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1. 发明专利

TWI622069B 複合式電極的製作方法有权
简体标题：复合式电极的制作方法
公开(公告)号：TWI622069B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW103116594
申请日：2014-05-09
申请人：淡江大學 , TAMKANG UNIVERSITY
发明人：林諭男 , LIN, I NAN , 李紫原 , LEE, CHI YOUNG , 彭胤瑋 , PENG, YIN WEI
IPC分类号： H01G11/84

2. 发明专利

TWI447254B 場效發射特性優異之以碳為主的複合材料之製作方法有权
简体标题：场效发射特性优异之以碳为主的复合材料之制作方法
公开(公告)号：TWI447254B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW100122225
申请日：2011-06-24
申请人：淡江大學 , TAMKANG UNIVERSITY
发明人：林諭男
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/517 , H01J1/304
CPC分类号： C04B35/52 , B82Y30/00 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/781 , C04B2235/783 , C04B2235/785 , Y10T428/30

3. 发明专利

TWI596660B 以碳爲主的複合材料之製作方法有权
简体标题：以碳为主的复合材料之制作方法
公开(公告)号：TWI596660B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW104140579
申请日：2015-12-03
申请人：淡江大學 , TAMKANG UNIVERSITY
发明人：林諭男 , LIN, I NAN
IPC分类号： H01L21/205 , H01L29/06 , H01L29/12
CPC分类号： C30B29/04 , C23C16/26 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B29/60

4. 发明专利

TW201721719A 以碳爲主的複合材料之製作方法审中-公开
简体标题：以碳为主的复合材料之制作方法
公开(公告)号：TW201721719A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW104140579
申请日：2015-12-03
申请人：淡江大學 , TAMKANG UNIVERSITY
发明人：林諭男 , LIN, I NAN
IPC分类号： H01L21/205 , H01L29/06 , H01L29/12
CPC分类号： C30B29/04 , C23C16/26 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B29/60
摘要：一種以碳為主的複合材料之製作方法，包含：令含有非晶碳基質及多數分散於其中的等軸超奈米晶鑽石晶粒之以碳為主的複合材料層承載於載座上並處於含有C2與CN物種的電漿環境中施予電漿處理。等軸超奈米晶鑽石晶粒的粒徑5nm且相鄰等軸超奈米晶鑽石晶粒的間距0.05nm。載座提供有負偏壓且因電漿物種轟擊而升溫到一低於500℃的工作溫度；C2與CN物種是受負偏壓吸引至以碳為主的複合材料層令其產生相變化，以使各相鄰等軸超奈米晶鑽石晶粒成長成一由奈米石墨相所包覆的奈米針狀鑽石晶；電漿處理所施予之預定時間或負偏壓是足以使電漿處理後之複合材料層之起始電場低於5.9V/μm。
简体摘要：一种以碳为主的复合材料之制作方法，包含：令含有非晶碳基质及多数分散于其中的等轴超奈米晶钻石晶粒之以碳为主的复合材料层承载于载座上并处于含有C2与CN物种的等离子环境中施予等离子处理。等轴超奈米晶钻石晶粒的粒径5nm且相邻等轴超奈米晶钻石晶粒的间距0.05nm。载座提供有负偏压且因等离子物种轰击而升温到一低于500℃的工作温度；C2与CN物种是受负偏压吸引至以碳为主的复合材料层令其产生相变化，以使各相邻等轴超奈米晶钻石晶粒成长成一由奈米石墨相所包覆的奈米针状钻石晶；等离子处理所施予之预定时间或负偏压是足以使等离子处理后之复合材料层之起始电场低于5.9V/μm。

5. 发明专利

TW201448676A 微電漿裝置审中-公开
简体标题：微等离子设备
公开(公告)号：TW201448676A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102120111
申请日：2013-06-06
申请人：私立淡江大學 , TAMKANG UNIVERSITY
发明人：林諭男 , LIN, I NAN
IPC分类号： H05H1/24
摘要：本發明提供一種微電漿裝置，包含一個陽極板單元、一個陰極板單元及一個電力單元。該陰極板單元面向該陽極板單元設置，並配合該陽極板單元共同界定出一封閉的放電空間。該陰極板單元具有一鑽石膜，該鑽石膜面向該陽極板單元，且該鑽石膜的電子場發射起始電場(E0)小於等於5 V/μm。該電力單元分別電連接該陽極板單元與該陰極板單元，並在供應電力於該陽極板單元與該陰極板單元時，令該放電空間中產生電漿。本發明藉由該鑽石膜的設置使得電漿產生效率提高且電漿穩定性佳，並從而提供市場另一種微電漿裝置的選擇。
简体摘要：本发明提供一种微等离子设备，包含一个阳极板单元、一个阴极板单元及一个电力单元。该阴极板单元面向该阳极板单元设置，并配合该阳极板单元共同界定出一封闭的放电空间。该阴极板单元具有一钻石膜，该钻石膜面向该阳极板单元，且该钻石膜的电子场发射起始电场(E0)小于等于5 V/μm。该电力单元分别电连接该阳极板单元与该阴极板单元，并在供应电力于该阳极板单元与该阴极板单元时，令该放电空间中产生等离子。本发明借由该钻石膜的设置使得等离子产生效率提高且等离子稳定性佳，并从而提供市场另一种微等离子设备的选择。

6. 发明专利

TW200739895A 表面聲波元件用的基板失效
简体标题：表面声波组件用的基板
公开(公告)号：TW200739895A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095111786
申请日：2006-04-03
申请人：淡江大學 TAMKANG UNIVERSITY
发明人：林諭男 , 黃金花 , 周正賢
IPC分类号： H01L , G06F
CPC分类号： H03H9/02574 , H03H9/02094
摘要：一種表面聲波元件用的基板,為一具有高排向壓電層之層狀基板,特徵在於該基板中的鑽石層和壓電層間形成一用以提昇壓電層之附著性及平坦性的緩衝體。依據本發明所製得之基板可適用於製作超高速表面聲波元件。
简体摘要：一种表面声波组件用的基板,为一具有高排向压电层之层状基板,特征在于该基板中的钻石层和压电层间形成一用以提升压电层之附着性及平坦性的缓冲体。依据本发明所制得之基板可适用于制作超高速表面声波组件。

7. 发明专利

TWI510142B 微電漿裝置有权
简体标题：微等离子设备
公开(公告)号：TWI510142B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102120111
申请日：2013-06-06
申请人：私立淡江大學 , TAMKANG UNIVERSITY
发明人：林諭男 , LIN, I NAN
IPC分类号： H05H1/24

8. 发明专利

TW201514527A 重離子輻射檢測器审中-公开
简体标题：重离子辐射检测器
公开(公告)号：TW201514527A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW102136329
申请日：2013-10-08
申请人：私立淡江大學 , TAMKANG UNIVERSITY
发明人：林諭男 , LIN, I NAN , 陳皇欽 , CHEN, HUANG CHIN
IPC分类号： G01T1/02
摘要：一種重離子輻射檢測器，包含：一緻密的鑽石膜，該鑽石膜具有均勻的晶粒，且各個晶粒之間的晶界寬度介於0.1-1.0nm。藉由鑽石膜的晶粒之間間隔一定寬度的晶界，當重離子輻射的照射劑量低於臨界值時，不會造成鑽石膜的微結構變化及相變化，且鑽石膜的場發射特性會隨照射劑量呈規則性變化，從而能夠由測量場發射特性推估照射劑量，藉此檢測環境中的重離子輻射是否超過安全劑量，以保護人員的身體健康及生命安全。
简体摘要：一种重离子辐射检测器，包含：一致密的钻石膜，该钻石膜具有均匀的晶粒，且各个晶粒之间的晶界宽度介于0.1-1.0nm。借由钻石膜的晶粒之间间隔一定宽度的晶界，当重离子辐射的照射剂量低于临界值时，不会造成钻石膜的微结构变化及相变化，且钻石膜的场发射特性会随照射剂量呈守则性变化，从而能够由测量场发射特性推估照射剂量，借此检测环境中的重离子辐射是否超过安全剂量，以保护人员的身体健康及生命安全。

9. 发明专利

TW201300563A 場效發射特性優異之以碳為主的複合材料之製作方法及其製品审中-公开
简体标题：场效发射特性优异之以碳为主的复合材料之制作方法及其制品
公开(公告)号：TW201300563A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW100122225
申请日：2011-06-24
申请人：淡江大學 , TAMKANG UNIVERSITY
发明人：林諭男
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/517 , H01J1/304
CPC分类号： C04B35/52 , B82Y30/00 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/781 , C04B2235/783 , C04B2235/785 , Y10T428/30
摘要：一種場效發射特性優異之以碳為主的複合材料之製作方法，包含：(a)於一基材上形成一具有一非晶碳基質及分散於非晶碳基質的超奈米晶鑽石晶粒之第一層；及(b)於第一層上形成一第二層以共同構成以碳為主的複合材料；第二層是處於一含有混合電漿的沉積系統中實施，混合電漿持續於第一層上進行第一層反應並同時進行第二層反應，第二層反應是同時使部分相鄰近的超奈米晶鑽石晶粒聚集成微米晶鑽石晶粒、使微米晶鑽石晶粒與剩餘超奈米晶鑽石晶粒間的非晶碳基質轉變成一石墨相，及使微米晶鑽石晶粒與剩餘超奈米晶鑽石晶粒的部分晶界轉變成石墨相。
简体摘要：一种场效发射特性优异之以碳为主的复合材料之制作方法，包含：(a)于一基材上形成一具有一非晶碳基质及分散于非晶碳基质的超奈米晶钻石晶粒之第一层；及(b)于第一层上形成一第二层以共同构成以碳为主的复合材料；第二层是处于一含有混合等离子的沉积系统中实施，混合等离子持续于第一层上进行第一层反应并同时进行第二层反应，第二层反应是同时使部分相邻近的超奈米晶钻石晶粒聚集成微米晶钻石晶粒、使微米晶钻石晶粒与剩余超奈米晶钻石晶粒间的非晶碳基质转变成一石墨相，及使微米晶钻石晶粒与剩余超奈米晶钻石晶粒的部分晶界转变成石墨相。

10. 发明专利

TWI269436B 表面聲波元件用的基板失效
简体标题：表面声波组件用的基板
公开(公告)号：TWI269436B
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：TW095111786
申请日：2006-04-03
申请人：淡江大學 TAMKANG UNIVERSITY
发明人：林諭男 , 黃金花 , 周正賢
IPC分类号： H01L , G06F
CPC分类号： H03H9/02574 , H03H9/02094
摘要：一種表面聲波元件用的基板，為一具有高排向壓電層之層狀基板，特徵在於該基板中的鑽石層和壓電層間形成一用以提昇壓電層之附著性及平坦性的緩衝體。依據本發明所製得之基板可適用於製作超高速表面聲波元件。
简体摘要：一种表面声波组件用的基板，为一具有高排向压电层之层状基板，特征在于该基板中的钻石层和压电层间形成一用以提升压电层之附着性及平坦性的缓冲体。依据本发明所制得之基板可适用于制作超高速表面声波组件。

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