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1. 发明专利

TWI456795B 半導體發光元件失效
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TWI456795B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW099129501
申请日：2010-09-01
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤俊秀 , ITO, TOSHIHIDE , 橘浩一 , TACHIBANA, KOICHI , 布上真也 , NUNOUE, SHINYA
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L31/022466 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L33/42

2. 发明专利

TW201131807A 半導體發光元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
公开(公告)号：TW201131807A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099129921
申请日：2010-09-03
申请人：東芝股份有限公司
发明人：木村重哉 , 名古肇 , 岡俊行 , 橘浩一 , 彥坂年輝 , 布上真也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要：根據一實施例,一種半導體發光元件包括n-型半導體層,其包括氮化物半導體、p-型半導體層,其包括氮化物半導體、發光部、以及堆疊體。該發光部設置在該n-型及p-型半導體層之間並包括障壁層及井層。該井層與該障壁層堆疊。該堆疊體設置在該發光部及該n-型半導體層之間並包括第一層及第二層。該第二層與該第一層堆疊。該堆疊體的平均In組成物比率高於該發光部之平均In組成物比率的0.4倍。該障壁層的層厚度tb為10奈米或以下。
简体摘要：根据一实施例,一种半导体发光组件包括n-型半导体层,其包括氮化物半导体、p-型半导体层,其包括氮化物半导体、发光部、以及堆栈体。该发光部设置在该n-型及p-型半导体层之间并包括障壁层及井层。该井层与该障壁层堆栈。该堆栈体设置在该发光部及该n-型半导体层之间并包括第一层及第二层。该第二层与该第一层堆栈。该堆栈体的平均In组成物比率高于该发光部之平均In组成物比率的0.4倍。该障壁层的层厚度tb为10奈米或以下。

3. 发明专利

TW201131813A 半導體發光元件 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE 失效
简体标题：半导体发光组件 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201131813A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099129501
申请日：2010-09-01
申请人：東芝股份有限公司
发明人：伊藤俊秀 , 橘浩一 , 布上真也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/022466 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L33/42
摘要：根據實施形態,提供一種在透明導電體使用ITON層的低驅動電壓、高發光效率,且發光强度分佈均勻化的半導體發光元件。一種半導體發光元件,其特徵為具有:基板;和形成在基板上的n型半導體層;和形成在n型半導體層上的活性層;和形成在活性層上,且最上部為p型GaN層的p型半導體層;和形成在p型GaN層的ITON(氧氮化銦錫)層;和形成在ITON層上的ITO(氧化銦錫)層;和形成在ITO層上的一部分的第一金屬電極;和連接到n型半導體層所形成的第二金屬電極。
简体摘要：根据实施形态,提供一种在透明导电体使用ITON层的低驱动电压、高发光效率,且发光强度分布均匀化的半导体发光组件。一种半导体发光组件,其特征为具有:基板;和形成在基板上的n型半导体层;和形成在n型半导体层上的活性层;和形成在活性层上,且最上部为p型GaN层的p型半导体层;和形成在p型GaN层的ITON(氧氮化铟锡)层;和形成在ITON层上的ITO(氧化铟锡)层;和形成在ITO层上的一部分的第一金属电极;和连接到n型半导体层所形成的第二金属电极。

4. 发明专利

TWI478383B 半導體發光裝置失效
简体标题：半导体发光设备
公开(公告)号：TWI478383B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW099129502
申请日：2010-09-01
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：名古肇 , NAGO, HAJIME , 橘浩一 , TACHIBANA, KOICHI , 彥坂年輝 , HIKOSAKA, TOSHIKI , 木村重哉 , KIMURA, SHIGEYA , 布上真也 , NUNOUE, SHINYA
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/12 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01S5/34333

5. 发明专利

TWI434434B 半導體發光元件及其製造方法有权
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI434434B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW099129921
申请日：2010-09-03
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：木村重哉 , KIMURA, SHIGEYA , 名古肇 , NAGO, HAJIME , 岡俊行 , OKA, TOSHIYUKI , 橘浩一 , TACHIBANA, KOICHI , 彥坂年輝 , HIKOSAKA, TOSHIKI , 布上真也 , NUNOUE, SHINYA
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/26
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3216 , H01S5/34333

6. 发明专利

TW201535783A 光半導體元件审中-公开
简体标题：光半导体组件
公开(公告)号：TW201535783A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103123046
申请日：2014-07-03
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：鹽田倫也 , SHIODA, TOMONARI , 橘浩一 , TACHIBANA, KOICHI
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/32
摘要：實施形態提供一種結晶缺陷之影響經抑制之高效率之光半導體元件。實施形態之光半導體元件包含第1導電型之第1氮化物半導體層、第2導電型之第2氮化物半導體層、及設置於上述第1氮化物半導體層與上述第2氮化物半導體層之間之活性層。上述光半導體元件具有凹坑，該凹坑於上述活性層中具有始點，且沿自上述始點朝向上述第2氮化物半導體層之第1方向擴展。
简体摘要：实施形态提供一种结晶缺陷之影响经抑制之高效率之光半导体组件。实施形态之光半导体组件包含第1导电型之第1氮化物半导体层、第2导电型之第2氮化物半导体层、及设置于上述第1氮化物半导体层与上述第2氮化物半导体层之间之活性层。上述光半导体组件具有凹坑，该凹坑于上述活性层中具有始点，且沿自上述始点朝向上述第2氮化物半导体层之第1方向扩展。

7. 发明专利

TW201130157A 半導體發光裝置 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 失效
简体标题：半导体发光设备 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201130157A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099129502
申请日：2010-09-01
申请人：東芝股份有限公司
发明人：名古肇 , 橘浩一 , 彥坂年輝 , 木村重哉 , 布上真也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/12 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01S5/34333
摘要：根據一個實施例,半導體發光裝置包括n型及p型半導體層、一發光部份、一多層式結構本體、及一n側中間層。該發光部份被設置在該等半導體層之間。該發光部份包括含有GaN之隔離層、及一設置在該等隔離層間之井層。該井層包含Inx1Ga1-x1N。該本體被設置在該n型半導體層及該發光部份之間。本體包括:含有GaN之第一層、及被設置在該等第一層間之第二層。該第二層包含Inx2Ga1-x2N。第二銦組成比率x2係不少於該第一銦組成比率x1之0.6倍,且係低於該第一銦組成比率x1。該中間層被設置在該本體及該發光部份之間,且包括含有Aly1Ga1-y1N(0
简体摘要：根据一个实施例,半导体发光设备包括n型及p型半导体层、一发光部份、一多层式结构本体、及一n侧中间层。该发光部份被设置在该等半导体层之间。该发光部份包括含有GaN之隔离层、及一设置在该等隔离层间之井层。该井层包含Inx1Ga1-x1N。该本体被设置在该n型半导体层及该发光部份之间。本体包括:含有GaN之第一层、及被设置在该等第一层间之第二层。该第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二铟组成比率x2系不少于该第一铟组成比率x1之0.6倍,且系低于该第一铟组成比率x1。该中间层被设置在该本体及该发光部份之间,且包括含有Aly1Ga1-y1N(0

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