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1. 发明专利

TWI394850B 顯示裝置，使用彼之Ｃｕ合金膜及Ｃｕ合金濺鍍靶失效
简体标题：显示设备，使用彼之Ｃｕ合金膜及Ｃｕ合金溅镀靶
公开(公告)号：TWI394850B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW098127395
申请日：2009-08-14
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：大西隆 , ONISHI, TAKASHI , 三木綾 , MIKI, AYA , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 水野雅夫 , MIZUNO, MASAO , 伊藤弘高 , ITO, HIROTAKA , 富久勝文 , TOMIHISA, KATSUFUMI
IPC分类号： C22C9/00 , C23C14/18 , H01L29/786 , H01L23/52 , H01L21/3205 , G09F9/30 , C23C14/34
CPC分类号： H01L23/53233 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/265 , H01L2924/00

2. 发明专利

TWI437107B 顯示裝置有权
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TWI437107B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW099101239
申请日：2010-01-15
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 三木綾 , MIKI, AYA , 富久勝文 , TOMIHISA, KATSUFUMI , 越智元隆 , OCHI, MOTOTAKA , 大西隆 , ONISHI, TAKASHI , 釘宮敏洋 , KUGIMIYA, TOSHIHIRO
IPC分类号： C22C9/00 , G09F9/00
CPC分类号： H01L23/53238 , B32B15/01 , C22C9/00 , C23C14/025 , C23C14/14 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

TWI484637B 顯示裝置及其所使用之Ｃｕ合金膜有权
简体标题：显示设备及其所使用之Ｃｕ合金膜
公开(公告)号：TWI484637B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW097140922
申请日：2008-10-24
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：大西隆 , ONISHI, TAKASHI , 三木綾 , MIKI, AYA , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 水野雅夫 , MIZUNO, MASAO , 伊藤弘高 , ITO, HIROTAKA , 富久勝文 , TOMIHISA, KATSUFUMI
IPC分类号： H01L29/786 , C01G3/00
CPC分类号： H01L27/124 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L23/53233 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI357128B 製造半導體互連的方法 METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR INTERCONNECTIONS 失效
简体标题：制造半导体互连的方法 METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR INTERCONNECTIONS
公开(公告)号：TWI357128B
公开(公告)日：2012-01-21
申请号：TW096122919
申请日：2007-06-25
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：大西隆 , 武田實佳子 , 水野雅夫 , 著本享 , 可部達也 , 森田敏文 , 守山實希 , 伊藤和博 , 村上正紀
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76864 , H01L21/76867
摘要：本發明提供一種製造半導體互連的方法，其可形成作為障壁層之富含Ti層，且即便溝槽之最小寬度狹窄、深度又深，其可將作為互連材料的純銅(Cu)材料埋入至絕緣膜中所設之溝槽的各個角落。此方法可包括以下步驟：於半導體基板上的絕緣膜中形成一或多個溝槽，凹入部之最小寬度為0.15 μm或以下，且溝槽之深度對其最小寬度的比值(深度/最小寬度)為1或以上；於絕緣膜的溝槽中，沿著溝槽的形狀，形成厚度為10至50 nm之含有0.5至10原子%鈦(Ti)的Cu合金薄膜；於附著有Cu合金薄膜之溝槽中形成純Cu薄膜；以及於350℃或以上，退火處理具有該等膜之該基板，以使Ti沉澱於絕緣膜及Cu合金薄膜之間。
简体摘要：本发明提供一种制造半导体互连的方法，其可形成作为障壁层之富含Ti层，且即便沟槽之最小宽度狭窄、深度又深，其可将作为互连材料的纯铜(Cu)材料埋入至绝缘膜中所设之沟槽的各个角落。此方法可包括以下步骤：于半导体基板上的绝缘膜中形成一或多个沟槽，凹入部之最小宽度为0.15 μm或以下，且沟槽之深度对其最小宽度的比值(深度/最小宽度)为1或以上；于绝缘膜的沟槽中，沿着沟槽的形状，形成厚度为10至50 nm之含有0.5至10原子%钛(Ti)的Cu合金薄膜；于附着有Cu合金薄膜之沟槽中形成纯Cu薄膜；以及于350℃或以上，退火处理具有该等膜之该基板，以使Ti沉淀于绝缘膜及Cu合金薄膜之间。

5. 发明专利

TW476797B 鋁或鋁合金所成濺潑靶材料及其製造方法有权
简体标题：铝或铝合金所成溅泼靶材料及其制造方法
公开(公告)号：TW476797B
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：TW088102190
申请日：1999-02-11
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：西誠治 , 草道龍彥 , 大西隆 , 水野雅夫 , 高原輝行 , 末光利久 , 吉川一男
IPC分类号： C23C
CPC分类号： B22F3/115 , B22F2999/00 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F2201/02
摘要：本發明提供一種內存的夾雜物之最大長度全部在20μm以下的人A1或A1合金濺潑靶材料，於以噴布形成法之氣體霧化步驟之氣體流出量(Nm3)/熔液流出量( kg)之值設成5Nmm3/kg以上，以製造上述濺潑靶材料。
简体摘要：本发明提供一种内存的夹杂物之最大长度全部在20μm以下的人A1或A1合金溅泼靶材料，于以喷布形成法之气体雾化步骤之气体流出量(Nm3)/熔液流出量( kg)之值设成5Nmm3/kg以上，以制造上述溅泼靶材料。

6. 发明专利

TW514909B 光資訊記錄媒體用的反射層或半透明反射層、光資訊記錄媒體及光資訊記錄媒體用濺鍍靶有权
简体标题：光信息记录媒体用的反射层或半透明反射层、光信息记录媒体及光信息记录媒体用溅镀靶
公开(公告)号：TW514909B
公开(公告)日：2002-12-21
申请号：TW090125822
申请日：2001-10-18
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：中井淳一 , 大西隆 , 藤井秀夫 , 高木勝壽
IPC分类号： G11B
摘要：一種能夠抑制Ag晶粒成長的光資訊記錄媒體用反射層或半透明反射層，其特徵在於，用含有Nd 0.1～3.0原子％的Ag基合金構成。從而提供了一種當然具有高反射率，而且能夠抑制Ag晶粒成長的結構穩定性優良的新型光資訊記錄媒體用反射層半透明反射層、光資訊記錄媒體以及光資訊記錄媒體用濺鍍靶。
简体摘要：一种能够抑制Ag晶粒成长的光信息记录媒体用反射层或半透明反射层，其特征在于，用含有Nd 0.1～3.0原子％的Ag基合金构成。从而提供了一种当然具有高反射率，而且能够抑制Ag晶粒成长的结构稳定性优良的新型光信息记录媒体用反射层半透明反射层、光信息记录媒体以及光信息记录媒体用溅镀靶。

7. 发明专利

TW496906B 可用於半導體裝置電極中之鋁合金薄膜,以及可藉噴鍍法來澱積可用於半導體裝置電極中之鋁合金薄膜用的噴鍍標靶失效
简体标题：可用于半导体设备电极中之铝合金薄膜,以及可藉喷镀法来淀积可用于半导体设备电极中之铝合金薄膜用的喷镀标靶
公开(公告)号：TW496906B
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：TW089113950
申请日：2000-07-13
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：高木勝壽 , 大西隆
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： G02F1/136286 , C23C14/165 , C23C14/3414 , G02F2001/136295 , H01L21/2855 , Y10S428/938 , Y10T428/12528 , Y10T428/12736
摘要：本發明提出一種使用於半導體裝置電極之Al合金薄膜，其具有低達6微歐姆厘米或更低之電阻係數、高度防隆突性、高度防空隙性、及高度耐鹼溶液腐蝕性，其係大型螢幕液晶顯示器(LCD)或高解析度液晶顯示器之電極薄膜所需。本發明亦提供一種噴鍍標靶，以藉噴鍍方法澱積半導體裝置電極使用之Al合金薄膜。該半導體裝置電極使用之Al合金薄膜滿足Y≧0.3百分比，IVa族金屬元素≧0.2百分比，且0.3Cy+3CIVa≦2之條件(其中Cy：Y含量(以百分比表示)，CIVa： IVa族金屬元素含量(以百分比表示))，而該噴鍍標靶係由滿足前述條件之AI合金製得。
简体摘要：本发明提出一种使用于半导体设备电极之Al合金薄膜，其具有低达6微欧姆厘米或更低之电阻系数、高度防隆突性、高度防空隙性、及高度耐碱溶液腐蚀性，其系大型屏幕液晶显示器(LCD)或高分辨率液晶显示器之电极薄膜所需。本发明亦提供一种喷镀标靶，以藉喷镀方法淀积半导体设备电极使用之Al合金薄膜。该半导体设备电极使用之Al合金薄膜满足Y≧0.3百分比，IVa族金属元素≧0.2百分比，且0.3Cy+3CIVa≦2之条件(其中Cy：Y含量(以百分比表示)，CIVa： IVa族金属元素含量(以百分比表示))，而该喷镀标靶系由满足前述条件之AI合金制得。

8. 发明专利

TW201042059A 銅合金膜及顯示裝置审中-公开
简体标题：铜合金膜及显示设备
公开(公告)号：TW201042059A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW099101242
申请日：2010-01-15
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：大西隆 , 後藤裕史 , 富久勝文 , 三木綾 , 釘宮敏洋
IPC分类号： C22C , H01L
CPC分类号： H01L23/53233 , G02F1/13439 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係一種銅合金膜及顯示裝置，其中，提供與透明基板或半導體層之高緊密性，低電阻率，及顯示優越的濕蝕刻性之銅合金膜。本發明係屬於顯示裝置用銅合金膜，其特徵乃前述銅合金膜乃滿足下述（1）及（2）之要件的氧含有合金膜之顯示裝置用的銅合金膜：（1）前述銅合金膜係將選自Ni、Al、Zn、Mn、Fe、Ge、Hf、Nb、Mo、W、及Ca所成的群之至少一種元素，合計含有0.10原子％以上10原子％以下；（2）前述銅合金膜係具有氧含有量不同之基底層與上層，前述基底層係與前述透明基板或半導體層接觸，前述基底層的氧含有量乃較前述上層之氧含有量為多。
简体摘要：本发明系一种铜合金膜及显示设备，其中，提供与透明基板或半导体层之高紧密性，低电阻率，及显示优越的湿蚀刻性之铜合金膜。本发明系属于显示设备用铜合金膜，其特征乃前述铜合金膜乃满足下述（1）及（2）之要件的氧含有合金膜之显示设备用的铜合金膜：（1）前述铜合金膜系将选自Ni、Al、Zn、Mn、Fe、Ge、Hf、Nb、Mo、W、及Ca所成的群之至少一种元素，合计含有0.10原子％以上10原子％以下；（2）前述铜合金膜系具有氧含有量不同之基底层与上层，前述基底层系与前述透明基板或半导体层接触，前述基底层的氧含有量乃较前述上层之氧含有量为多。

9. 发明专利

TW201040291A 顯示裝置审中-公开
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TW201040291A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099101239
申请日：2010-01-15
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：後藤裕史 , 三木綾 , 富久勝文 , 越智元隆 , 大西隆 , 釘宮敏洋
IPC分类号： C22C , G09F
CPC分类号： H01L23/53238 , B32B15/01 , C22C9/00 , C23C14/025 , C23C14/14 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係一種顯示裝置，其中，提供具備與透明基板之高緊密性，及具有低電阻率之Cu合金膜的顯示裝置。本發明係屬於與透明基板直接接觸之顯示裝置用Cu合金膜，前述Cu合金膜係具有：含有將選自Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn所成的群之至少一種元素，合計含有2~20原子％之Cu合金而成之第一層（Y），和純Cu所成之第二層（X）、或將Cu做為主成分之Cu合金，由較前述第一層（Y）電阻率低之Cu合金成為實質之第二層（X）的層積構造，關於前述第一層（Y）乃與前述透明基板接觸之顯示裝置。
简体摘要：本发明系一种显示设备，其中，提供具备与透明基板之高紧密性，及具有低电阻率之Cu合金膜的显示设备。本发明系属于与透明基板直接接触之显示设备用Cu合金膜，前述Cu合金膜系具有：含有将选自Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn所成的群之至少一种元素，合计含有2~20原子％之Cu合金而成之第一层（Y），和纯Cu所成之第二层（X）、或将Cu做为主成分之Cu合金，由较前述第一层（Y）电阻率低之Cu合金成为实质之第二层（X）的层积构造，关于前述第一层（Y）乃与前述透明基板接触之显示设备。

10. 发明专利

TW201026862A 顯示裝置，使用彼之Ｃｕ合金膜及Ｃｕ合金濺鍍靶失效
简体标题：显示设备，使用彼之Ｃｕ合金膜及Ｃｕ合金溅镀靶
公开(公告)号：TW201026862A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098127395
申请日：2009-08-14
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：大西隆 , 三木綾 , 後藤裕史 , 水野雅夫 , 伊藤弘高 , 富久勝文
IPC分类号： C22C , C23C , H01L , G09F
CPC分类号： H01L23/53233 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/265 , H01L2924/00
摘要：本發明提供維持銅系材料的特徵之低電阻，同時與玻璃基板之密接性優異的顯示裝置用銅合金膜。本發明係關於一種顯示裝置用銅合金膜，係於基板上，與玻璃基板直接接觸的配線之顯示裝置用銅合金膜，其特徵為：該銅合金膜，係由鈦、鋁及鎂所構成的群所選擇之1種以上的元素合計含有0.1～10.0原子百分比。本發明也包含具備包含前述顯示裝置用銅合金膜的薄膜電晶體之顯示裝置。作為該顯示裝置，較佳的是該薄膜電晶體具有底閘型構造，該薄膜電晶體之閘極電極及掃描線包含前述顯示裝置用銅合金膜，與玻璃基板直接接觸之態樣。
简体摘要：本发明提供维持铜系材料的特征之低电阻，同时与玻璃基板之密接性优异的显示设备用铜合金膜。本发明系关于一种显示设备用铜合金膜，系于基板上，与玻璃基板直接接触的配线之显示设备用铜合金膜，其特征为：该铜合金膜，系由钛、铝及镁所构成的群所选择之1种以上的元素合计含有0.1～10.0原子百分比。本发明也包含具备包含前述显示设备用铜合金膜的薄膜晶体管之显示设备。作为该显示设备，较佳的是该薄膜晶体管具有底闸型构造，该薄膜晶体管之闸极电极及扫描线包含前述显示设备用铜合金膜，与玻璃基板直接接触之态样。

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