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1. 发明专利

TWI363867B 顯微鏡及試料觀察方法 MICROSCOPE AND SAMPLE OBSERVATION METHOD 有权
简体标题：显微镜及试料观察方法 MICROSCOPE AND SAMPLE OBSERVATION METHOD
公开(公告)号：TWI363867B
公开(公告)日：2012-05-11
申请号：TW094105722
申请日：2005-02-25
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：寺田浩敏 , 荒田育男 , 常盤正治 , 田邊浩 , 坂本繁
IPC分类号： G01N , H01L
CPC分类号： G02B21/0016 , G02B21/33 , Y10S359/90
摘要：一種顯微鏡及試料觀察方法，對於檢查對象之半導體裝置S，設置：圖像取得部1、包含對物透鏡20的光學系統2、及可在包含從半導體裝置S朝向對物透鏡20之光軸之插入位置及偏離光軸的等待位置之間移動的固態沈浸透鏡(SIL)3。而且，以2個控制模式進行觀察：第1模式，將SIL3來配置在等待位置，根據半導體裝置S之基板的折射率n0及厚度t0，修正焦點及像差；及第2模式，將SIL3配置在插入位置，根據基板的折射率n0、厚度t0、SIL3之折射率n1、厚度d1及曲率半徑R1，修正焦點及像差。藉此，可獲得一種顯微鏡及試料觀察方法，對半導體裝置的微細構造解析等可容易地進行必要之試料觀察。
简体摘要：一种显微镜及试料观察方法，对于检查对象之半导体设备S，设置：图像取得部1、包含对物透镜20的光学系统2、及可在包含从半导体设备S朝向对物透镜20之光轴之插入位置及偏离光轴的等待位置之间移动的固态沈浸透镜(SIL)3。而且，以2个控制模式进行观察：第1模式，将SIL3来配置在等待位置，根据半导体设备S之基板的折射率n0及厚度t0，修正焦点及像差；及第2模式，将SIL3配置在插入位置，根据基板的折射率n0、厚度t0、SIL3之折射率n1、厚度d1及曲率半径R1，修正焦点及像差。借此，可获得一种显微镜及试料观察方法，对半导体设备的微细构造解析等可容易地进行必要之试料观察。

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