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1. 发明专利

TWI234673B 液晶顯示裝置用TFT陣列基板及其製造方法,以及使用該基板之液晶顯示裝置及其製造方法 TFT ARRAY SUBSTRATE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE UTILIZING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：液晶显示设备用TFT数组基板及其制造方法,以及使用该基板之液晶显示设备及其制造方法 TFT ARRAY SUBSTRATE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE UTILIZING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI234673B
公开(公告)日：2005-06-21
申请号：TW088105119
申请日：1999-03-31
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：小川一文 , 足立和泰
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L21/02667 , G02F1/1368 , G02F2202/104 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要：本發明之目的在完成，不需要實施雷射退火，也能以低溫處理形成質地良好且大面積之聚矽層之方法，藉以提供，縱使畫面很大，仍少有顯示不均之高精細度之poly-si型TFT陣列基板。此目的可藉由，具有，在基板上形成，通道領域使用聚矽半導體層之poly-si型TFT之處理過程之液晶顯示裝置用TFT陣列基板之製造方法，來達成，該方法具有，對上述基板照射預先附加有能量將其激發之矽粒子使其堆積下來，令其在基板上堆積矽粒子之階段，形成聚矽層之聚矽層形成步驟。
简体摘要：本发明之目的在完成，不需要实施激光退火，也能以低温处理形成质地良好且大面积之聚硅层之方法，借以提供，纵使画面很大，仍少有显示不均之高精细度之poly-si型TFT数组基板。此目的可借由，具有，在基板上形成，信道领域使用聚硅半导体层之poly-si型TFT之处理过程之液晶显示设备用TFT数组基板之制造方法，来达成，该方法具有，对上述基板照射预先附加有能量将其激发之硅粒子使其堆积下来，令其在基板上堆积硅粒子之阶段，形成聚硅层之聚硅层形成步骤。

2. 发明专利

TWI281748B 非揮發性記憶體失效
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TWI281748B
公开(公告)日：2007-05-21
申请号：TW091135525
申请日：2002-12-09
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：山本伸一 , 小川一文 , 美濃規央
IPC分类号： H01L , C08G
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , H01L51/0094
摘要：本發明之目的在於提供一種非揮發性記憶體，係在基板上至少具備第1電極(71)、與第1電極(71)相互隔離之第2電極(72)，並含有將第1電極(71)與第2電極(72)做電性連接之導電性有機薄膜(73)者。其中，導電性有機薄膜(73)，具有顯示第1電阻值之第1電氣狀態、與顯示第2電阻值之第2電氣狀態；由第1電氣狀態往第2電氣狀態遷移之第1臨界值電壓與由第2電氣狀態往第1電氣狀態遷移之第2臨界值電壓係相異；於第1臨界值電壓與第2臨界值電壓的範圍中，係保持在第1電氣狀態或第2電氣狀態。導電性有機薄膜(73)係與基材表面做共價鍵結。二極體(74)亦可連接到導電性有機薄膜(73)。藉此，利用導電性有機薄膜(73)的電阻值的變化可進行記錄之寫入與讀取，並且易於集積化。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种非挥发性内存，系在基板上至少具备第1电极(71)、与第1电极(71)相互隔离之第2电极(72)，并含有将第1电极(71)与第2电极(72)做电性连接之导电性有机薄膜(73)者。其中，导电性有机薄膜(73)，具有显示第1电阻值之第1电气状态、与显示第2电阻值之第2电气状态；由第1电气状态往第2电气状态迁移之第1临界值电压与由第2电气状态往第1电气状态迁移之第2临界值电压系相异；于第1临界值电压与第2临界值电压的范围中，系保持在第1电气状态或第2电气状态。导电性有机薄膜(73)系与基材表面做共价键结。二极管(74)亦可连接到导电性有机薄膜(73)。借此，利用导电性有机薄膜(73)的电阻值的变化可进行记录之写入与读取，并且易于集积化。

3. 发明专利

TWI226960B 機能性膜及其製造方法、以及使用此膜之液晶顯示元件及其製造方法 FUNCTIONAL FILM AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE FUNCTIONAL FILM AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF 有权
简体标题：机能性膜及其制造方法、以及使用此膜之液晶显示组件及其制造方法 FUNCTIONAL FILM AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE FUNCTIONAL FILM AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF
公开(公告)号：TWI226960B
公开(公告)日：2005-01-21
申请号：TW088115991
申请日：1999-09-16
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：野村幸生 , 小川一文 , 大竹忠 , 武部尚子
IPC分类号： G02F
CPC分类号： C08J7/047 , C03C17/42 , C03C2217/76 , C08J7/04 , C08J2483/00 , G02F1/133719 , G02F1/133788
摘要：本發明之特徵在於，使基材表面接觸含有以 X-(SiOX2)2-SiX3(其中，X係由鹵素、烷氧基及異氰酸鹽基所構成之群所選出之至少一種的化合物，n為0以上的整數)表示之可以水解的化合物之底基層溶液，並以不超過300℃之溫度乾燥以形成底基層，再將含有矽烷系化合物之溶液接觸該底基層之表面使其化學吸附矽烷系化合物分子後，將該基材以300℃以上的溫度燒。藉此可以提昇以改善基材表面之性質為目的之矽烷系化合物所構成之機能性膜之拒水性、耐久性及耐熱性。
简体摘要：本发明之特征在于，使基材表面接触含有以 X-(SiOX2)2-SiX3(其中，X系由卤素、烷氧基及异氰酸盐基所构成之群所选出之至少一种的化合物，n为0以上的整数)表示之可以水解的化合物之底基层溶液，并以不超过300℃之温度干燥以形成底基层，再将含有硅烷系化合物之溶液接触该底基层之表面使其化学吸附硅烷系化合物分子后，将该基材以300℃以上的温度烧。借此可以提升以改善基材表面之性质为目的之硅烷系化合物所构成之机能性膜之拒水性、耐久性及耐热性。

4. 发明专利

TW588209B 薄膜電晶體陣列、其製造方法及使用該薄膜電晶體陣列之顯示面板有权
简体标题：薄膜晶体管数组、其制造方法及使用该薄膜晶体管数组之显示皮肤
公开(公告)号：TW588209B
公开(公告)日：2004-05-21
申请号：TW090128231
申请日：2001-11-14
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：小川一文
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L29/7869
摘要：將形成在基板上的半導體材料膜於其一定領域賦予導電性，而加工成源部及汲部之同時，亦加工成包含連接於汲部之像素電極的導電成分。將不含不純物之真性半導體所構成之領域作為薄膜電晶體之活性層(通道領域)，而將添加不純物之領域作為導電成分。要形成透明的電極的情形下可使用氧化物半導體。
简体摘要：将形成在基板上的半导体材料膜於其一定领域赋予导电性，而加工成源部及汲部之同时，亦加工成包含连接于汲部之像素电极的导电成分。将不含不纯物之真性半导体所构成之领域作为薄膜晶体管之活性层(信道领域)，而将添加不纯物之领域作为导电成分。要形成透明的电极的情形下可使用氧化物半导体。

5. 发明专利

TWI298732B 導電性有機薄膜及其製造方法、使用其之電極及電纜 CONDUCTIVE ORGANIC THIN FILM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, ELECTRODE AND ELECTRIC CABLE USING IT 失效
简体标题：导电性有机薄膜及其制造方法、使用其之电极及电缆 CONDUCTIVE ORGANIC THIN FILM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, ELECTRODE AND ELECTRIC CABLE USING IT
公开(公告)号：TWI298732B
公开(公告)日：2008-07-11
申请号：TW091102311
申请日：2002-02-08
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：小川一文 , 美濃規央 , 山本伸一
IPC分类号： C08L , H01B
CPC分类号： H01M14/00 , B82Y30/00 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2202/02 , H01B1/127 , H01L27/28 , H01L51/0075 , H01L51/0575 , Y10T428/26 , Y10T428/31663 , Y10T428/31815 , Y10T428/31855
摘要：本發明之目的在於,藉由下述之方法,提供一種較習
知的有機導電膜有較高導電性的導電性有機薄膜及其製造
方法、及使用其之電極、電線及電子元件。該導電性有機
薄膜係由含有:與基材(1)表面或形成於基材上之底層(2)表
面做共價鍵結之末端鍵結基、共軛鍵結基、以及位於該末
端鍵結基與該共軛鍵結基之間之烷基的有機分子所構成;
該有機分子係呈配向狀態,且該共軛鍵結基與其他分子的
共軛鍵結基進行聚合形成導電網(34)。導電網(34),係
由聚咯、聚吩撐(polythienylene)、聚乙炔、聚二
乙炔及聚并苯(polyacene)所形成。共軛鍵結基的聚合,
係用電解氧化聚合、觸媒聚合、能束照射聚合。
简体摘要：本发明之目的在于,借由下述之方法,提供一种较习知的有机导电膜有较高导电性的导电性有机薄膜及其制造方法、及使用其之电极、电线及电子组件。该导电性有机薄膜系由含有:与基材(1)表面或形成于基材上之底层(2)表面做共价键结之末端键结基、共轭键结基、以及位于该末端键结基与该共轭键结基之间之烷基的有机分子所构成; 该有机分子系呈配向状态,且该共轭键结基与其他分子的共轭键结基进行聚合形成导电网(34)。导电网(34),系由聚咯、聚吩撑(polythienylene)、聚乙炔、聚二乙炔及聚并苯(polyacene)所形成。共轭键结基的聚合, 系用电解氧化聚合、触媒聚合、能束照射聚合。

6. 发明专利

TW200303094A 非揮發性記憶體失效
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TW200303094A
公开(公告)日：2003-08-16
申请号：TW091135525
申请日：2002-12-09
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：山本伸一 , 小川一文 , 美濃規央
IPC分类号： H01L , C08G
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , H01L51/0094
摘要：本發明之目的在於提供一種非揮發性記憶體，係在基板上至少具備第1電極(71)、與第1電極(71)相互隔離之第2電極(72)，並含有將第1電極(71)與第2電極(72)做電性連接之導電性有機薄膜(73)者。其中，導電性有機薄膜(73)，具有顯示第1電阻值之第1電氣狀態、與顯示第2電阻值之第2電氣狀態；由第1電氣狀態往第2電氣狀態遷移之第1臨界值電壓與由第2電氣狀態往第1電氣狀態遷移之第2臨界值電壓係相異；於第1臨界值電壓與第2臨界值電壓的範圍中，係保持在第1電氣狀態或第2電氣狀態。導電性有機薄膜(73)係與基材表面做共價鍵結。二極體(74)方可連接到導電性有機薄膜(73)。藉此，利用導電性有機薄膜(73)的電阻值的變化可進行記錄之寫入與讀取，並且易於集積化。091135525p01.bmp
简体摘要：本发明之目的在于提供一种非挥发性内存，系在基板上至少具备第1电极(71)、与第1电极(71)相互隔离之第2电极(72)，并含有将第1电极(71)与第2电极(72)做电性连接之导电性有机薄膜(73)者。其中，导电性有机薄膜(73)，具有显示第1电阻值之第1电气状态、与显示第2电阻值之第2电气状态；由第1电气状态往第2电气状态迁移之第1临界值电压与由第2电气状态往第1电气状态迁移之第2临界值电压系相异；于第1临界值电压与第2临界值电压的范围中，系保持在第1电气状态或第2电气状态。导电性有机薄膜(73)系与基材表面做共价键结。二极管(74)方可连接到导电性有机薄膜(73)。借此，利用导电性有机薄膜(73)的电阻值的变化可进行记录之写入与读取，并且易于集积化。091135525p01.bmp

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