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1. 发明专利

TW201742378A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201742378A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106107469
申请日：2017-03-08
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：高柳浩二 , TAKAYANAGI, KOJI
IPC分类号： H03K5/003 , H03K19/0185 , H01L27/105
CPC分类号： H03K3/356113 , H03K3/356182 , H03K17/102 , H03K19/00315
摘要：以不使用高耐壓構造之電晶體之方式，在輸出高振幅之信號後，會有對於電晶體施加超過低振幅之信號電壓之汲極-源極間之電壓之情形。其解決手段在於，使半導體裝置具備能藉低振幅之邏輯電路而輸出高振幅信號之位準遷移電路。該位準遷移電路具備：串聯連接電路；與第1電源連接之第1閘極控制電路；連接至較該第1電源之電位為高之第2電源之第2閘極控制電路；及配置於該第1閘極控制電路與該串聯連接電路之間之電位轉換電路。該電位轉換電路，係將較該第1電源之電位為低且較參考電源之電位為高之第1位準之電位，供應至該串聯連接電路之N通道型MOS電晶體之閘極。
简体摘要：以不使用高耐压构造之晶体管之方式，在输出高振幅之信号后，会有对于晶体管施加超过低振幅之信号电压之汲极-源极间之电压之情形。其解决手段在于，使半导体设备具备能藉低振幅之逻辑电路而输出高振幅信号之位准迁移电路。该位准迁移电路具备：串联连接电路；与第1电源连接之第1闸极控制电路；连接至较该第1电源之电位为高之第2电源之第2闸极控制电路；及配置于该第1闸极控制电路与该串联连接电路之间之电位转换电路。该电位转换电路，系将较该第1电源之电位为低且较参考电源之电位为高之第1位准之电位，供应至该串联连接电路之N信道型MOS晶体管之闸极。

2. 发明专利

TW201349445A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201349445A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102112233
申请日：2013-04-03
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：高柳浩二 , TAKAYANAGI, KOJI
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L22/34 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2224/05552
摘要：根據本發明之一半導體裝置包含：一穿通導通體，其經形成以穿透一半導體基板；第一及第二緩衝器電路；一佈線形成層，其形成於該半導體基板之一上部層中；一連接佈線部分，假定自該半導體基板至該佈線形成層之一方向係一向上方向，則該連接佈線部分係形成於該穿通導通體之一上部部分中，形成於面向該穿通導通體之一端面處之該半導體基板之上部部分之一晶片內端面上；一第一路徑，其連接該第一緩衝器電路與該穿通導通體；及一第二路徑，其連接該第二緩衝器電路與該穿通導通體。該第一路徑及該第二路徑透過該連接佈線部分而電連接。
简体摘要：根据本发明之一半导体设备包含：一穿通导通体，其经形成以穿透一半导体基板；第一及第二缓冲器电路；一布线形成层，其形成于该半导体基板之一上部层中；一连接布线部分，假定自该半导体基板至该布线形成层之一方向系一向上方向，则该连接布线部分系形成于该穿通导通体之一上部部分中，形成于面向该穿通导通体之一端面处之该半导体基板之上部部分之一芯片内端面上；一第一路径，其连接该第一缓冲器电路与该穿通导通体；及一第二路径，其连接该第二缓冲器电路与该穿通导通体。该第一路径及该第二路径透过该连接布线部分而电连接。

3. 发明专利

TWI609476B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI609476B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW102112233
申请日：2013-04-03
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：高柳浩二 , TAKAYANAGI, KOJI
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L22/34 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2224/05552

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