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1. 发明专利

TWI402332B 研磨用組成物有权
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TWI402332B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW095132436
申请日：2006-09-01
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：平野達彥 , HIRANO, TATSUHIKO , 淺野宏 , ASANO, HIROSHI , 堀和伸 , HORI, KATSUNOBU
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463

2. 发明专利

TWI609949B 硏磨用組成物有权
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TWI609949B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW102133175
申请日：2013-09-13
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：大西正悟 , ONISHI, SHOGO , 石田康登 , ISHIDA, YASUTO , 平野達彥 , HIRANO, TATSUHIKO
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： C09K3/1436 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/3212

3. 发明专利

TWI437086B 研磨用組成物失效
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TWI437086B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW097150687
申请日：2008-12-25
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：平野達彥 , HIRANO, TATSUHIKO , 水野博史 , MIZUNO, HIROSHI , 梅田剛宏 , UMEDA, TAKAHIRO
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/11 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02

4. 发明专利

TW201341516A 研磨用組成物及研磨方法失效
简体标题：研磨用组成物及研磨方法
公开(公告)号：TW201341516A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102122527
申请日：2005-03-21
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：吳俊輝 , OH, JUNHUI , 河村篤紀 , KAWAMURA, ATSUNORI , 松田剛 , MATSUDA, TSUYOSHI , 平野達彥 , HIRANO, TATSUHIKO , 酒井謙児 , SAKAI, KENJI , 堀和伸 , HORI, KATSUNOBU
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：一種研磨用組成物，其含有抑制研磨用組成物的研磨能力劣化之劣化抑制劑、研磨料、及水。劣化抑制劑係選自多醣類(polysaccharide)及聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)的至少一種。多醣類為澱粉、澱粉果膠(amylopectin)、肝醣、纖維素(cellulose)、果膠(pectin)、半纖維素(hemicellulose)、聚三葡萄糖(pullulan)或痂囊腔菌聚糖(elsinan)，其中，較佳為聚三葡萄糖。研磨料係選自氧化鋁及二氧化矽的至少一種，較佳為選自燻矽(fumed silica)、燻鋁(fumed alumina)及膠質矽(colloidal silica)的至少一種。此研磨用組成物可適用於形成半導體元件中之導線之研磨。
简体摘要：一种研磨用组成物，其含有抑制研磨用组成物的研磨能力劣化之劣化抑制剂、研磨料、及水。劣化抑制剂系选自多糖类(polysaccharide)及聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)的至少一种。多糖类为淀粉、淀粉果胶(amylopectin)、肝糖、纤维素(cellulose)、果胶(pectin)、半纤维素(hemicellulose)、聚三葡萄糖(pullulan)或痂囊腔菌聚糖(elsinan)，其中，较佳为聚三葡萄糖。研磨料系选自氧化铝及二氧化硅的至少一种，较佳为选自熏硅(fumed silica)、熏铝(fumed alumina)及胶质硅(colloidal silica)的至少一种。此研磨用组成物可适用于形成半导体组件中之导线之研磨。

5. 发明专利

TWI506128B 研磨用組成物及研磨方法有权
简体标题：研磨用组成物及研磨方法
公开(公告)号：TWI506128B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100127926
申请日：2011-08-05
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：玉田修一 , TAMADA, SHUICHI , 平野達彥 , HIRANO, TATSUHIKO , 梅田剛宏 , UMEDA, TAKAHIRO , 角田和也 , SUMITA, KAZUYA , 井澤由裕 , IZAWA, YOSHIHIRO
IPC分类号： C09K3/14 , C08G73/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/3212

6. 发明专利

TW201307540A 研磨用組成物及研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及研磨方法
公开(公告)号：TW201307540A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101111060
申请日：2012-03-29
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：玉田修一 , TAMADA, SHUICHI , 平野達彥 , HIRANO, TATSUHIKO , 井澤由裕 , IZAWA, YOSHIHIRO , 大西正吾 , ONISHI, SHOGO
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C23F3/06 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：本發明揭示一種研磨用組成物，係含有於水溶液中而在與氧化劑之共存下能使pH降低之物質、及pH緩衝劑之研磨用組成物。其特徵為：剛對此種研磨用組成物100g添加31重量%過氧化氫水5.16g後之研磨用組成物之pH、與從添加過氧化氫水並經靜置8日後之研磨用組成物之pH之差，以絕對值計，為0.5以下。又，本發明揭示一種另一研磨用組成物，係含有於水溶液中而在與氧化劑之共存下能使pH降低之物質、及pH控制劑之研磨用組成物，其特徵為：相較於剛對研磨用組成物100ml添加31重量%過氧化氫水5.16g後之研磨用組成物中的鹼性物質的量，從添加過氧化氫水並經靜置8日後之研磨用組成物中的鹼性物質的量為增加0.1mM(毫莫耳)以上。
简体摘要：本发明揭示一种研磨用组成物，系含有于水溶液中而在与氧化剂之共存下能使pH降低之物质、及pH缓冲剂之研磨用组成物。其特征为：刚对此种研磨用组成物100g添加31重量%过氧化氢水5.16g后之研磨用组成物之pH、与从添加过氧化氢水并经静置8日后之研磨用组成物之pH之差，以绝对值计，为0.5以下。又，本发明揭示一种另一研磨用组成物，系含有于水溶液中而在与氧化剂之共存下能使pH降低之物质、及pH控制剂之研磨用组成物，其特征为：相较于刚对研磨用组成物100ml添加31重量%过氧化氢水5.16g后之研磨用组成物中的碱性物质的量，从添加过氧化氢水并经静置8日后之研磨用组成物中的碱性物质的量为增加0.1mM(毫莫耳)以上。

7. 发明专利

TWI447213B 研磨用組成物及研磨方法有权
简体标题：研磨用组成物及研磨方法
公开(公告)号：TWI447213B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW094108575
申请日：2005-03-21
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：吳俊輝 , OH, JUNHUI , 河村篤紀 , KAWAMURA, ATSUNORI , 松田剛 , MATSUDA, TSUYOSHI , 平野達彥 , HIRANO, TATSUHIKO , 酒井謙児 , SAKAI, KENJI , 堀和伸 , HORI, KATSUNOBU
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212

8. 发明专利

TW201422798A 研磨用組成物审中-公开
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TW201422798A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102139746
申请日：2013-11-01
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：大西正悟 , ONISHI, SHOGO , 石田康登 , ISHIDA, YASUTO , 平野達彥 , HIRANO, TATSUHIKO
IPC分类号： C09K3/14 , C09K3/18 , C23F11/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1445 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：本發明之課題為提供一種適合於具有金屬配線層之研磨對象物之研磨，直接維持高研磨速度並可減低階差缺陷之研磨用組成物。本發明用以解決之手段為提供一種研磨用組成物，其係具有金屬配線層之研磨對象物的研磨所使用之研磨用組成物，其特徵為包含：金屬防腐蝕劑、錯合劑、界面活性劑及水，以使用前述研磨用組成物研磨前述研磨對象物後之研磨對象物表面的固體表面能量成為30mN/m以下。前述界面活性劑以陰離子性界面活性劑為佳。
简体摘要：本发明之课题为提供一种适合于具有金属配线层之研磨对象物之研磨，直接维持高研磨速度并可减低级差缺陷之研磨用组成物。本发明用以解决之手段为提供一种研磨用组成物，其系具有金属配线层之研磨对象物的研磨所使用之研磨用组成物，其特征为包含：金属防腐蚀剂、错合剂、界面活性剂及水，以使用前述研磨用组成物研磨前述研磨对象物后之研磨对象物表面的固体表面能量成为30mN/m以下。前述界面活性剂以阴离子性界面活性剂为佳。

9. 发明专利

TWI425082B 拋光組成物及使用彼製造配線結構體之方法有权
简体标题：抛光组成物及使用彼制造配线结构体之方法
公开(公告)号：TWI425082B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW094129523
申请日：2005-08-29
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：平野達彥 , HIRANO, TATSUHIKO , 吳俊輝 , OH, JUNHUI , 阪尾章史 , SAKAO, AKIFUMI , 河村篤紀 , KAWAMURA, ATSUNORI , 堀和伸 , HORI, KATSUNOBU
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212

10. 发明专利

TWI381456B 研磨用組成物及研磨方法有权
简体标题：研磨用组成物及研磨方法
公开(公告)号：TWI381456B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW094108572
申请日：2005-03-21
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：吳俊輝 , OH, JUNHUI , 河村篤紀 , KAWAMURA, ATSUNORI , 松田剛 , MATSUDA, TSUYOSHI , 平野達彥 , HIRANO, TATSUHIKO , 酒井謙児 , SAKAI, KENJI , 堀和伸 , HORI, KATSUNOBU
IPC分类号： H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C23F3/06

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