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1. 发明专利

TW201239894A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：TW201239894A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100134430
申请日：2011-09-23
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：辛尚勳 , 李康說
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/26 , G11C7/10 , G11C7/1006 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/4401 , G11C2029/0411 , G11C2029/4402
摘要：本發明揭示一種半導體裝置的多種具體實施例。在一示例性具體實施例中,一半導體裝置可包括一記憶體區塊晶片及一信號輸入/輸出晶片。該記憶體區塊晶片被配置成根據規格而控制一資料存取大小。該信號輸入/輸出晶片被配置成自一外部裝置傳送輸入資料至該記憶體區塊晶片,或自該記憶體區塊晶片傳送輸出資料至一外部裝置,並藉由根據該等規格而選擇性地致能一時脈相位控制單元及一信號處理單元,來處理該輸入資料或該輸出資料。
简体摘要：本发明揭示一种半导体设备的多种具体实施例。在一示例性具体实施例中,一半导体设备可包括一内存区块芯片及一信号输入/输出芯片。该内存区块芯片被配置成根据规格而控制一数据存取大小。该信号输入/输出芯片被配置成自一外部设备发送输入数据至该内存区块芯片,或自该内存区块芯片发送输出数据至一外部设备,并借由根据该等规格而选择性地致能一时脉相位控制单元及一信号处理单元,来处理该输入数据或该输出数据。

2. 发明专利

TWI543188B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI543188B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW100128402
申请日：2011-08-09
申请人：海力士半導體股份有限公司 , HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：朴希百 , PARK, HEAT-BIT , 李康說 , LEE, KANG-SEOL
IPC分类号： G11C7/22 , G11C7/10
CPC分类号： G06F13/385

3. 发明专利

TWI485715B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI485715B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW098125435
申请日：2009-07-28
申请人：海力士半導體股份有限公司 , HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：尹泰植 , YUN, TAE SIK , 李康說 , LEE, KANG SEOL
IPC分类号： G11C7/10 , G11C8/12
CPC分类号： G11C8/18

4. 发明专利

TWI363353B 輸出半導體記憶體設備的溫度資料之電路及方法 CIRCUIT AND METHOD OF OUTPUTTING TEMPERATURE DATA OF SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS 失效
简体标题：输出半导体内存设备的温度数据之电路及方法 CIRCUIT AND METHOD OF OUTPUTTING TEMPERATURE DATA OF SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS
公开(公告)号：TWI363353B
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW096131560
申请日：2007-08-24
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：鄭椿錫 , 李康說
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G01K7/01
摘要：本發明提供一種用於輸出半導體記憶體設備的溫度資料之電路，其包括：一溫度偵測電路，其產生對應於溫度變化的一溫度電壓並輸出該溫度電壓，一A/D轉換器，其轉換該溫度電壓成為一第一溫度碼，並將其輸出，及一溫度資料修正單元，其輸出使用一修正碼來修正該第一溫度碼之誤差所得到的一第二溫度碼。
简体摘要：本发明提供一种用于输出半导体内存设备的温度数据之电路，其包括：一温度侦测电路，其产生对应于温度变化的一温度电压并输出该温度电压，一A/D转换器，其转换该温度电压成为一第一温度码，并将其输出，及一温度数据修正单元，其输出使用一修正码来修正该第一温度码之误差所得到的一第二温度码。

5. 发明专利

TW567506B 半導體記憶裝置之電能啓動信號產生器失效
简体标题：半导体记忆设备之电能启动信号产生器
公开(公告)号：TW567506B
公开(公告)日：2003-12-21
申请号：TW091122533
申请日：2002-09-30
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：李康說 , 李在真 , 朴起德
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/4074 , G11C7/20 , G11C11/4072 , G11C2207/2227
摘要：本發明揭露一種用於半導體記憶體元件之電源啟動訊號產生器，其使用應該在深度電源低態登入時係在等候狀態之半導體組件的深度電源低態電源啟動訊號，及用以在內部電源供應電壓產生後，另一DRAM元件中之半導體組件操作的起始化之電源啟動訊號。該產生器也使用在深度電源低態登入時失能，而在深度電源低態登出時，藉由內部電源供應電壓致能之電源啟動訊號。該產生器可包含藉由外部電源供電壓產生電源啟動檢知訊號之電源動檢知器，對應電源啟動檢知訊號產生深度電源低態電源啟動訊號之深度電源低態電源啟動訊號產生器，對應電源啟動檢知訊號產生電源啟動訊號之電源啟動訊號產生器，及在深度電源低態登入時，決定是否致能電源啟動訊號之電源啟動控制器。
简体摘要：本发明揭露一种用于半导体内存组件之电源启动信号产生器，其使用应该在深度电源低态登录时系在等候状态之半导体组件的深度电源低态电源启动信号，及用以在内部电源供应电压产生后，另一DRAM组件中之半导体组件操作的起始化之电源启动信号。该产生器也使用在深度电源低态登录时失能，而在深度电源低态注销时，借由内部电源供应电压致能之电源启动信号。该产生器可包含借由外部电源供电压产生电源启动检知信号之电源动检知器，对应电源启动检知信号产生深度电源低态电源启动信号之深度电源低态电源启动信号产生器，对应电源启动检知信号产生电源启动信号之电源启动信号产生器，及在深度电源低态登录时，决定是否致能电源启动信号之电源启动控制器。

6. 发明专利

TWI534826B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI534826B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW100134430
申请日：2011-09-23
申请人：海力士半導體股份有限公司 , HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：辛尚勳 , SHIN, SANG-HOON , 李康說 , LEE, KANG-SEOL
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/00 , G11C8/00
CPC分类号： G11C29/26 , G11C7/10 , G11C7/1006 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/4401 , G11C2029/0411 , G11C2029/4402

7. 发明专利

TW201236022A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：TW201236022A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW100128402
申请日：2011-08-09
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：朴希百 , 李康說
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F13/385
摘要：本發明提供一種半導體裝置，其包括一多晶片模組，其中多晶片模組包含第一晶片與第二晶片。該半導體裝置包含在該第一晶片中的第一資料線，其用於承載第一讀取資料；在該第一晶片中的第一控制器，其配置成基於自該第一資料線傳送的該第一讀取資料，在該第一晶片中的第一輸出資料線上產生第一輸出資料；第一資料傳送器，其配置成電性連接該第一輸出資料線至該第二晶片。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，其包括一多芯片模块，其中多芯片模块包含第一芯片与第二芯片。该半导体设备包含在该第一芯片中的第一数据线，其用于承载第一读取数据；在该第一芯片中的第一控制器，其配置成基于自该第一数据线发送的该第一读取数据，在该第一芯片中的第一输出数据在线产生第一输出数据；第一数据发送器，其配置成电性连接该第一输出数据线至该第二芯片。

8. 发明专利

TW201034024A 半導體記憶裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体记忆设备 SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS
公开(公告)号：TW201034024A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098125435
申请日：2009-07-28
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：尹泰植 , 李康說
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C8/18
摘要：一種半導體記憶裝置包括一列路徑啟動單元，其配置來根據一已接收位址及啟動命令來產生一線連接控制訊號。該半導體記憶裝置也包括一格陣列電路單元，該格陣列電路單元包括用來將在一格區塊中之一第一輸入/輸出線與延伸至該格區塊外側之一第二輸入/輸出線的一輸入/輸出線開關。該格陣列也包括一位元線開關，其用來將一位元線配對彼此連接。該輸入/輸出線開關及該位元線開關進一步以來自該列路徑啟動單元之線連接控制訊號來控制。
简体摘要：一种半导体记忆设备包括一列路径启动单元，其配置来根据一已接收位址及启动命令来产生一线连接控制信号。该半导体记忆设备也包括一格数组电路单元，该格数组电路单元包括用来将在一格区块中之一第一输入/输出线与延伸至该格区块外侧之一第二输入/输出线的一输入/输出线开关。该格数组也包括一比特线开关，其用来将一比特线配对彼此连接。该输入/输出线开关及该比特线开关进一步以来自该列路径启动单元之线连接控制信号来控制。

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