专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201735267A 具有矽鍺鰭片之半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：具有硅锗鳍片之半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201735267A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138374
申请日：2016-11-23
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：侯爾特朱德尚R , HOLT, JUDSON R. , 弗羅斯爾喬伊A , FRONHEISER, JODY A. , 程慷果 , CHENG, KANGGUO , 望月省吾 , MOCHIZUKI, SHOGO , 貝德爾史蒂芬W , BEDELL, STEPHEN W.
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/10 , H01L29/15
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L29/1054 , H01L29/157
摘要：本發明之一態樣包括一種半導體結構，該半導體結構包括：位於基板上的一組鰭片，該組鰭片包括鬆弛矽鍺層；以及位於該組鰭片中的各鰭片之間的介電質；其中，n型場效電晶體(nFET)區域中的各鰭片還包括位於該nFET區域中的各鰭片的該鬆弛矽鍺層上方的應變矽層；其中，p型場效電晶體(pFET)區域中的各鰭片還包括位於該pFET區域中的各鰭片的該鬆弛矽鍺層上方的應變矽鍺層。
简体摘要：本发明之一态样包括一种半导体结构，该半导体结构包括：位于基板上的一组鳍片，该组鳍片包括松弛硅锗层；以及位于该组鳍片中的各鳍片之间的介电质；其中，n型场效应管(nFET)区域中的各鳍片还包括位于该nFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅层；其中，p型场效应管(pFET)区域中的各鳍片还包括位于该pFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅锗层。

2. 发明专利

TWI610442B 於塊體鰭式場效電晶體通道中產生拉伸應變的方法及與之相關的電晶體有权
简体标题：于块体鳍式场效应管信道中产生拉伸应变的方法及与之相关的晶体管
公开(公告)号：TWI610442B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105111607
申请日：2016-04-14
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：王允愈 , WANG, YUN-YU , 望月省吾 , MOCHIZUKI, SHOGO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/785

3. 发明专利

TWI701769B 具有矽鍺鰭片之半導體結構及其製造方法有权
简体标题：具有硅锗鳍片之半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI701769B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105138374
申请日：2016-11-23
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：侯爾特朱德尚R , HOLT, JUDSON R. , 弗羅斯爾喬伊A , FRONHEISER, JODY A. , 程慷果 , CHENG, KANGGUO , 望月省吾 , MOCHIZUKI, SHOGO , 貝德爾史蒂芬W , BEDELL, STEPHEN W.
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/10 , H01L29/15

4. 发明专利

TW201701477A 於塊體鰭式場效電晶體通道中產生拉伸應變审中-公开
简体标题：于块体鳍式场效应管信道中产生拉伸应变
公开(公告)号：TW201701477A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105111607
申请日：2016-04-14
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：王允愈 , WANG, YUN-YU , 望月省吾 , MOCHIZUKI, SHOGO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要：本發明的實施例提供一種形成鰭片型電晶體的方法。該方法包括形成finFET結構，該finFET結構具有位於閘極結構下面的鰭片通道區、以及與該閘極結構的兩個相對側的該鰭片通道區直接相鄰的源極區及汲極區；以及使該源極區及該汲極區經受壓縮應變，從而使該源極區及該汲極區對該鰭片通道區施加拉伸應變。還提供由此形成的一種finFET電晶體，其包括鰭片形狀的通道區，由其頂部上的閘極覆蓋；與該閘極的第一側上的該通道區的第一端相鄰的源極；以及與該閘極的第二側上的該通道區的第二端相鄰的汲極，其中，該源極及汲極由以矽覆蓋層覆蓋的具有至少50%原子百分比的Ge濃度水準的磊晶生長的矽-鍺(SiGe)製成。
简体摘要：本发明的实施例提供一种形成鳍片型晶体管的方法。该方法包括形成finFET结构，该finFET结构具有位于闸极结构下面的鳍片信道区、以及与该闸极结构的两个相对侧的该鳍片信道区直接相邻的源极区及汲极区；以及使该源极区及该汲极区经受压缩应变，从而使该源极区及该汲极区对该鳍片信道区施加拉伸应变。还提供由此形成的一种finFET晶体管，其包括鳍片形状的信道区，由其顶部上的闸极覆盖；与该闸极的第一侧上的该信道区的第一端相邻的源极；以及与该闸极的第二侧上的该信道区的第二端相邻的汲极，其中，该源极及汲极由以硅覆盖层覆盖的具有至少50%原子百分比的Ge浓度水准的磊晶生长的硅-锗(SiGe)制成。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式