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    • 1. 发明专利
    • 高頻介電質裝置
    • 高频介电质设备
    • TW439319B
    • 2001-06-07
    • TW088119617
    • 1999-11-10
    • 皇家飛利浦電子股份有限公司
    • 堀江健一
    • H01P
    • H01P3/085H01P11/003
    • 本發明之目的係用以提供一種介電質裝置,其具有一種減弱電阻耗損,特別係一種介電質裝置具有配合一種減弱耗損之高頻元件之高頻應用,更特別係關於一種多層介電質裝置。
      本發明之介電質裝置係包括壓少一介電質(l),其上係置放一導體(6),以及另一介電質(7)疊合於該介電質(l)之上,特徵係在於一介電質(9)具有較該介電質(1,7)之介電常數為低者係置於該導體(6)之側端(8)附近。
    • 本发明之目的系用以提供一种介电质设备,其具有一种减弱电阻耗损,特别系一种介电质设备具有配合一种减弱耗损之高频组件之高频应用,更特别系关于一种多层介电质设备。 本发明之介电质设备系包括压少一介电质(l),其上系置放一导体(6),以及另一介电质(7)叠合于该介电质(l)之上,特征系在于一介电质(9)具有较该介电质(1,7)之介电常数为低者系置于该导体(6)之侧端(8)附近。
    • 2. 发明专利
    • 電子零件
    • 电子零件
    • TW457538B
    • 2001-10-01
    • TW089114726
    • 2000-07-24
    • 皇家飛利浦電子股份有限公司
    • 堀江健一
    • H01L
    • H01G4/35H01G4/40H03H1/02
    • 本發明提供一種使高頻雜訊進一步有效衰減之電子零件。將第一介電糊施用於PET薄膜(30)之上,以形成一有介電常數_l陶瓷片(31);而且陶瓷薄膜(22_3,22_4)係藉由施加一第二介電糊在陶瓷片(31)上而形成。然後,藉由施用導電糊到陶瓷片(31)的中心而印上訊號線(22_2)的圖案,使得縱長方向的陶瓷薄膜(22_3)的右側(23_3a)及縱長方向的陶瓷薄膜(22_4)的左側(22_4a)佈滿導電糊;之後,形成另一陶瓷薄膜(22_5,22_6),使得訊號線(22_2)的側端(22_2d,22_2e)插入在陶瓷薄膜(22_5,22_6及22_3,22_4)之間。
    • 本发明提供一种使高频噪声进一步有效衰减之电子零件。将第一介电煳施用于PET薄膜(30)之上,以形成一有介电常数_l陶瓷片(31);而且陶瓷薄膜(22_3,22_4)系借由施加一第二介电煳在陶瓷片(31)上而形成。然后,借由施用导电煳到陶瓷片(31)的中心而印上信号线(22_2)的图案,使得纵长方向的陶瓷薄膜(22_3)的右侧(23_3a)及纵长方向的陶瓷薄膜(22_4)的左侧(22_4a)布满导电煳;之后,形成另一陶瓷薄膜(22_5,22_6),使得信号线(22_2)的侧端(22_2d,22_2e)插入在陶瓷薄膜(22_5,22_6及22_3,22_4)之间。
    • 4. 发明专利
    • 介電濾波器
    • 介电滤波器
    • TW428341B
    • 2001-04-01
    • TW088110100
    • 1999-06-16
    • 皇家飛利浦電子股份有限公司
    • 堀江健一岩谷昭一
    • H01P
    • H01P1/20345
    • 本發明之一介電濾波器包括一含有至少一對予以相互電磁耦合之帶狀線諧振器之第一介電層及被配置在一與夾在其間之第一介電層成相互成一相反關係及具有實質上相同介電常數(Kl)之第二與第三介電層。第二及第三介電層中間每一層包含至少一個屏蔽電極。介電濾波器再包括實質上具有相同介電常數(K2)及皆分別置於第一及第二介電層之間與第一及第三介電層之間之第四及第五介電層。第四及第五介電層之介電常數(K2)係被選為小於第二及第三介電層之介電常數(Kl)及第一介電層之介電常數(K3)中任何一個。
    • 本发明之一介电滤波器包括一含有至少一对予以相互电磁耦合之带状线谐振器之第一介电层及被配置在一与夹在其间之第一介电层成相互成一相反关系及具有实质上相同介电常数(Kl)之第二与第三介电层。第二及第三介电层中间每一层包含至少一个屏蔽电极。介电滤波器再包括实质上具有相同介电常数(K2)及皆分别置于第一及第二介电层之间与第一及第三介电层之间之第四及第五介电层。第四及第五介电层之介电常数(K2)系被选为小于第二及第三介电层之介电常数(Kl)及第一介电层之介电常数(K3)中任何一个。