：2001-07-21
申请号：TW089105750
申请日：2000-03-29
申请人：精工愛普生股份有限公司 , JSR股份有限公司
发明人：古澤昌宏 , 關俊一 , 宮下悟 , 下田達也 , 湯田一夫 , 松木安生 , 竹內安正
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/202 , H01L31/046 , H01L31/077 , H01L31/1872 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明係有關製造具有在一對電極之間至少層積兩層以上之雜質濃度及/或種類不同之半導體薄膜之結構的太陽電池，其中至少一層之半導體薄膜之形成係由基板上塗佈含有矽化合物之液體之塗佈組成物，形成塗膜的步驟;接著將該塗膜進行熱處理及/或光處理形成矽膜的步驟所構成者。
简体摘要：本发明系有关制造具有在一对电极之间至少层积两层以上之杂质浓度及/或种类不同之半导体薄膜之结构的太阳电池，其中至少一层之半导体薄膜之形成系由基板上涂布含有硅化合物之液体之涂布组成物，形成涂膜的步骤;接着将该涂膜进行热处理及/或光处理形成硅膜的步骤所构成者。

3. 发明专利

TW457554B 矽膜之形成方法及噴墨用油墨組成物失效
简体标题：硅膜之形成方法及喷墨用油墨组成物
公开(公告)号：TW457554B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW089105850
申请日：2000-03-29
申请人：精工愛普生股份有限公司 , JSR股份有限公司
发明人：關俊一 , 下田達也 , 宮下悟 , 古澤昌宏 , 湯田一夫 , 松木安生 , 竹內安正
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
摘要：將含矽前驅體之油墨組成物l藉由噴墨頭2以選擇性吐出於基板之所定領域上，形成矽前驅體之圖型後，進行熱及/或光處理，將該矽前驅體轉變成非晶質狀之矽膜5或多結晶矽膜6。藉此在大面積上以省能源，且低成本得到矽膜圖型。
简体摘要：将含硅前驱体之油墨组成物l借由喷墨头2以选择性吐出于基板之所定领域上，形成硅前驱体之图型后，进行热及/或光处理，将该硅前驱体转变成非晶质状之硅膜5或多结晶硅膜6。借此在大面积上以省能源，且低成本得到硅膜图型。

4. 发明专利

TW200305575A 高級矽烷組成物及使用該組成物之矽膜的形成方法失效
简体标题：高级硅烷组成物及使用该组成物之硅膜的形成方法
公开(公告)号：TW200305575A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW092108956
申请日：2003-04-17
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION , JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：青木敬 , 古澤昌宏 , 松木安生 YASUO MATSUKI , 岩澤晴生 HARUO IWASAWA , 竹內安正
IPC分类号： C07F , H01L
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C09D183/16 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628
摘要：本發明係從在基板上塗佈時之可濕性，沸點及安全性之觀點，以提供一種含有分子量更大的高級矽烷化合物，特別是能容易地形成良質的矽膜之高級矽烷組成物，以及使用該組成物以形成優異的矽膜之方法作為課題者。詳言之，本發明係以提供一種高級矽烷組成物，其特徵為：含有藉由對具有光聚合性的矽烷化合物之溶液或具有光聚合性的液體狀之矽烷化合物照射紫外線以進行光聚合而成的高級矽烷化合物，藉以解決前述課題者。又，本發明提供一種矽膜之形成方法，其特徵為：將前述高級矽烷組成物塗佈在基板上。
简体摘要：本发明系从在基板上涂布时之可湿性，沸点及安全性之观点，以提供一种含有分子量更大的高级硅烷化合物，特别是能容易地形成良质的硅膜之高级硅烷组成物，以及使用该组成物以形成优异的硅膜之方法作为课题者。详言之，本发明系以提供一种高级硅烷组成物，其特征为：含有借由对具有光聚合性的硅烷化合物之溶液或具有光聚合性的液体状之硅烷化合物照射紫外线以进行光聚合而成的高级硅烷化合物，借以解决前述课题者。又，本发明提供一种硅膜之形成方法，其特征为：将前述高级硅烷组成物涂布在基板上。

5. 发明专利

TWI458384B 有機電子裝置用捕捉劑薄片及有機電子裝置有权
简体标题：有机电子设备用捕捉剂薄片及有机电子设备
公开(公告)号：TWI458384B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW096104307
申请日：2007-02-06
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：川田靖 , KAWATA, YASUSHI , 新井隆之 , ARAI, TAKAYUKI , 竹內安正 , TAKEUCHI, YASUMASA
IPC分类号： H05B33/04 , H01L51/50
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521

6. 发明专利

TW200307299A 導電膜形成組成物、導電膜及形成彼之方法 CONDUCTIVE FILM FORMING COMPOSITION, CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：导电膜形成组成物、导电膜及形成彼之方法 CONDUCTIVE FILM FORMING COMPOSITION, CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200307299A
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW092108692
申请日：2003-04-15
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION , 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA , 國際基盤材料研究所股份有限公司 INTERNATIONAL CENTER FOR MATERIALS RESEARCH
发明人：橫山泰明 , 松木安生 YASUO MATSUKI , 迫野郁夫 IKUO SAKONO , 小林和樹 , 竹內安正
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01L21/76838 , C23C18/08 , H01L21/288 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K3/105 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
摘要：提出一種導電膜形成組成物，其能夠以容易且不昂貴的方式形成適用於各式各樣電子裝置的配線或電極，使用此組成物形成膜之方法，藉此方法形成的導電膜，及包含此膜的配線或電極。一種包含胺化合物和氫化鋁之錯合物及有機溶劑的導電膜形成組成物施用於底質上，之後對其施以熱處理和／或照光，藉此將導電膜製成電極或配線。
简体摘要：提出一种导电膜形成组成物，其能够以容易且不昂贵的方式形成适用于各式各样电子设备的配线或电极，使用此组成物形成膜之方法，借此方法形成的导电膜，及包含此膜的配线或电极。一种包含胺化合物和氢化铝之错合物及有机溶剂的导电膜形成组成物施用于底质上，之后对其施以热处理和／或照光，借此将导电膜制成电极或配线。

7. 发明专利

TWI458383B 頂發射型有機ＥＬ裝置用捕捉劑及頂發射型有機ＥＬ裝置有权
简体标题：顶发射型有机ＥＬ设备用捕捉剂及顶发射型有机ＥＬ设备
公开(公告)号：TWI458383B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW096104301
申请日：2007-02-06
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：川田靖 , KAWATA, YASUSHI , 新井隆之 , ARAI, TAKAYUKI , 竹內安正 , TAKEUCHI, YASUMASA
IPC分类号： H05B33/04

8. 发明专利

TW562980B 液晶配向處理方法及液晶顯示元件有权
简体标题：液晶配向处理方法及液晶显示组件
公开(公告)号：TW562980B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW089125255
申请日：2000-11-28
申请人：通商產業省工業技術院 , 新能源產業技術總合開發機構 , JSR股份有限公司
发明人：大村雅之 , 橫山治 , 中田正一 , 熊野厚司 , 槙田穰 , 松木安生 , 竹內安正
IPC分类号： G02F
摘要：本發明係提供一種於開燈顯示時無顯示品質不良或 TFT元件破壞之液晶顯示元件，其無需經摩擦液晶配向處理，於未接觸下即能使配向膜具有液晶顯示元件所需液晶配向控制能之液晶配向處理方法及，具備有所得液晶配向膜的基板。本發明又提供一種以光照射基板上所形成之液晶配向膜時，能賦予液晶配向膜產生液晶配向性之液晶配向處理方法。其係因液晶配向膜含有具有查耳酮構造之聚合物，故以光照射時，該具有查耳酮構造之聚合物可形成賦予液晶配向膜產生液晶配向性之可運動狀態。另外，本發明復提供基板上具備本方法所得液晶配向膜之液晶顯示元件。
简体摘要：本发明系提供一种于开灯显示时无显示品质不良或 TFT组件破坏之液晶显示组件，其无需经摩擦液晶配向处理，于未接触下即能使配向膜具有液晶显示组件所需液晶配向控制能之液晶配向处理方法及，具备有所得液晶配向膜的基板。本发明又提供一种以光照射基板上所形成之液晶配向膜时，能赋予液晶配向膜产生液晶配向性之液晶配向处理方法。其系因液晶配向膜含有具有查耳酮构造之聚合物，故以光照射时，该具有查耳酮构造之聚合物可形成赋予液晶配向膜产生液晶配向性之可运动状态。另外，本发明复提供基板上具备本方法所得液晶配向膜之液晶显示组件。

9. 发明专利

TW526211B 電發光材料及電發光元件有权
简体标题：电发光材料及电发光组件
公开(公告)号：TW526211B
公开(公告)日：2003-04-01
申请号：TW088120576
申请日：1999-11-25
申请人： JSR股份有限公司 , 國際基盤材料研究所股份有限公司 , 東元電機股份有限公司
发明人： 原滿彥 , 竹內安正 , 丁定國
IPC分类号： C08F , H05B
CPC分类号： H01L51/004 , H01L51/0042 , H01L51/0043 , H01L51/005 , H01L51/5012
摘要：本發明提出一種電發光元件其展現出高發光效率及優良的耐久性。該電發光材料包括一由電洞轉移單體和電子轉移單體經更迭共聚合所形成的單位(AB)，及一由電洞轉移單體經聚合形成的單位(A)，其中在該單位( AB)中源自電洞轉移單體的構造單位和源自電子轉移單體的構造單位之總和相對於在單位(A)中源自電洞轉移單體的構造單位之莫耳比例為50：50至5：95。該電發光元件具有一陽極層2，一用電發光材料製成的電發光材料層3，一電子轉移發光層4，及一陰極層5。
简体摘要：本发明提出一种电发光组件其展现出高发光效率及优良的耐久性。该电发光材料包括一由电洞转移单体和电子转移单体经更迭共聚合所形成的单位(AB)，及一由电洞转移单体经聚合形成的单位(A)，其中在该单位( AB)中源自电洞转移单体的构造单位和源自电子转移单体的构造单位之总和相对于在单位(A)中源自电洞转移单体的构造单位之莫耳比例为50：50至5：95。该电发光组件具有一阳极层2，一用电发光材料制成的电发光材料层3，一电子转移发光层4，及一阴极层5。

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