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    • 2. 发明专利
    • 含矽物之蝕刻裝置
    • 含硅物之蚀刻设备
    • TW201220391A
    • 2012-05-16
    • TW100135101
    • 2011-09-28
    • 積水化學工業股份有限公司
    • 福田崇志真弓聰功刀俊介
    • H01L
    • H01L21/6708
    • 本發明係提高含矽物之蝕刻處理之均一性。使覆膜有含矽物9a之被處理基板9支撐於虛擬平面PL上,並且相對噴嘴30於搬送方向x上進行相對移動。自噴嘴30之噴出孔31將含有氟系反應成分之處理氣體噴出,且接觸於被處理基板9。噴嘴30係於與搬送方向x正交之寬度方向y上延伸,且與寬度方向y正交之剖面以朝向虛擬平面PL變尖之方式變成錐狀。於噴嘴30之前端緣開口有噴出孔31。於噴嘴30之前端緣與虛擬平面PL之間畫分出反應部位1a,於噴嘴30之傾斜側面34與虛擬平面PL之間畫分出擴散空間1e。
    • 本发明系提高含硅物之蚀刻处理之均一性。使覆膜有含硅物9a之被处理基板9支撑于虚拟平面PL上,并且相对喷嘴30于搬送方向x上进行相对移动。自喷嘴30之喷出孔31将含有氟系反应成分之处理气体喷出,且接触于被处理基板9。喷嘴30系于与搬送方向x正交之宽度方向y上延伸,且与宽度方向y正交之剖面以朝向虚拟平面PL变尖之方式变成锥状。于喷嘴30之前端缘开口有喷出孔31。于喷嘴30之前端缘与虚拟平面PL之间画分出反应部位1a,于喷嘴30之倾斜侧面34与虚拟平面PL之间画分出扩散空间1e。