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1. 发明专利

TW201716592A 球焊用貴金屬被覆銅線审中-公开
简体标题：球焊用贵金属被覆铜线
公开(公告)号：TW201716592A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105127659
申请日：2016-08-29
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K. K.
发明人：天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 鎗田聡明 , YARITA, SOMEI , 崎田雄祐 , SAKITA, YUSUKE , 安徳優希 , ANTOKU, YUKI , 陳煒 , CHEN, WEI
IPC分类号： C22C9/00 , C23C30/00 , H01L23/49 , H01L21/60
CPC分类号： H01B1/026 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L2224/1134 , H01L2224/16503 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046
摘要：【課題】本發明之目的在於提供一種球焊用貴金屬被覆銅線，其可穩定地使鈀(Pd)濃化層均勻分散於芯材的熔融銅球的整個表面，且鈀(Pd)不會流入已凝固的銅球體內部，故不會形成空孔(void)，而適用於量產化。【構成】本發明之球焊用貴金屬被覆銅線之一，其特徵為：線徑在10μm以上25μm以下；在以銅(Cu)的純度在98質量%以上的銅合金所構成的芯材上形成有貴金屬被覆層的線材之中，該貴金屬被覆層，係由「第13族~16族的元素或氧元素之中至少1種或2種以上的含有元素微分散於其中的鈀(Pd)殼化層」或「該含有元素已從該鈀(Pd)殼化層流出的鈀(Pd)殼層」、以及「鈀(Pd)與銅(Cu)的擴散層」所構成；另一貴金屬被覆銅線，其特徵為：線徑在10μm以上25μm以下；在以銅(Cu)的純度在98質量%以上的銅合金所構成的芯材上形成有貴金屬被覆層的線材之中，該貴金屬被覆層，係由「金(Au)極薄延伸層」、「第13族~16族的元素或氧元素之中至少1種或2種以上的含有元素微分散於其中的鈀(Pd)殼化層」或「該含有元素已從該鈀(Pd)殼化層流出的鈀(Pd)殼層」、以及「鈀(Pd)與銅(Cu)的擴散層」所構成。
简体摘要：【课题】本发明之目的在于提供一种球焊用贵金属被覆铜线，其可稳定地使钯(Pd)浓化层均匀分散于芯材的熔融铜球的整个表面，且钯(Pd)不会流入已凝固的铜球体内部，故不会形成空孔(void)，而适用于量产化。【构成】本发明之球焊用贵金属被覆铜线之一，其特征为：线径在10μm以上25μm以下；在以铜(Cu)的纯度在98质量%以上的铜合金所构成的芯材上形成有贵金属被覆层的线材之中，该贵金属被覆层，系由“第13族~16族的元素或氧元素之中至少1种或2种以上的含有元素微分散于其中的钯(Pd)壳化层”或“该含有元素已从该钯(Pd)壳化层流出的钯(Pd)壳层”、以及“钯(Pd)与铜(Cu)的扩散层”所构成；另一贵金属被覆铜线，其特征为：线径在10μm以上25μm以下；在以铜(Cu)的纯度在98质量%以上的铜合金所构成的芯材上形成有贵金属被覆层的线材之中，该贵金属被覆层，系由“金(Au)极薄延伸层”、“第13族~16族的元素或氧元素之中至少1种或2种以上的含有元素微分散于其中的钯(Pd)壳化层”或“该含有元素已从该钯(Pd)壳化层流出的钯(Pd)壳层”、以及“钯(Pd)与铜(Cu)的扩散层”所构成。

3. 发明专利

TW201711117A 球焊用鈀(Pd)被覆銅線审中-公开
简体标题：球焊用钯(Pd)被覆铜线
公开(公告)号：TW201711117A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105117533
申请日：2016-06-03
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K. K.
发明人：天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 鎗田聡明 , YARITA, SOMEI , 崎田雄祐 , SAKITA, YUSUKE , 安徳優希 , ANTOKU, YUKI , 陳煒 , CHEN, WEI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： B23K35/0227 , B21C1/02 , B23K35/302 , B32B15/018 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/08 , C22F1/14 , C23C14/165 , C23C14/35 , C23C26/00 , C25D3/50 , H01L2224/05624 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/01201 , H01L2924/00012 , H01L2924/01016 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01006 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01004 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/01203 , H01L2924/01206
摘要：本發明之目的在於提供一種球焊用鈀(Pd)被覆銅線，其用以解決「CuAl的金屬間化合物在初期形成於量產之接合線的FAB所形成之熔融焊球與鋁墊的接合界面」這樣的課題，並且可使鈀(Pd)微粒子均勻分散於熔融焊球的表面，而適用於量產化。本發明的球焊用鈀(Pd)被覆銅線，其特徵為：線徑為10~25μm；於純銅(Cu)或銅(Cu)純度98質量%以上的銅合金所構成的芯材上形成有鈀(Pd)延伸層，其中該鈀(Pd)延伸層係含有硫(S)、磷(P)、硼(B)或碳(C)的鈀(Pd)層。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种球焊用钯(Pd)被覆铜线，其用以解决“CuAl的金属间化合物在初期形成于量产之接合线的FAB所形成之熔融焊球与铝垫的接合界面”这样的课题，并且可使钯(Pd)微粒子均匀分散于熔融焊球的表面，而适用于量产化。本发明的球焊用钯(Pd)被覆铜线，其特征为：线径为10~25μm；于纯铜(Cu)或铜(Cu)纯度98质量%以上的铜合金所构成的芯材上形成有钯(Pd)延伸层，其中该钯(Pd)延伸层系含有硫(S)、磷(P)、硼(B)或碳(C)的钯(Pd)层。

4. 发明专利

TWI612156B 球焊用貴金屬被覆銅線有权
简体标题：球焊用贵金属被覆铜线
公开(公告)号：TWI612156B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105127659
申请日：2016-08-29
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K. K.
发明人：天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 鎗田聡明 , YARITA, SOMEI , 崎田雄祐 , SAKITA, YUSUKE , 安徳優希 , ANTOKU, YUKI , 陳煒 , CHEN, WEI
IPC分类号： C22C9/00 , C23C30/00 , H01L23/49 , H01L21/60
CPC分类号： H01B1/026 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L2224/1134 , H01L2224/16503 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046

7. 发明专利

TW201440188A 高速信號線用接合線审中-公开
简体标题：高速信号线用接合线
公开(公告)号：TW201440188A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103101756
申请日：2014-01-17
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：安徳優希 , ANTOKU, YUKI , 安原和彥 , YASUHARA, KAZUHIKO , 千葉淳 , CHIBA, JUN , 陳煒 , CHEN, WEI , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 前田菜那子 , MAEDA, NANAKO
IPC分类号： H01L23/49
CPC分类号： H01L24/45 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L2223/6611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/48511 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2924/00011 , Y10T428/2958 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01204 , H01L2924/01045 , H01L2924/01077 , H01L2924/01044 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01012 , H01L2924/0103 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01004 , H01L2924/01083 , H01L2924/01034 , H01L2924/01058 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/01203 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/00013 , H01L2924/01079 , H01L2924/0105 , H01L2924/01022 , H01L2924/01052 , H01L2224/45644 , H01L2924/00015 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2924/01048
摘要：本發明之目的在於提供一種Ag-Pd-Pt三元合金或Ag-Pd-Pt三元系合金的高速信號線用接合線，即使在該接合線的表面形成不穩定的硫化銀層時，仍無堅固的硫化銀(Ag2S)膜，並可傳送穩定的數千兆赫頻帶等的超高頻信號。該高速信號線用接合線係由0.8~2.5質量%的鈀(Pd)、0.1~0.7質量%的鉑(Pt)、及剩餘部分為純度99.99質量%以上的銀(Ag)所構成的三元合金、或於該三元合金中添加微量元素所構成的三元系合金，其特徵為：該接合線的剖面係由表皮膜與芯材構成，該銀合金的表皮膜中存在具有高濃度銀(Ag)的表面偏析層。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种Ag-Pd-Pt三元合金或Ag-Pd-Pt三元系合金的高速信号线用接合线，即使在该接合线的表面形成不稳定的硫化银层时，仍无坚固的硫化银(Ag2S)膜，并可发送稳定的数千兆赫频带等的超高频信号。该高速信号线用接合线系由0.8~2.5质量%的钯(Pd)、0.1~0.7质量%的铂(Pt)、及剩余部分为纯度99.99质量%以上的银(Ag)所构成的三元合金、或于该三元合金中添加微量元素所构成的三元系合金，其特征为：该接合线的剖面系由表皮膜与芯材构成，该银合金的表皮膜中存在具有高浓度银(Ag)的表面偏析层。

8. 发明专利

TW202030338A 鈀被覆銅接合線、線接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：钯被覆铜接合线、线接合构造、半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW202030338A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108104361
申请日：2019-02-11
申请人：日商田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 安徳優希 , ANTOKU, YUKI , 桑原岳 , KUWAHARA, TAKESHI , 市川司 , ICHIKAWA, TSUKASA
IPC分类号： C22C9/00 , C22C5/04 , B21C1/02 , C22F1/08 , C22F1/14 , C25D3/50 , C25D5/50 , C25D7/06 , H01L21/60 , H01L23/49
摘要：本發明提供一種鈀被覆銅接合線、其接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法，其在第一接合時不會產生縮孔，接合可靠度高，即使在高溫、高濕環境下亦可長期穩定地維持優良的接合可靠度。本發明之線接合構造中，接合線係具有銅芯材與Pd層、且含有硫族元素的Pd被覆銅接合線；相對於銅、Pd與硫族元素的總和，Pd的濃度為1.0質量%~4.0質量%；硫族元素濃度共50質量ppm以下，S濃度為5質量ppm~2質量ppm，或是Se濃度為5質量ppm~20質量ppm，或是Te濃度為15質量ppm~50質量ppm以下；在半導體晶片上的包含Al之電極與球體接合部的接合面附近具有Pd濃化接合區域，其中該Pd濃化接合區域的Pd濃度相對於Al、銅與Pd的總和為2.0質量%以上。
简体摘要：本发明提供一种钯被覆铜接合线、其接合构造、半导体设备及半导体设备的制造方法，其在第一接合时不会产生缩孔，接合可靠度高，即使在高温、高湿环境下亦可长期稳定地维持优良的接合可靠度。本发明之线接合构造中，接合线系具有铜芯材与Pd层、且含有硫族元素的Pd被覆铜接合线；相对于铜、Pd与硫族元素的总和，Pd的浓度为1.0质量%~4.0质量%；硫族元素浓度共50质量ppm以下，S浓度为5质量ppm~2质量ppm，或是Se浓度为5质量ppm~20质量ppm，或是Te浓度为15质量ppm~50质量ppm以下；在半导体芯片上的包含Al之电极与球体接合部的接合面附近具有Pd浓化接合区域，其中该Pd浓化接合区域的Pd浓度相对于Al、铜与Pd的总和为2.0质量%以上。

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