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    • 5. 发明专利
    • 無核心封裝基板及其製法
    • 无内核封装基板及其制法
    • TW201407726A
    • 2014-02-16
    • TW101129507
    • 2012-08-15
    • 欣興電子股份有限公司UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
    • 陳明志CHEN, MING CHIH胡迪群HU, DYI CHUNG王琮熙WANG, TSUNG SI
    • H01L23/14H01L21/60H05K3/42
    • 一種無核心封裝基板及其製法,該無核心封裝基板係包括第一介電層、複數金屬柱、增層結構與絕緣保護層,該金屬柱係埋設於該第一介電層中,且該第一介電層之一表面具有複數對應外露各該金屬柱的第一盲孔,各該金屬柱係完全外露於該第一介電層之另一相對表面,且該金屬柱之高度為100微米以上,而該增層結構則設於該第一介電層之第一表面上,其底層之各導電盲孔係對應延伸至各該第一盲孔內並電性連接各該金屬柱,該絕緣保護層係形成於該第一介電層之第二表面上,且形成有複數對應外露各該金屬柱之部份第二端面的絕緣保護層開孔。本發明能有效增進良率、減低成本與抑制翹曲。
    • 一种无内核封装基板及其制法,该无内核封装基板系包括第一介电层、复数金属柱、增层结构与绝缘保护层,该金属柱系埋设于该第一介电层中,且该第一介电层之一表面具有复数对应外露各该金属柱的第一盲孔,各该金属柱系完全外露于该第一介电层之另一相对表面,且该金属柱之高度为100微米以上,而该增层结构则设于该第一介电层之第一表面上,其底层之各导电盲孔系对应延伸至各该第一盲孔内并电性连接各该金属柱,该绝缘保护层系形成于该第一介电层之第二表面上,且形成有复数对应外露各该金属柱之部份第二端面的绝缘保护层开孔。本发明能有效增进良率、减低成本与抑制翘曲。