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1. 发明专利

TW201843325A 基於鋰鈷氧化物之薄膜陰極材料审中-公开
简体标题：基于锂钴氧化物之薄膜阴极材料
公开(公告)号：TW201843325A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107112861
申请日：2018-04-16
申请人：比利時商烏明克公司 , UMICORE
发明人：里彭斯保羅 , LIPPENS, PAUL
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/54 , H01M4/525
摘要：一種用於在基材上沉積基於鋰鈷氧化物之薄膜的程序，其中Li化學計量(LixCoO2)可使用標準化學計量LiCoO2靶材料並分別組合第二靶材料（分別係Co或CoaOb及Li或Li2O，視情況而定）而在界限0.5≤x≤1.1內調諧，該第二靶材料可在雙磁控管上或在相鄰塗佈腔室中之單獨磁控管上。在使用雙磁控管的情況下，較佳的是使用雙極脈衝式DC並且在這兩個陰極之各者上使用受控負載循環以調諧塗層之化學計量。替代地，使用單極脈衝式DC對LiCoO2靶材供電至功率P1，並且使用DC或單極脈衝式DC分別對Co或CoaOb及Li或Li2O靶材供電至功率P2以調諧化學計量。在使用相鄰塗佈腔室中之單獨磁控管的情況下，分別調諧LiCoO2及Co或CoaOb及Li或Li2O靶材之功率負載以達到所欲之化學計量。
简体摘要：一种用于在基材上沉积基于锂钴氧化物之薄膜的进程，其中Li化学计量(LixCoO2)可使用标准化学计量LiCoO2靶材料并分别组合第二靶材料（分别系Co或CoaOb及Li或Li2O，视情况而定）而在界限0.5≤x≤1.1内调谐，该第二靶材料可在双磁控管上或在相邻涂布腔室中之单独磁控管上。在使用双磁控管的情况下，较佳的是使用双极脉冲式DC并且在这两个阴极之各者上使用受控负载循环以调谐涂层之化学计量。替代地，使用单极脉冲式DC对LiCoO2靶材供电至功率P1，并且使用DC或单极脉冲式DC分别对Co或CoaOb及Li或Li2O靶材供电至功率P2以调谐化学计量。在使用相邻涂布腔室中之单独磁控管的情况下，分别调谐LiCoO2及Co或CoaOb及Li或Li2O靶材之功率负载以达到所欲之化学计量。

2. 发明专利

TW201326085A 導電ＳｉＮｘ陶瓷金屬複合材料、其濺射靶及方法审中-公开
简体标题：导电ＳｉＮｘ陶瓷金属复合材料、其溅射靶及方法
公开(公告)号：TW201326085A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101141172
申请日：2012-11-06
申请人：烏明克公司 , UMICORE
发明人：里彭斯保羅 , LIPPENS, PAUL , 摩茲克里斯托佛 , MUREZ, CHRISTOPHE , 辛鐘源 , SHIN, JONG-WON
IPC分类号： C04B35/596 , C23C14/34 , C23C14/06
摘要：一種陶瓷複合材料，包含一聚集體化學組成SiNx、其中x係在大約0.2至大約1.30之間，一Si3N4顆粒分散相，以及一摻雜或本質Si的連續相、其中該Si3N4顆粒分散相嵌入該摻雜的或本質的Si連續相中。一種形成陶瓷複合材料的方法，該方法包括：製備一混合物，該混合物包含x wt.%的α-Si3N4、y wt.%的無摻雜的矽、w wt.%的摻雜的矽、以及z wt.%的硼，其中x＞0、y≧0、z≧0、w≧0並且其中若y＞0則z＞0；並且由該混合物形成一生坯。
简体摘要：一种陶瓷复合材料，包含一聚集体化学组成SiNx、其中x系在大约0.2至大约1.30之间，一Si3N4颗粒分散相，以及一掺杂或本质Si的连续相、其中该Si3N4颗粒分散相嵌入该掺杂的或本质的Si连续相中。一种形成陶瓷复合材料的方法，该方法包括：制备一混合物，该混合物包含x wt.%的α-Si3N4、y wt.%的无掺杂的硅、w wt.%的掺杂的硅、以及z wt.%的硼，其中x＞0、y≧0、z≧0、w≧0并且其中若y＞0则z＞0；并且由该混合物形成一生坯。

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