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1. 发明专利

TW200713819A 光學觸發之寬頻帶間隙雙極功率切換裝置及電路 OPTICALLY TRIGGERED WIDE BANDGAP BIPOLAR POWER SWITCHING DEVICES AND CIRCUITS 审中-公开
简体标题：光学触发之宽带带间隙双极功率切换设备及电路 OPTICALLY TRIGGERED WIDE BANDGAP BIPOLAR POWER SWITCHING DEVICES AND CIRCUITS
公开(公告)号：TW200713819A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW095116934
申请日：2006-05-12
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：安那K 阿加娃 AGARWAL, ANANT K. , 蘇密塔奎許那瓦米 KRISHNASWAMI, SUMITHRA , 詹姆斯T 李奇蒙二世 RICHMOND, JAMES T. JR.
IPC分类号： H03K , H01L
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L21/8213 , H01L27/0825 , H01L29/1608 , H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/11 , H01L31/1113 , H01L31/167 , H03K17/615 , H03K17/79 , H03K17/7955 , Y10T307/773
摘要：一種電子電路,其包括:一主寬頻帶間隙雙極功率切換裝置,其經組態以回應一施加至其之一控制端子的控制訊號而供應一負載電流:及一驅動器裝置,其經組態以產生該控制訊號。該主切換裝置或該驅動器裝置中至少一者可包括一光學觸發切換裝置。一離散寬頻帶間隙半導體裝置包括:一主雙極裝置級,其經組態以在一控制電流施加之後於一導電狀態與一非導電狀態之間進行切換;及一雙極驅動器級,其經組態以產生該控制電流且將該控制電流供應至該主雙極裝置級。該主雙極裝置級及該雙極驅動器級中至少一者可包括一光學觸發寬頻帶間隙切換裝置。
简体摘要：一种电子电路,其包括:一主宽带带间隙双极功率切换设备,其经组态以回应一施加至其之一控制端子的控制信号而供应一负载电流:及一驱动器设备,其经组态以产生该控制信号。该主切换设备或该驱动器设备中至少一者可包括一光学触发切换设备。一离散宽带带间隙半导体设备包括:一主双极设备级,其经组态以在一控制电流施加之后于一导电状态与一非导电状态之间进行切换;及一双极驱动器级,其经组态以产生该控制电流且将该控制电流供应至该主双极设备级。该主双极设备级及该双极驱动器级中至少一者可包括一光学触发宽带带间隙切换设备。

2. 发明专利

TW200421613A 達靈頓電晶體級間隔離所用之裝置 INTERSTAGE ISOLATION IN DARLINGTON TRANSISTORS 审中-公开
简体标题：达灵顿晶体管级间隔离所用之设备 INTERSTAGE ISOLATION IN DARLINGTON TRANSISTORS
公开(公告)号：TW200421613A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW093105706
申请日：2004-03-04
申请人：瑞斯樂綜合技術大學 RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE
发明人：周大新 TAT-SING PAUL CHOW , 唐義 YI TANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0825
摘要：一種達靈頓電晶體，其係具有一適能形成其裝置之集極的傳導型半導體集極區域。一傳導性集極接點，和一相反傳導型之半導體基極區域，係使連接至其集極區域。有一傳導型之第一半導體射極區域，和一相隔之第二半導體射極區域，係使連接至其基極區域，以及有一第一傳導性射極接點，係使連接至其具有一連接至第二射極區域的第二傳導性射極接點之第一射極區域。有一第一傳導性基極接點，係使連接至其基極區域，以及係以傳導方式使連接至其第一射極接點。有一第二傳導性基極接點，在傳導上係與其第一基極接點相隔離，以及係使連接至其基極區域。有一電阻性溝渠區域，係至少部份延伸進其基極區域內，而以電阻性方式，使其基極區域，被分成一與其第一射極接點連通之第一基極區域，和一與其第一基極接點和第二射極接點連通之第二基極接點。
简体摘要：一种达灵顿晶体管，其系具有一适能形成其设备之集极的传导型半导体集极区域。一传导性集极接点，和一相反传导型之半导体基极区域，系使连接至其集极区域。有一传导型之第一半导体射极区域，和一相隔之第二半导体射极区域，系使连接至其基极区域，以及有一第一传导性射极接点，系使连接至其具有一连接至第二射极区域的第二传导性射极接点之第一射极区域。有一第一传导性基极接点，系使连接至其基极区域，以及系以传导方式使连接至其第一射极接点。有一第二传导性基极接点，在传导上系与其第一基极接点相隔离，以及系使连接至其基极区域。有一电阻性沟渠区域，系至少部份延伸进其基极区域内，而以电阻性方式，使其基极区域，被分成一与其第一射极接点连通之第一基极区域，和一与其第一基极接点和第二射极接点连通之第二基极接点。

3. 发明专利

TWI622256B 切換電路有权
简体标题：切换电路
公开(公告)号：TWI622256B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105137484
申请日：2016-11-16
申请人：豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人：羅炯竣 , NA, HYOUNGJUN , 利行健 , TOSHIYUKI, KEN , 安保正治 , ABOU, SHOUJI
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/56
CPC分类号： H03K17/06 , H01L23/528 , H01L27/0635 , H01L27/0825 , H01L28/20 , H01L29/73 , H01L29/7393 , H01L29/861 , H03K17/168 , H03K17/567

4. 发明专利

TWI462271B 絕緣互補金氧半導體及雙極電晶體及其絕緣結構以及其製造方法有权
简体标题：绝缘互补金属氧化物半导体及双极晶体管及其绝缘结构以及其制造方法
公开(公告)号：TWI462271B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW098104783
申请日：2009-02-13
申请人：先進類比科技有限公司 , ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES, INC.
发明人：迪士尼唐諾R , DISNEY, DONALD R. , 威廉斯理查K , WILLIAMS, RICHARD K.
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/73 , H01L21/8248 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/761 , H01L21/76243 , H01L21/76267 , H01L21/763 , H01L21/8222 , H01L21/82285 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L27/0825 , H01L27/0826 , H01L29/41708 , H01L29/732

5. 发明专利

TW200707557A 形成不同的雜質分布區改變裝置的崩潰電壓 VARIED IMPURITY PROFILE REGION FORMATION FOR VARYING BREAKDOWN VOLTAGE OF DEVICES 审中-公开
简体标题：形成不同的杂质分布区改变设备的崩溃电压 VARIED IMPURITY PROFILE REGION FORMATION FOR VARYING BREAKDOWN VOLTAGE OF DEVICES
公开(公告)号：TW200707557A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095118652
申请日：2006-05-25
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：道格拉斯D 古伯 COOLBAUGH, DOUGLAS D. , 路易斯D 倫斯羅提 LANZEROTTI, LOUIS D. , 布雷德利A 歐納 ORNER, BRADLEY A. , 傑洛斯科 RASCOE, JAY , 大衛C 雪達恩 SHERIDAN, DAVID C. , 史蒂芬A 安吉 ONGE, ST., STEPHEN A.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/266 , H01L27/0825 , H01L29/0821 , H01L29/36
摘要：所揭露的方法,供使用散佈的離子針對集極形成變化的雜質輪廓(profile),並同時形成次集極。在具體實施例中,本發明包括:提供基材;形成遮罩層在基材上,該基材包括具有第一尺寸的第一開口;以及實質上同時地經由第一開口在基材(次集極)內第一深度形成第一雜質區,及在與基材內第一深度不同之第二深度形成第二雜質區。由第一尺寸的大小,例如,裝置的第一開口與主動區之間的距離,來控制元件的崩潰電壓。衆多不同大小的開口區用於提供裝置不同的崩潰電壓,此裝置利用單一遮罩與單一値入。本發明亦揭露一種半導體裝置。
简体摘要：所揭露的方法,供使用散布的离子针对集极形成变化的杂质轮廓(profile),并同时形成次集极。在具体实施例中,本发明包括:提供基材;形成遮罩层在基材上,该基材包括具有第一尺寸的第一开口;以及实质上同时地经由第一开口在基材(次集极)内第一深度形成第一杂质区,及在与基材内第一深度不同之第二深度形成第二杂质区。由第一尺寸的大小,例如,设备的第一开口与主动区之间的距离,来控件的崩溃电压。众多不同大小的开口区用于提供设备不同的崩溃电压,此设备利用单一遮罩与单一値入。本发明亦揭露一种半导体设备。

6. 发明专利

TW201729521A 切換電路审中-公开
简体标题：切换电路
公开(公告)号：TW201729521A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105137484
申请日：2016-11-16
申请人：豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人：羅炯竣 , NA, HYOUNGJUN , 利行健 , TOSHIYUKI, KEN , 安保正治 , ABOU, SHOUJI
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/56
CPC分类号： H03K17/06 , H01L23/528 , H01L27/0635 , H01L27/0825 , H01L28/20 , H01L29/73 , H01L29/7393 , H01L29/861 , H03K17/168 , H03K17/567
摘要：一種切換電路，包括將第一IGBT(18)及第二IGBT(20)的並聯電路插入其中的佈線，及閘極控制電路。該閘極控制電路(40)具有組態成根據第二主要電極的電位控制該第一IGBT之閘極電位的第一切換元件(51、171)，及組態成根據第四主要電極的電位控制該第二IGBT之閘極電位的第二切換元件(52、172)。該控制裝置的輸出終端經由第一開關(S1)連接至該第一切換元件並經由第二開關(S2)連接至該第二切換元件。當切換該第一IGBT及該第二IGBT二者時，該控制裝置(90、92)在該第一開關及該第二開關均開啟的狀態中施加控制信號至該輸出終端(92a)。
简体摘要：一种切换电路，包括将第一IGBT(18)及第二IGBT(20)的并联电路插入其中的布线，及闸极控制电路。该闸极控制电路(40)具有组态成根据第二主要电极的电位控制该第一IGBT之闸极电位的第一切换组件(51、171)，及组态成根据第四主要电极的电位控制该第二IGBT之闸极电位的第二切换组件(52、172)。该控制设备的输出终端经由第一开关(S1)连接至该第一切换组件并经由第二开关(S2)连接至该第二切换组件。当切换该第一IGBT及该第二IGBT二者时，该控制设备(90、92)在该第一开关及该第二开关均打开的状态中施加控制信号至该输出终端(92a)。

7. 发明专利

TW200945557A 絕緣互補金氧半導體及雙極電晶體及其絕緣結構以及其製造方法 ISOLATED CMOS AND BIPOLAR TRANSISTORS, ISOLATION STRUCTURES THEREFOR AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：绝缘互补金属氧化物半导体及双极晶体管及其绝缘结构以及其制造方法 ISOLATED CMOS AND BIPOLAR TRANSISTORS, ISOLATION STRUCTURES THEREFOR AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200945557A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW098104783
申请日：2009-02-13
申请人：先進類比科技有限公司
发明人：迪士尼唐諾R , 威廉斯理查K
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/761 , H01L21/76243 , H01L21/76267 , H01L21/763 , H01L21/8222 , H01L21/82285 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L27/0825 , H01L27/0826 , H01L29/41708 , H01L29/732
摘要：在P型半導體基板中形成之絕緣互補金氧半導體(CMOS)電晶體包括一N型埋入式底部絕緣區及一自該基板之表面向下延伸至底部絕緣區之填充溝槽。該底部絕緣區與該填充溝槽一起形成基板之絕緣凹穴，該絕緣凹穴含有N井中之P通道金氧半導體場效電晶體(MOSFET)及P井中之N通道MOSFET。基板不含有磊晶層，從而克服與磊晶層製造有關之諸多問題。
简体摘要：在P型半导体基板中形成之绝缘互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管包括一N型埋入式底部绝缘区及一自该基板之表面向下延伸至底部绝缘区之填充沟槽。该底部绝缘区与该填充沟槽一起形成基板之绝缘凹穴，该绝缘凹穴含有N井中之P信道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)及P井中之N信道MOSFET。基板不含有磊晶层，从而克服与磊晶层制造有关之诸多问题。

8. 发明专利

TWI241686B 電晶體結構之製造方法 METHOD FOR FABRICATING A TRANSISTOR STRUCTURE 有权
简体标题：晶体管结构之制造方法 METHOD FOR FABRICATING A TRANSISTOR STRUCTURE
公开(公告)号：TWI241686B
公开(公告)日：2005-10-11
申请号：TW092127880
申请日：2003-10-07
申请人：億恆科技股份公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：約瑟夫.博克 JOSEF BOECK , 魯道夫.拉赫納 RUDOLF LACHNER , 托馬斯.邁斯特爾 THOMAS MEISTER , 赫伯特.舍費爾 HERBERT SCHAEFER , 馬丁.澤克 MARTIN SECK , 萊因哈德.史騰格 REINHARD STENGL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/8222 , H01L27/0825 , H01L29/0821
摘要：本發明係關於一種電晶體結構之製造方法，此電晶體結構包括至少具不同集電極寬度的第一及第二雙極電晶體。
本發明特徵在於在不同摻雜區域間的所有接面具峭急的介面。在此情況下，做為實例，第一集電極區域2.1適合用於具高限制頻率fT的高頻電晶體且第二集電極區域2.2適合用於具增加擊穿電壓的高電壓電晶體。
简体摘要：本发明系关于一种晶体管结构之制造方法，此晶体管结构包括至少具不同集电极宽度的第一及第二双极晶体管。本发明特征在于在不同掺杂区域间的所有接面具峭急的界面。在此情况下，做为实例，第一集电极区域2.1适合用于具高限制频率fT的高频晶体管且第二集电极区域2.2适合用于具增加击穿电压的高电压晶体管。

9. 发明专利

TW200414434A 電晶體結構之製造方法 METHOD FOR FABRICATING A TRANSISTOR STRUCTURE 审中-公开
简体标题：晶体管结构之制造方法 METHOD FOR FABRICATING A TRANSISTOR STRUCTURE
公开(公告)号：TW200414434A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092127880
申请日：2003-10-07
申请人：億恆科技股份公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：約瑟夫博克 JOSEF BOECK , 魯道夫拉赫納 RUDOLF LACHNER , 托馬斯邁斯特爾 THOMAS MEISTER , 赫伯特舍費爾 HERBERT SCHAEFER , 馬丁澤克 MARTIN SECK , 萊因哈德史騰格 REINHARD STENGL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/8222 , H01L27/0825 , H01L29/0821
摘要：本發明係關於一種電晶體結構之製造方法，此電晶體結構包括至少具不同集電極寬度的第一及第二雙極電晶體。本發明特徵在於在不同摻雜區域間的所有接面具峭急的介面。在此情況下，做為實例，第一集電極區域2.1適合用於具高限制頻率fT的高頻電晶體且第二集電極區域2.2適合用於具增加擊穿電壓的高電壓電晶體。
简体摘要：本发明系关于一种晶体管结构之制造方法，此晶体管结构包括至少具不同集电极宽度的第一及第二双极晶体管。本发明特征在于在不同掺杂区域间的所有接面具峭急的界面。在此情况下，做为实例，第一集电极区域2.1适合用于具高限制频率fT的高频晶体管且第二集电极区域2.2适合用于具增加击穿电压的高电压晶体管。

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