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1. 发明专利

TW201606966A 電子零件审中-公开
简体标题：电子零件
公开(公告)号：TW201606966A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104125674
申请日：2015-08-06
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K. K.
发明人：藤井義磨郎 , FUJII, YOSHIMARO , 小栗洋 , OGURI, HIROSHI , 坂本明 , SAKAMOTO, AKIRA , 田口智也 , TAGUCHI, TOMOYA
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/492
CPC分类号： H01L24/73 , H01L23/12 , H01L23/15 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/103 , H01L2224/0347 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05644 , H01L2224/05669 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/2747 , H01L2224/28105 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29018 , H01L2224/29083 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83469 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014
摘要：本發明之電子零件1A包含基板10、複數層導電性金屬材料層21、22、23之積層體20、及包含Au-Sn合金焊料之焊料層30。積層體20配置於基材10上。焊料層30配置於積層體20上。積層體20具有包含Au之表面層，作為構成最外層之導電性金屬材料層23。表面層包含供配置焊料層30之焊料層配置區域23a、及不配置焊料層30之焊料層非配置區域23b。焊料層配置區域23a與焊料層非配置區域23h係空間性隔開。
简体摘要：本发明之电子零件1A包含基板10、复数层导电性金属材料层21、22、23之积层体20、及包含Au-Sn合金焊料之焊料层30。积层体20配置于基材10上。焊料层30配置于积层体20上。积层体20具有包含Au之表面层，作为构成最外层之导电性金属材料层23。表面层包含供配置焊料层30之焊料层配置区域23a、及不配置焊料层30之焊料层非配置区域23b。焊料层配置区域23a与焊料层非配置区域23h系空间性隔开。

2. 外观设计

TWD198928S 晶圓有权
简体标题：晶圆
公开(公告)号：TWD198928S
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW107305686
申请日：2018-09-25
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
设计人：田口智也 , TAGUCHI, TOMOYA , 坂本剛志 , SAKAMOTO, TAKESHI

3. 外观设计

TWD195612S 受光元件有权
简体标题：受光组件
公开(公告)号：TWD195612S
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW107301738
申请日：2018-03-27
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
设计人：坂本剛志 , SAKAMOTO, TAKESHI , 田口智也 , TAGUCHI, TOMOYA

4. 发明专利

TW201903863A 晶片之製造方法及矽晶片审中-公开
简体标题：芯片之制造方法及硅芯片
公开(公告)号：TW201903863A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107106506
申请日：2018-02-27
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：田口智也 , TAGUCHI, TOMOYA , 坂本剛志 , SAKAMOTO, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/53
摘要：一種晶片之製造方法，係具備第1步驟~第6步驟，第1步驟，是對包含複數個功能元件之基板設定第1切斷預定線及第2切斷預定線；第2步驟，是以覆蓋前述功能元件且讓包含前述第1切斷預定線和前述第2切斷預定線的交叉點之交叉區域露出的方式在前述基板形成遮罩；第3步驟，是使用前述遮罩將前述基板蝕刻，藉此從前述基板將前述交叉區域除去而形成貫通孔；第4步驟，是沿著前述第1切斷預定線在前述基板形成改質區域；第5步驟，是沿著前述第2切斷預定線在前述基板形成改質區域；第6步驟，是沿著前述第1切斷預定線及前述第2切斷預定線將前述基板切斷而形成晶片。
简体摘要：一种芯片之制造方法，系具备第1步骤~第6步骤，第1步骤，是对包含复数个功能组件之基板设置第1切断预定线及第2切断预定线；第2步骤，是以覆盖前述功能组件且让包含前述第1切断预定线和前述第2切断预定线的交叉点之交叉区域露出的方式在前述基板形成遮罩；第3步骤，是使用前述遮罩将前述基板蚀刻，借此从前述基板将前述交叉区域除去而形成贯通孔；第4步骤，是沿着前述第1切断预定线在前述基板形成改质区域；第5步骤，是沿着前述第2切断预定线在前述基板形成改质区域；第6步骤，是沿着前述第1切断预定线及前述第2切断预定线将前述基板切断而形成芯片。

5. 发明专利

TW201842561A 加工對象物切斷方法审中-公开
简体标题：加工对象物切断方法
公开(公告)号：TW201842561A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107113003
申请日：2018-04-17
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：坂本剛志 , SAKAMOTO, TAKESHI , 荻原孝文 , OGIWARA, TAKAFUMI , 田口智也 , TAGUCHI, TOMOYA
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/38
摘要：加工對象物切斷方法，具備：第1步驟，其準備加工對象物，該加工對象物具有單結晶矽基板、設在第1主面側的功能元件層；第2步驟，其對加工對象物照射雷射光，藉此沿著複數條切斷預定線的各個，在單結晶矽基板的內部，形成至少1列的改質區域，並沿著複數條切斷預定線的各個，在加工對象物以遍及至少1列的改質區域與加工對象物的第2主面之間的方式來形成龜裂；以及第3步驟，其從第2主面側對加工對象物施以乾蝕刻，藉此沿著複數條切斷預定線的各個，在加工對象物形成往第2主面開口的溝。在第3步驟中，是在沿著複數條切斷預定線的各個形成有氣體通過區域的蝕刻保護層形成在第2主面的狀態下，使用二氟化氙氣，來從第2主面側施以乾蝕刻。
简体摘要：加工对象物切断方法，具备：第1步骤，其准备加工对象物，该加工对象物具有单结晶硅基板、设在第1主面侧的功能组件层；第2步骤，其对加工对象物照射激光光，借此沿着复数条切断预定线的各个，在单结晶硅基板的内部，形成至少1列的改质区域，并沿着复数条切断预定线的各个，在加工对象物以遍及至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方式来形成龟裂；以及第3步骤，其从第2主面侧对加工对象物施以干蚀刻，借此沿着复数条切断预定线的各个，在加工对象物形成往第2主面开口的沟。在第3步骤中，是在沿着复数条切断预定线的各个形成有气体通过区域的蚀刻保护层形成在第2主面的状态下，使用二氟化氙气，来从第2主面侧施以干蚀刻。

6. 外观设计

TWD195614S 受光元件有权
简体标题：受光组件
公开(公告)号：TWD195614S
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW107301741
申请日：2018-03-27
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
设计人：坂本剛志 , SAKAMOTO, TAKESHI , 田口智也 , TAGUCHI, TOMOYA

7. 发明专利

TW201843729A 加工對象物切斷方法审中-公开
简体标题：加工对象物切断方法
公开(公告)号：TW201843729A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107113001
申请日：2018-04-17
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：坂本剛志 , SAKAMOTO, TAKESHI , 田口智也 , TAGUCHI, TOMOYA
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/38
摘要：加工對象物切斷方法，係具備有：第1步驟，其係準備具有單結晶矽基板和設在第1主面側的功能元件層之加工對象物，在加工對象物的第2主面形成蝕刻保護層；第2步驟，其係藉由對加工對象物照射雷射光，分別沿著複數個切斷預定線，在單結晶矽基板的內部形成至少一列的改質區域，並分別沿著複數個切斷預定線，以跨越至少1列的蝕刻保護層與蝕刻保護層的表面之間的方式，在加工對象物形成龜裂；及第3步驟，其係藉由在蝕刻保護層已經形成於保護層的狀態下，從第2主面側對加工對象物實施乾式蝕刻，分別沿著切斷預定線，在加工對象物，形成朝第2主面開口之溝。
简体摘要：加工对象物切断方法，系具备有：第1步骤，其系准备具有单结晶硅基板和设在第1主面侧的功能组件层之加工对象物，在加工对象物的第2主面形成蚀刻保护层；第2步骤，其系借由对加工对象物照射激光光，分别沿着复数个切断预定线，在单结晶硅基板的内部形成至少一列的改质区域，并分别沿着复数个切断预定线，以跨越至少1列的蚀刻保护层与蚀刻保护层的表面之间的方式，在加工对象物形成龟裂；及第3步骤，其系借由在蚀刻保护层已经形成于保护层的状态下，从第2主面侧对加工对象物实施干式蚀刻，分别沿着切断预定线，在加工对象物，形成朝第2主面开口之沟。

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