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1. 发明专利

TW201511294A 單晶積體絕對壓力感測器的結構及方法审中-公开
简体标题：单晶积体绝对压力传感器的结构及方法
公开(公告)号：TW201511294A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103121771
申请日：2014-06-24
申请人：矽立公司 , MCUBE, INC.
发明人：米岡真吾 , YONEOKA, SHINGO , 弗萊內瑞安東尼F , FLANNERY, ANTHONY F.
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
摘要：本發明揭示一種積體壓力感測器件及其之製造方法。該方法可包含提供具有一表面區域之一基板部件，及形成上覆該基板之一CMOS IC層，及形成上覆該CMOS IC層之一氧化層。該氧化層之一部分可經移除以形成一空腔區域。一單晶矽晶圓可經接合上覆氧化表面區域，以密封該空腔區域。該接合程序可包含一熔化接合或共熔接合程序。該晶圓可經薄化至一所需厚度，且部分可經移除且用金屬材料充填以形成通孔結構。一壓力感測器器件可由該晶圓形成，且可與由該晶圓形成之另一感測器共同製造。該壓力感測器及該另一感測器可共用一空腔壓力或具有單獨之空腔壓力。
简体摘要：本发明揭示一种积体压力传感器件及其之制造方法。该方法可包含提供具有一表面区域之一基板部件，及形成上覆该基板之一CMOS IC层，及形成上覆该CMOS IC层之一氧化层。该氧化层之一部分可经移除以形成一空腔区域。一单晶硅晶圆可经接合上覆氧化表面区域，以密封该空腔区域。该接合进程可包含一熔化接合或共熔接合进程。该晶圆可经薄化至一所需厚度，且部分可经移除且用金属材料充填以形成通孔结构。一压力传感器器件可由该晶圆形成，且可与由该晶圆形成之另一传感器共同制造。该压力传感器及该另一传感器可共享一空腔压力或具有单独之空腔压力。

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