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2. 发明专利

TW201613059A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201613059A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104106372
申请日：2015-02-26
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：松浦永悟 , MATSUURA, EIGO , 竹本康男 , TAKEMOTO, YASUO
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/58
CPC分类号： H01L25/105 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/06135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/92147 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18165 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：本發明之實施形態可實現於基板上設置有複數個半導體晶片之半導體裝置之薄型化。根據一實施形態，半導體裝置包括基板，該基板具有第一面、及與上述第一面為相反側之第二面。進而，上述裝置包括：第一半導體晶片，其設置於上述基板之上述第一面；及第二半導體晶片，其設置於上述基板之上述第二面，且覆蓋貫通上述基板之開口之至少一部分。進而，上述裝置包括第三半導體晶片，該第三半導體晶片於上述開口內，經由接著劑而設置於上述第二半導體晶片之上述基板側之面。
简体摘要：本发明之实施形态可实现于基板上设置有复数个半导体芯片之半导体设备之薄型化。根据一实施形态，半导体设备包括基板，该基板具有第一面、及与上述第一面为相反侧之第二面。进而，上述设备包括：第一半导体芯片，其设置于上述基板之上述第一面；及第二半导体芯片，其设置于上述基板之上述第二面，且覆盖贯通上述基板之开口之至少一部分。进而，上述设备包括第三半导体芯片，该第三半导体芯片于上述开口内，经由接着剂而设置于上述第二半导体芯片之上述基板侧之面。

3. 发明专利

TWI585877B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI585877B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104106906
申请日：2015-03-04
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：渡邊勝好 , WATANABE, KATSUYOSHI , 中村三昌 , NAKAMURA, MITSUMASA , 松浦永悟 , MATSUURA, EIGO
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201613194A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201613194A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104106910
申请日：2015-03-04
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：佐藤宏貴 , SATO, HIROTAKA , 向田秀子 , MUKAIDA, HIDEKO , 藤卷明子 , FUJIMAKI, AKIKO , 築山慧至 , TSUKIYAMA, SATOSHI , 尾山勝彥 , OYAMA, KATSUHIKO , 小坂善幸 , KOSAKA, YOSHIYUKI , 渡邊章雄 , WATANABE, AKIO , 原島志郎 , HARASHIMA, SHIRO , 安達浩祐 , ADACHI, KOSUKE , 松浦永悟 , MATSUURA, EIGO , 山口量平 , YAMAGUCHI, RYOHEI , 土肥雅之 , DOHI, MASAYUKI
IPC分类号： H01R13/62 , H01R13/22 , H01R12/71
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：本發明之實施形態抑制焊接部位之增加。實施形態之半導體裝置係可藉由與插座連接而進行利用USB之資料傳送者，且包含殼體、電路基板、及第2外部連接端子，該殼體具有開口部，該電路基板被插入至開口部且包含：佈線基板，其包含具有可與插座連接之第1外部連接端子之複數個連接墊；及半導體晶片，其搭載於佈線基板；該第2外部連接端子包含：被固接部，其固接於開口部之內壁；插座連接部，其設置於與被固接部相同面，且可與插座連接；以及第1墊連接部及第2墊連接部，其等設置於被固接部之相反面，且電性連接於複數個連接墊之至少一個。
简体摘要：本发明之实施形态抑制焊接部位之增加。实施形态之半导体设备系可借由与插座连接而进行利用USB之数据发送者，且包含壳体、电路基板、及第2外部连接端子，该壳体具有开口部，该电路基板被插入至开口部且包含：布线基板，其包含具有可与插座连接之第1外部连接端子之复数个连接垫；及半导体芯片，其搭载于布线基板；该第2外部连接端子包含：被固接部，其固接于开口部之内壁；插座连接部，其设置于与被固接部相同面，且可与插座连接；以及第1垫连接部及第2垫连接部，其等设置于被固接部之相反面，且电性连接于复数个连接垫之至少一个。

5. 发明专利

TW201436152A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201436152A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102128726
申请日：2013-08-09
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：本間莊一 , HOMMA, SOICHI , 松浦永悟 , MATSUURA, EIGO , 志摩真也 , SHIMA, MASAYA , 向田秀子 , MUKAIDA, HIDEKO , 青木秀夫 , AOKI, HIDEO
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/532
CPC分类号： H01L24/96 , H01L21/568 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/3511
摘要：本發明係提供一種即便於TCT中亦不產生斷裂之可靠性較高之半導體裝置。本發明之半導體裝置包含：半導體晶片1；第1樹脂2，其係以露出半導體晶片1之表面之方式，將半導體晶片1嵌入；第2樹脂3，其形成於與半導體晶片1之表面位於同一面上之第1樹脂2之面；再配線層4，其形成於第2樹脂3上，且電性連接於上述半導體晶片1；外部連接端子5，其形成於配線層4上；及金屬板6，其形成於與第1樹脂2之嵌入有半導體晶片1之面對向之相反側之面；且上述第1樹脂2其彈性模數為0.5~5 GPa。
简体摘要：本发明系提供一种即便于TCT中亦不产生断裂之可靠性较高之半导体设备。本发明之半导体设备包含：半导体芯片1；第1树脂2，其系以露出半导体芯片1之表面之方式，将半导体芯片1嵌入；第2树脂3，其形成于与半导体芯片1之表面位于同一面上之第1树脂2之面；再配线层4，其形成于第2树脂3上，且电性连接于上述半导体芯片1；外部连接端子5，其形成于配线层4上；及金属板6，其形成于与第1树脂2之嵌入有半导体芯片1之面对向之相反侧之面；且上述第1树脂2其弹性模数为0.5~5 GPa。

6. 发明专利

TW201711171A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201711171A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105106188
申请日：2016-03-01
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：松浦永悟 , MATSUURA, EIGO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/538 , H01L21/52 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/32145 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要：本發明之實施形態提供一種可提高半導體晶片之層疊構造之接著強度的半導體裝置及其製造方法。實施形態之半導體裝置包括構造體、作為第2半導體晶片之控制器晶片12、及作為第3半導體晶片之DRAM晶片13。構造體包含作為第1半導體晶片之NAND晶片11。構造體設於基板10之第1區域。第2半導體晶片設於基板10之第2區域。第3半導體晶片架設於構造體之上表面與第2半導體晶片之上表面而配置。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可提高半导体芯片之层叠构造之接着强度的半导体设备及其制造方法。实施形态之半导体设备包括构造体、作为第2半导体芯片之控制器芯片12、及作为第3半导体芯片之DRAM芯片13。构造体包含作为第1半导体芯片之NAND芯片11。构造体设于基板10之第1区域。第2半导体芯片设于基板10之第2区域。第3半导体芯片架设于构造体之上表面与第2半导体芯片之上表面而配置。

7. 发明专利

TW201711118A 半導體裝置之製造方法及製造裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及制造设备
公开(公告)号：TW201711118A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105106193
申请日：2016-03-01
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：松浦永悟 , MATSUURA, EIGO
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/67
CPC分类号： H01L24/83 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：本發明之實施形態提供一種可抑制半導體晶片彎曲之半導體裝置之製造方法及製造裝置。於實施形態之半導體裝置之製造方法中，將作為第1半導體晶片之控制器晶片11載置於基板10。將貼合有接著層12之作為第2半導體晶片之NAND晶片21以將接著層12朝向基板10側之狀態載置於基板10。在將第2半導體晶片載置於基板10時，以接著層12中第1部分之黏度低於第2部分之黏度之狀態，將第1半導體晶片埋入接著層12。第1部分係接著層12中位於載置於第1半導體晶片上之範圍之部分。第2部分係接著層12中位於第1部分之周圍之部分。介隔接著層12將第2半導體晶片接著於基板10。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可抑制半导体芯片弯曲之半导体设备之制造方法及制造设备。于实施形态之半导体设备之制造方法中，将作为第1半导体芯片之控制器芯片11载置于基板10。将贴合有接着层12之作为第2半导体芯片之NAND芯片21以将接着层12朝向基板10侧之状态载置于基板10。在将第2半导体芯片载置于基板10时，以接着层12中第1部分之黏度低于第2部分之黏度之状态，将第1半导体芯片埋入接着层12。第1部分系接着层12中位于载置于第1半导体芯片上之范围之部分。第2部分系接着层12中位于第1部分之周围之部分。介隔接着层12将第2半导体芯片接着于基板10。

8. 发明专利

TW201613004A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201613004A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104106906
申请日：2015-03-04
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：渡邊勝好 , WATANABE, KATSUYOSHI , 中村三昌 , NAKAMURA, MITSUMASA , 松浦永悟 , MATSUURA, EIGO
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：本發明之實施形態可藉由組裝後之動作測試而容易地檢查記憶體與控制器之間之信號之狀態。實施形態之半導體記憶裝置包括：配線基板；記憶體；接合線，其將配線基板與記憶體電性連接；記憶體控制器；及絕緣樹脂層。配線基板包括：接合墊，其設置於第1面，且具有接合有接合線之接合部、及通孔焊盤部；通孔，其以重疊於通孔焊盤部之方式貫通配線基板；以及連接墊，其以重疊於通孔之方式設置於第2面，經由通孔與接合墊電性連接，並且以包含通孔之一部分之方式於第2面露出。
简体摘要：本发明之实施形态可借由组装后之动作测试而容易地检查内存与控制器之间之信号之状态。实施形态之半导体记忆设备包括：配线基板；内存；接合线，其将配线基板与内存电性连接；内存控制器；及绝缘树脂层。配线基板包括：接合垫，其设置于第1面，且具有接合有接合线之接合部、及通孔焊盘部；通孔，其以重叠于通孔焊盘部之方式贯通配线基板；以及连接垫，其以重叠于通孔之方式设置于第2面，经由通孔与接合垫电性连接，并且以包含通孔之一部分之方式于第2面露出。

9. 发明专利

TW201436129A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201436129A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102126727
申请日：2013-07-25
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：青木秀夫 , AOKI, HIDEO , 松浦永悟 , MATSUURA, EIGO
IPC分类号： H01L23/34 , H01L27/105
CPC分类号： H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明之目的在於提供一種可將控制器所產生之熱有效地放熱之半導體記憶裝置。本發明之實施形態之半導體記憶裝置包含半導體記憶體、及配置於半導體記憶體上且控制半導體記憶體之控制器。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可将控制器所产生之热有效地放热之半导体记忆设备。本发明之实施形态之半导体记忆设备包含半导体内存、及配置于半导体内存上且控制半导体内存之控制器。

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