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1. 发明专利

TWI496261B 電子元件封裝結構及其製作方法有权
简体标题：电子组件封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI496261B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW101124254
申请日：2012-07-05
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：曾子章 , TSENG, TZYY JANG , 江書聖 , CHIANG, SHU SHENG , 陳宗源 , CHEN, TSUNG YUAN , 程石良 , CHENG, SHIH LIAN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/9222 , H01L2924/18162 , H01L2924/00012

2. 发明专利

TWI473544B 內置式晶片封裝結構有权
简体标题：内置式芯片封装结构
公开(公告)号：TWI473544B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW101147921
申请日：2012-12-17
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：陳宗源 , CHEN, TSUNG YUAN , 鄭偉鳴 , CHENG, WEI MING
IPC分类号： H05K1/14 , H05K1/18 , H05K9/00

3. 发明专利

TWI419261B 分離ＩＣ基板與承載件之方法有权
简体标题：分离ＩＣ基板与承载件之方法
公开(公告)号：TWI419261B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW100132300
申请日：2011-09-07
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CROP.
发明人：林永清 , LIN, YUNG CHING , 陳宗源 , CHEN, TSUNG YUAN , 何崇文 , HO, CHUNG W.
IPC分类号： H01L21/78

4. 发明专利

TW201349961A 感測元件封裝結構及其製作方法审中-公开
简体标题：传感组件封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201349961A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101118729
申请日：2012-05-25
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：陳宗源 , CHEN, TSUNG YUAN , 鄭偉鳴 , CHENG, WEI MING
IPC分类号： H05K1/18 , H05K3/32 , H01L31/14
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/315 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L27/14625 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H01L2224/04105 , H01L2924/12042 , H01L2924/1815 , H01L2924/00
摘要：一種感測元件封裝結構包括中間介電層、感測元件、前側介電層、前側圖案化導電層及至少一前側導電孔道。中間介電層具有前側面、相對前側面之後側面和中間開口。感測元件配置於中間開口中。感測元件具有正面、相對正面之背面、位在正面之感測區、位在正面且環繞感測區之阻擋圖案以及位在正面且在阻擋圖案外圍之至少一電極。前側介電層配置於中間介電層之前側面上及感測元件之正面上。前側介電層具有暴露出感測區及阻擋圖案之前側開口。前側圖案化導電層配置於前側介電層上。前側導電孔道貫穿前側介電層且連接前側圖案化導電層及電極。
简体摘要：一种传感组件封装结构包括中间介电层、传感组件、前侧介电层、前侧图案化导电层及至少一前侧导电孔道。中间介电层具有前侧面、相对前侧面之后侧面和中间开口。传感组件配置于中间开口中。传感组件具有正面、相对正面之背面、位在正面之传感区、位在正面且环绕传感区之阻挡图案以及位在正面且在阻挡图案外围之至少一电极。前侧介电层配置于中间介电层之前侧面上及传感组件之正面上。前侧介电层具有暴露出传感区及阻挡图案之前侧开口。前侧图案化导电层配置于前侧介电层上。前侧导电孔道贯穿前侧介电层且连接前侧图案化导电层及电极。

5. 发明专利

TW201338659A 封裝基板線路之製法审中-公开
简体标题：封装基板线路之制法
公开(公告)号：TW201338659A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101108397
申请日：2012-03-13
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：陳宗源 , CHEN, TSUNG YUAN , 程石良 , CHENG, SHIH LIAN
IPC分类号： H05K3/32 , H01L23/12
摘要：一種封裝基板線路之製法，係包括：於一基板本體上形成複數大凹槽與小凹槽；於該大凹槽與小凹槽中分別形成複數粗線路與細線路，且於該基板本體與細線路上形成第一金屬層，並於該粗線路上形成第二金屬層，令該第一金屬層之厚度大於該第二金屬層之厚度；於該第二金屬層上形成阻層；移除部分該第一金屬層，以令該第一金屬層之厚度等於該第二金屬層之厚度；移除該阻層；以及移除該第二金屬層與剩餘之第一金屬層。藉由基板本體上之金屬層厚度一致後，再同時移除金屬層，能確保粗線路與細線路之完整性。
简体摘要：一种封装基板线路之制法，系包括：于一基板本体上形成复数大凹槽与小凹槽；于该大凹槽与小凹槽中分别形成复数粗线路与细线路，且于该基板本体与细线路上形成第一金属层，并于该粗线路上形成第二金属层，令该第一金属层之厚度大于该第二金属层之厚度；于该第二金属层上形成阻层；移除部分该第一金属层，以令该第一金属层之厚度等于该第二金属层之厚度；移除该阻层；以及移除该第二金属层与剩余之第一金属层。借由基板本体上之金属层厚度一致后，再同时移除金属层，能确保粗线路与细线路之完整性。

6. 发明专利

TWI405514B 線路板的線路結構的製造方法有权
简体标题：线路板的线路结构的制造方法
公开(公告)号：TWI405514B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW098144177
申请日：2009-12-22
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：江書聖 , CHIANG, SHU SHENG , 陳宗源 , CHEN, TSUNG YUAN , 鄭偉鳴 , CHENG, WEI MING
IPC分类号： H05K3/18
CPC分类号： H05K1/05 , H05K3/18

7. 发明专利

TWI399150B 線路板及其製程失效
简体标题：线路板及其制程
公开(公告)号：TWI399150B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW098146203
申请日：2009-12-31
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：曾子章 , TSENG, TZYY JANG , 江書聖 , CHIANG, SHU SHENG , 陳宗源 , CHEN, TSUNG YUAN
IPC分类号： H05K3/42 , H05K3/18 , H05K1/02
CPC分类号： H05K3/06 , H05K1/0298 , H05K3/465 , H05K2201/0347 , Y10T29/49126 , Y10T29/49165

8. 发明专利

TWI395521B 埋入式結構及其製法有权
简体标题：埋入式结构及其制法
公开(公告)号：TWI395521B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW098106679
申请日：2009-03-02
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：劉逸群 , LIU, YI CHUN , 鄭偉鳴 , CHENG, WEI MING , 陳宗源 , CHEN, TSUNG YUAN , 江書聖 , CHIANG, SHU SHENG
IPC分类号： H05K1/18 , H05K3/46

9. 发明专利

TWI385765B 內埋式線路結構及其製作方法有权
简体标题：内埋式线路结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI385765B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW097126805
申请日：2008-07-15
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：陳俊謙 , CHEN, CHUN CHIEN , 陳宗源 , CHEN, TSUNG YUAN
IPC分类号： H01L23/28

10. 发明专利

TW201250943A 封裝結構及其製法 SEMICONDUCTOR PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：封装结构及其制法 SEMICONDUCTOR PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201250943A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100120095
申请日：2011-06-09
申请人：欣興電子股份有限公司
发明人：程石良 , 陳宗源
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49822 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：一種封裝結構,包含有一基板,包含有一覆晶接合面,且該覆晶接合面具有一覆晶接合區域,於該覆晶接合區域內設有複數個凹陷焊墊,且該基板另包含一防焊層,覆蓋住該覆晶接合區域以外之線路區域;一晶片,其主動面包含有複數個金屬凸塊,以覆晶方式分別與該覆晶接合區域內的該複數個凹陷焊墊接合;以及一底膠,填入於該基板與該晶片之間的該覆晶接合區域內。
简体摘要：一种封装结构,包含有一基板,包含有一覆晶接合面,且该覆晶接合面具有一覆晶接合区域,于该覆晶接合区域内设有复数个凹陷焊垫,且该基板另包含一防焊层,覆盖住该覆晶接合区域以外之线路区域;一芯片,其主动面包含有复数个金属凸块,以覆晶方式分别与该覆晶接合区域内的该复数个凹陷焊垫接合;以及一底胶,填入于该基板与该芯片之间的该覆晶接合区域内。

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