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1. 发明专利

TW200421613A 達靈頓電晶體級間隔離所用之裝置 INTERSTAGE ISOLATION IN DARLINGTON TRANSISTORS 审中-公开
简体标题：达灵顿晶体管级间隔离所用之设备 INTERSTAGE ISOLATION IN DARLINGTON TRANSISTORS
公开(公告)号：TW200421613A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW093105706
申请日：2004-03-04
申请人：瑞斯樂綜合技術大學 RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE
发明人：周大新 TAT-SING PAUL CHOW , 唐義 YI TANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0825
摘要：一種達靈頓電晶體，其係具有一適能形成其裝置之集極的傳導型半導體集極區域。一傳導性集極接點，和一相反傳導型之半導體基極區域，係使連接至其集極區域。有一傳導型之第一半導體射極區域，和一相隔之第二半導體射極區域，係使連接至其基極區域，以及有一第一傳導性射極接點，係使連接至其具有一連接至第二射極區域的第二傳導性射極接點之第一射極區域。有一第一傳導性基極接點，係使連接至其基極區域，以及係以傳導方式使連接至其第一射極接點。有一第二傳導性基極接點，在傳導上係與其第一基極接點相隔離，以及係使連接至其基極區域。有一電阻性溝渠區域，係至少部份延伸進其基極區域內，而以電阻性方式，使其基極區域，被分成一與其第一射極接點連通之第一基極區域，和一與其第一基極接點和第二射極接點連通之第二基極接點。
简体摘要：一种达灵顿晶体管，其系具有一适能形成其设备之集极的传导型半导体集极区域。一传导性集极接点，和一相反传导型之半导体基极区域，系使连接至其集极区域。有一传导型之第一半导体射极区域，和一相隔之第二半导体射极区域，系使连接至其基极区域，以及有一第一传导性射极接点，系使连接至其具有一连接至第二射极区域的第二传导性射极接点之第一射极区域。有一第一传导性基极接点，系使连接至其基极区域，以及系以传导方式使连接至其第一射极接点。有一第二传导性基极接点，在传导上系与其第一基极接点相隔离，以及系使连接至其基极区域。有一电阻性沟渠区域，系至少部份延伸进其基极区域内，而以电阻性方式，使其基极区域，被分成一与其第一射极接点连通之第一基极区域，和一与其第一基极接点和第二射极接点连通之第二基极接点。

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