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1. 发明专利

TWI483288B 製造半導體元件的方法失效
简体标题：制造半导体组件的方法
公开(公告)号：TWI483288B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW097143032
申请日：2008-11-07
申请人：海力士半導體股份有限公司 , HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：李基領 , LEE, KI LYOUNG , 卜喆圭 , BOK, CHEOL KYU , 潘槿道 , BAN, KEUN DO , 許仲君 , HEO, JUNG GUN
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311

2. 发明专利

TWI340407B 形成半導體元件精細圖案之方法 METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：形成半导体组件精细图案之方法 METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI340407B
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：TW096106629
申请日：2007-02-27
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：鄭載昌 , 文承燦 , 卜喆圭 , 閔明子 , 潘槿道 , 林喜烈
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0035
摘要：一種形成半導體元件精細圖案的方法包括在包含基底層的半導體基板上形成第一光阻膜圖案，將第一光阻膜圖案曝光以從第一光阻膜圖案產生酸，將第一光阻膜圖案漂白，以及在第一光阻膜圖案之間形成第二光阻膜圖案。
简体摘要：一种形成半导体组件精细图案的方法包括在包含基底层的半导体基板上形成第一光阻膜图案，将第一光阻膜图案曝光以从第一光阻膜图案产生酸，将第一光阻膜图案漂白，以及在第一光阻膜图案之间形成第二光阻膜图案。

3. 发明专利

TWI319904B 用於製造半導體元件的方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：用于制造半导体组件的方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI319904B
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：TW095149759
申请日：2006-12-29
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：李基領 , 潘槿道 , 朴沙羅漢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76808 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L27/10855 , H01L27/10888
摘要：一種用於製造一個半導體元件的方法係包含利用一用於儲存節點的光罩來形成一個第二儲存節點的接點孔洞，並且利用一用作為硬式光罩及抗反射膜的硬式光罩層來在儲存節點的接點孔洞以及儲存節點之間確保一疊對裕度，以降低接觸電阻、避免一下部的層間絕緣膜的線寬縮減並且免除用於沉積該層間絕緣膜及一多晶矽層以及蝕刻該多晶矽層的製程，以縮短生產期間及降低產品成本。 A method for manufacturing a semiconductor device includes forming a second storage node contact hole with a mask for storage node and securing an overlay margin between a storage node contact hole and a storage node with a hard mask layer that serves as a hard mask as well as an anti－reflection film to reduce contact resistance, prevent reduction of a line－width of a lower interlayer insulating film and eliminate processes for depositing the interlayer insulating film and a polysilicon layer and etching the polysilicon layer to reduce a production period and cost of products. 【創作特點】本發明的各種實施例係針對於提供一種用於製造一個半導體元件的方法，該方法係包含利用一多功能的硬式光罩層來形成一個儲存節點的接點孔洞(亦被稱為“第二儲存節點的接點孔洞”)以及一個儲存節點的接點，該多功能的硬式光罩層係用作為一硬式光罩以及一抗反射膜。
根據本發明的一個實施例，一種用於製造一個半導體元件的方法係包含步驟有：在一個半導體基板之上形成一層間(interlayer)絕緣膜，該半導體基板係包含閘極以及位元線；利用一用於儲存節點的接點光罩來選擇性地蝕刻該層間絕緣膜以形成一具有一高度‘a’的第一層間絕緣膜圖案；在包含該第一層間絕緣膜圖案之所產生的結構之上形成一硬式光罩層；利用該用於儲存節點的接點光罩以在該多功能的硬式光罩層之上形成一光阻圖案；選擇性地蝕刻該多功能的硬式光罩層以及該第一層間絕緣膜圖案，該第一層間絕緣膜圖案係被蝕刻去掉自頂面量起的厚度‘b’(0b
简体摘要：一种用于制造一个半导体组件的方法系包含利用一用于存储节点的光罩来形成一个第二存储节点的接点孔洞，并且利用一用作为硬式光罩及抗反射膜的硬式光罩层来在存储节点的接点孔洞以及存储节点之间确保一叠对裕度，以降低接触电阻、避免一下部的层间绝缘膜的线宽缩减并且免除用于沉积该层间绝缘膜及一多晶硅层以及蚀刻该多晶硅层的制程，以缩短生产期间及降低产品成本。 A method for manufacturing a semiconductor device includes forming a second storage node contact hole with a mask for storage node and securing an overlay margin between a storage node contact hole and a storage node with a hard mask layer that serves as a hard mask as well as an anti－reflection film to reduce contact resistance, prevent reduction of a line－width of a lower interlayer insulating film and eliminate processes for depositing the interlayer insulating film and a polysilicon layer and etching the polysilicon layer to reduce a production period and cost of products. 【创作特点】本发明的各种实施例系针对于提供一种用于制造一个半导体组件的方法，该方法系包含利用一多功能的硬式光罩层来形成一个存储节点的接点孔洞(亦被称为“第二存储节点的接点孔洞”)以及一个存储节点的接点，该多功能的硬式光罩层系用作为一硬式光罩以及一抗反射膜。根据本发明的一个实施例，一种用于制造一个半导体组件的方法系包含步骤有：在一个半导体基板之上形成一层间(interlayer)绝缘膜，该半导体基板系包含闸极以及比特线；利用一用于存储节点的接点光罩来选择性地蚀刻该层间绝缘膜以形成一具有一高度‘a’的第一层间绝缘膜图案；在包含该第一层间绝缘膜图案之所产生的结构之上形成一硬式光罩层；利用该用于存储节点的接点光罩以在该多功能的硬式光罩层之上形成一光阻图案；选择性地蚀刻该多功能的硬式光罩层以及该第一层间绝缘膜图案，该第一层间绝缘膜图案系被蚀刻去掉自顶面量起的厚度‘b’(0b<a)；移除该光阻图案以及该硬式光罩层以形成一第二层间绝缘膜图案；在该第二层间绝缘膜图案的侧壁上形成一间隙壁；在该所产生的结构之上形成一多晶硅层；以及平坦化该多晶硅层。在一个实施例中，一种用于制造一个半导体组件的方法系包含在一个半导体基板之上形成一绝缘层，该半导体基板系包含闸极以及比特线；蚀刻该绝缘层以形成一具有第一高度的第一绝缘图案；在该第一绝缘图案之上形成一光罩层，该光罩层系被配置以作为一蚀刻停止层以及一抗反射层；在该光罩层之上形成一光罩图案；蚀刻该硬式光罩层以及该第一绝缘图案，使得该第一绝缘图案系被设置有一个步阶，借此界定一第二绝缘膜图案；移除该光罩图案以及该光罩层，使得该第二绝缘图案系界定一个通孔；以及在该通孔之内形成一接点插塞。在另一实施例中，一种用于制造一个半导体组件的方法系包含在一个半导体基板之上形成一绝缘膜，该半导体基板系包含闸极以及比特线，并且利用一个用于存储节点的接点光罩来蚀刻该绝缘膜以形成一个具有一高度的第一绝缘膜图案。该方法进一步包含在一个包含该第一绝缘膜图案之所产生的结构之上形成一硬式光罩层，该硬式光罩层系被配置以作为一蚀刻停止层以及一抗反射层；利用该用于存储节点的接点光罩以在该多功能的硬式光罩层之上形成一光阻图案；蚀刻该硬式光罩层以及该第一绝缘膜图案，该第一绝缘膜图案为具有一个步阶，借此界定一第二绝缘膜图案；移除该光阻图案以及该硬式光罩层以露出该第二绝缘膜图案，该第二绝缘膜图案系界定一个露出该比特线的通孔；在该第二绝缘膜图案的一个侧壁上形成一间隙壁；以及在该通孔内形成一存储节点的接点插塞。

4. 发明专利

TWI372415B 半導體裝置和形成其圖案的方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING PATTERN IN THE SAME 失效
简体标题：半导体设备和形成其图案的方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING PATTERN IN THE SAME
公开(公告)号：TWI372415B
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：TW096121717
申请日：2007-06-15
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：潘槿道 , 卜喆圭 , 宣俊劦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144
摘要：形成半導體裝置之精細圖案的方法，其包括：在半導體基板上形成第一硬遮罩層、在第一硬遮罩層上形成第二硬遮罩層圖案、在第二硬遮罩層圖案的側壁上形成間隔物、使用間隔物和第二硬遮罩層圖案做為蝕刻遮罩而選擇性蝕刻第一硬遮罩層以形成第一硬遮罩層圖案、形成第一絕緣膜而填充第二硬遮罩層圖案和第一硬遮罩層圖案、選擇性蝕刻第二硬遮罩層圖案和底下的第一硬遮罩層圖案以形成第三硬遮罩層圖案、移除第一絕緣膜和間隔物、使用第三硬遮罩層圖案做為蝕刻遮罩而將半導體基板做出圖案，以形成精細圖案。
简体摘要：形成半导体设备之精细图案的方法，其包括：在半导体基板上形成第一硬遮罩层、在第一硬遮罩层上形成第二硬遮罩层图案、在第二硬遮罩层图案的侧壁上形成间隔物、使用间隔物和第二硬遮罩层图案做为蚀刻遮罩而选择性蚀刻第一硬遮罩层以形成第一硬遮罩层图案、形成第一绝缘膜而填充第二硬遮罩层图案和第一硬遮罩层图案、选择性蚀刻第二硬遮罩层图案和底下的第一硬遮罩层图案以形成第三硬遮罩层图案、移除第一绝缘膜和间隔物、使用第三硬遮罩层图案做为蚀刻遮罩而将半导体基板做出图案，以形成精细图案。

5. 发明专利

TWI345262B 半導體裝置和形成其圖案的方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING PATTERN IN THE SAME 失效
简体标题：半导体设备和形成其图案的方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING PATTERN IN THE SAME
公开(公告)号：TWI345262B
公开(公告)日：2011-07-11
申请号：TW096121719
申请日：2007-06-15
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：潘槿道 , 卜喆圭
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/02115 , H01L21/0214 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/0338 , H01L21/3143 , H01L21/3146 , H01L21/3185
摘要：形成半導體裝置之精細圖案的方法，其包括：在半導體基板上形成第一硬遮罩層和在第一硬遮罩層上形成第二硬遮罩層、使用線/空間遮罩做為蝕刻遮罩而選擇性蝕刻第二硬遮罩層和第一硬遮罩層以形成第二硬遮罩層圖案和第一硬遮罩層圖案、形成絕緣膜而填充第二硬遮罩層圖案和第一硬遮罩層圖案、使用絕緣膜做為蝕刻遮罩而選擇性蝕刻第二硬遮罩層圖案和其底下的第一硬遮罩層圖案以形成覆蓋第三硬遮罩層圖案的第四硬遮罩層圖案、移除絕緣膜和第四硬遮罩層圖案、使用第三硬遮罩層圖案做為蝕刻遮罩而將半導體基板做出圖案，以形成精細圖案。
简体摘要：形成半导体设备之精细图案的方法，其包括：在半导体基板上形成第一硬遮罩层和在第一硬遮罩层上形成第二硬遮罩层、使用线/空间遮罩做为蚀刻遮罩而选择性蚀刻第二硬遮罩层和第一硬遮罩层以形成第二硬遮罩层图案和第一硬遮罩层图案、形成绝缘膜而填充第二硬遮罩层图案和第一硬遮罩层图案、使用绝缘膜做为蚀刻遮罩而选择性蚀刻第二硬遮罩层图案和其底下的第一硬遮罩层图案以形成覆盖第三硬遮罩层图案的第四硬遮罩层图案、移除绝缘膜和第四硬遮罩层图案、使用第三硬遮罩层图案做为蚀刻遮罩而将半导体基板做出图案，以形成精细图案。

6. 发明专利

TWI380408B 半導體裝置之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI380408B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW097125525
申请日：2008-07-07
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：潘槿道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823487 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L29/66666 , H01L29/7827
摘要：一種用以製造半導體裝置之方法，包括形成旋塗式碳(SOC)膜，該旋塗式碳(SOC)膜有助於低溫烘烤製程及可防止垂直電晶體在形成位元線時倒塌，藉此提供更簡單製造方法及改善製造產量。
简体摘要：一种用以制造半导体设备之方法，包括形成旋涂式碳(SOC)膜，该旋涂式碳(SOC)膜有助于低温烘烤制程及可防止垂直晶体管在形成比特线时倒塌，借此提供更简单制造方法及改善制造产量。

7. 发明专利

TWI373790B 形成半導體元件之精細圖案的方法 METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：形成半导体组件之精细图案的方法 METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI373790B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW097100535
申请日：2008-01-07
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：潘槿道 , 卜喆圭
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/0338 , Y10S438/952
摘要：形成半導體元件之精細圖案的方法，其包含於具有底層的基板上形成沉積膜。沉積膜包含第一、第二、第三遮罩膜。此方法亦包含於第三遮罩膜上形成光阻圖案，將第三遮罩膜做出圖案以形成沉積圖案，以及在沉積圖案的側壁上形成非晶質碳圖案。此方法進一步包含於沉積圖案和非晶質碳圖案上填充旋塗碳層，拋光旋塗碳層、非晶質碳圖案、光阻圖案以暴露第三遮罩圖案，以及以非晶質碳圖案做為蝕刻遮罩來進行蝕刻過程，以暴露第一遮罩膜。蝕刻過程移除了第三遮罩圖案和暴露的第二遮罩圖案。此方法亦包含移除旋塗碳層和非晶質碳圖案，以及以第二遮罩圖案做為蝕刻遮罩來形成第一遮罩圖案。
简体摘要：形成半导体组件之精细图案的方法，其包含于具有底层的基板上形成沉积膜。沉积膜包含第一、第二、第三遮罩膜。此方法亦包含于第三遮罩膜上形成光阻图案，将第三遮罩膜做出图案以形成沉积图案，以及在沉积图案的侧壁上形成非晶质碳图案。此方法进一步包含于沉积图案和非晶质碳图案上填充旋涂碳层，抛光旋涂碳层、非晶质碳图案、光阻图案以暴露第三遮罩图案，以及以非晶质碳图案做为蚀刻遮罩来进行蚀刻过程，以暴露第一遮罩膜。蚀刻过程移除了第三遮罩图案和暴露的第二遮罩图案。此方法亦包含移除旋涂碳层和非晶质碳图案，以及以第二遮罩图案做为蚀刻遮罩来形成第一遮罩图案。

8. 发明专利

TWI362689B 於半導體元件形成細緻圖案的方法 METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：于半导体组件形成细致图案的方法 METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI362689B
公开(公告)日：2012-04-21
申请号：TW096147906
申请日：2007-12-14
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：李基領 , 潘槿道 , 卜喆圭
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/02115 , H01L21/02134 , H01L21/02137 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/0332 , H01L21/0338 , H01L21/3143 , H01L21/3146 , H01L21/31608 , H01L21/3185 , H01L21/32139
摘要：一種於半導體元件形成細緻圖案的方法，其包含在具有底層之半導體基材上面形成包括第一個、第二個、和第三個光罩圖案之沈積圖案、用第三個光罩圖案作為蝕刻阻障光罩將第二個光罩圖案側面蝕刻、移除第三個光罩圖案、形成一曝光第二個光罩圖案之上部的旋塗碳層、用旋塗碳層作為蝕刻阻障光罩進行蝕刻方法以曝光底層、及移除旋塗碳層。
简体摘要：一种于半导体组件形成细致图案的方法，其包含在具有底层之半导体基材上面形成包括第一个、第二个、和第三个光罩图案之沉积图案、用第三个光罩图案作为蚀刻阻障光罩将第二个光罩图案侧面蚀刻、移除第三个光罩图案、形成一曝光第二个光罩图案之上部的旋涂碳层、用旋涂碳层作为蚀刻阻障光罩进行蚀刻方法以曝光底层、及移除旋涂碳层。

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