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1. 发明专利

TW200421020A 正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN 审中-公开
简体标题：正型光阻组成物及光阻图型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
公开(公告)号：TW200421020A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW093103071
申请日：2004-02-10
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 加藤哲也 KATO, TETSUYA , 中島哲矢 NAKAJIMA, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：提供於高溫後烘烤步驟中可防止光阻圖型變形，並且可減低高溫加熱時之脫氧量的正型光阻組成物。此正型光阻組成物為含有(A)換算成聚苯乙烯之質量平均分子量(Mw)為20000以上且二核體含量為4％以下的鹼性可溶性酚醛清漆樹脂，(B)分子量為1000以下之含有酚性羥基的化合物，(C)含有二疊氮基的化合物，及(D)有機溶劑所構成。
简体摘要：提供于高温后烘烤步骤中可防止光阻图型变形，并且可减低高温加热时之脱氧量的正型光阻组成物。此正型光阻组成物为含有(A)换算成聚苯乙烯之质量平均分子量(Mw)为20000以上且二核体含量为4％以下的碱性可溶性酚醛清漆树脂，(B)分子量为1000以下之含有酚性羟基的化合物，(C)含有二叠氮基的化合物，及(D)有机溶剂所构成。

2. 发明专利

TW200719030A 光阻液供給裝置及用以得到該光阻液供給裝置之改造套件审中-公开
简体标题：光阻液供给设备及用以得到该光阻液供给设备之改造套件
公开(公告)号：TW200719030A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：TW095129983
申请日：2006-08-15
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 長谷川透 HASEGAWA, TORU
IPC分类号： G02F , B05C , G03F
摘要：本發明之課題係提供一種光阻液供給裝置,在謀求降低光阻液的運送成本之同時,可以避免使用可直接連結在目前之LCD面板製造線路上之昂貴的小型專用容器,能夠削減光阻液的總供給成本。本發明之解決手段係提供一種光阻液供給裝置,先檢測調配槽內的液體濃度及黏度中的至少一方,基於該檢測結果來調整原料液和溶劑的注入分量,用以進行稀釋控制之同時,藉由緩衝槽在一定期間貯存該稀釋控制所得到的製品用光阻液而使其穩定化。
简体摘要：本发明之课题系提供一种光阻液供给设备,在谋求降低光阻液的运送成本之同时,可以避免使用可直接链接在目前之LCD皮肤制造线路上之昂贵的小型专用容器,能够削减光阻液的总供给成本。本发明之解决手段系提供一种光阻液供给设备,先检测调配槽内的液体浓度及黏度中的至少一方,基于该检测结果来调整原料液和溶剂的注入分量,用以进行稀释控制之同时,借由缓冲槽在一定期间贮存该稀释控制所得到的制品用光阻液而使其稳定化。

3. 发明专利

TW594391B 液晶元件用增强化學性正型光阻組成物失效
简体标题：液芯片件用增强化学性正型光阻组成物
公开(公告)号：TW594391B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091116898
申请日：2002-07-29
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：新田和行 NITTA, KAZUYUKI , 加藤哲也 KATO, TETSUYA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO
IPC分类号： G03F
摘要：提供價格低、解像性及感度優、膜損小等優異特性之液晶元件用增強化學性正型光阻組成物及使用該物的光阻圖案。
(A)成分為對2.38質量%氫氧化四甲基銨水溶液的鹼溶解性範圍為37.5~100nm/秒的酚醛清漆型樹脂所成的鹼可溶性樹脂、(B)成分為以放射線照射產生酸的化合物及(C)成分為交聯性聚乙烯酯化合物，(A)~(C)成分以有機溶劑溶解成為的液晶元件用增強化學性正型光阻組成物；及於玻璃基板上以相關的液晶元件用增強化學性正型光阻組成物塗覆成膜，乾燥後，介以圖案罩膜後曝光，曝光後施以加熱處理，其次經由鹼顯影步驟得到液晶元件用光阻圖案。
简体摘要：提供价格低、解像性及感度优、膜损小等优异特性之液芯片件用增强化学性正型光阻组成物及使用该物的光阻图案。 (A)成分为对2.38质量%氢氧化四甲基铵水溶液的碱溶解性范围为37.5~100nm/秒的酚醛清漆型树脂所成的碱可溶性树脂、(B)成分为以放射线照射产生酸的化合物及(C)成分为交联性聚乙烯酯化合物，(A)~(C)成分以有机溶剂溶解成为的液芯片件用增强化学性正型光阻组成物；及于玻璃基板上以相关的液芯片件用增强化学性正型光阻组成物涂复成膜，干燥后，介以图案罩膜后曝光，曝光后施以加热处理，其次经由碱显影步骤得到液芯片件用光阻图案。

4. 发明专利

TWI305294B 用於噴嘴排出式塗敷法之正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE TYPE APPLICATION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD 有权
简体标题：用于喷嘴排出式涂敷法之正型光阻组成物及光阻图型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE TYPE APPLICATION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
公开(公告)号：TWI305294B
公开(公告)日：2009-01-11
申请号：TW093108900
申请日：2004-03-31
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 加藤哲也 KATO, TETSUYA , 中島哲矢 NAKAJIMA, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：具有使排出噴嘴與基板相對移動將正型光阻組成物塗敷於基板之塗敷面全面之過程的噴嘴排出式塗敷法所用之正型光阻組成物,其特徵為:含有(A)聚苯乙烯換算質量平均分子量(Mw)6000以上之鹼可溶酚醛清漆樹脂,(C)含有二疊氮基之化合物,以及(D)有機溶劑而成。
简体摘要：具有使排出喷嘴与基板相对移动将正型光阻组成物涂敷于基板之涂敷面全面之过程的喷嘴排出式涂敷法所用之正型光阻组成物,其特征为:含有(A)聚苯乙烯换算质量平均分子量(Mw)6000以上之碱可溶酚醛清漆树脂,(C)含有二叠氮基之化合物,以及(D)有机溶剂而成。

5. 发明专利

TW200513799A 排出噴嘴式塗佈法用正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE-COATING METHOD AND FORMATION METHOD OF RESIST PATTERN 审中-公开
简体标题：排出喷嘴式涂布法用正型光阻组成物及光阻图型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE-COATING METHOD AND FORMATION METHOD OF RESIST PATTERN
公开(公告)号：TW200513799A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW093127664
申请日：2004-09-13
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 加藤哲也 KATO, TETSUYA , 中島哲矢 NAKAJIMA, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：本發明提供適合使用於排出噴嘴式之光阻塗佈法的正型光阻組成物；此組成物係，具有依排出噴嘴與基板之相對移動將正型光阻組成物塗佈於基板的塗佈面全面之步驟，的排出噴嘴式塗佈法中所使用之正型光阻組成物；含(A)鹼可溶性酚醛清漆樹脂、(B)分子量為1000以下之含酚性羥基化合物、(C)含二迭氮基化合物、及(D)有機溶劑而成，該(D)有機溶劑含有丙二醇單甲基醚乙酸酯。093127664-p01.bmp
简体摘要：本发明提供适合使用于排出喷嘴式之光阻涂布法的正型光阻组成物；此组成物系，具有依排出喷嘴与基板之相对移动将正型光阻组成物涂布于基板的涂布面全面之步骤，的排出喷嘴式涂布法中所使用之正型光阻组成物；含(A)碱可溶性酚醛清漆树脂、(B)分子量为1000以下之含酚性羟基化合物、(C)含二迭氮基化合物、及(D)有机溶剂而成，该(D)有机溶剂含有丙二醇单甲基醚乙酸酯。093127664-p01.bmp

6. 发明专利

TWI304917B 噴嘴排出式塗敷法用正型光阻組成物及光阻圖案之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE TYPE APPLICATION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD 有权
简体标题：喷嘴排出式涂敷法用正型光阻组成物及光阻图案之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE TYPE APPLICATION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
公开(公告)号：TWI304917B
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW093111012
申请日：2004-04-20
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 加藤哲也 KATO, TETSUYA , 中島哲矢 NAKAJIMA, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：本發明係提供一種噴嘴排出式塗敷法用正型光阻組成物,係用於含有藉由使排出噴嘴與基板相對移動,塗佈正型光阻組成物於基板的全部塗佈面的步驟之噴嘴排出式塗佈法之正型光阻組成物,其特徵為:包含(A)鹼可溶性酚醛清漆樹脂;(C)含二疊氮(naphthoquinone diazide)基化合物;(D)有機溶劑;以及,(E)界面活性劑所成,該(E)界面活性劑的含有量在900 ppm以下。
简体摘要：本发明系提供一种喷嘴排出式涂敷法用正型光阻组成物,系用于含有借由使排出喷嘴与基板相对移动,涂布正型光阻组成物于基板的全部涂布面的步骤之喷嘴排出式涂布法之正型光阻组成物,其特征为:包含(A)碱可溶性酚醛清漆树脂;(C)含二叠氮(naphthoquinone diazide)基化合物;(D)有机溶剂;以及,(E)界面活性剂所成,该(E)界面活性剂的含有量在900 ppm以下。

7. 发明专利

TWI299434B 無旋轉塗佈方式用正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR NONE-SPIN COATING METHOD AND FORMATION METHOD OF RESIST PATTERN 有权
简体标题：无旋转涂布方式用正型光阻组成物及光阻图型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR NONE-SPIN COATING METHOD AND FORMATION METHOD OF RESIST PATTERN
公开(公告)号：TWI299434B
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW094106840
申请日：2005-03-07
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 加藤哲也 KATO, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：本發明係提供適用於無旋轉塗佈方式之正型光阻組成物。該組成物為,具備相對性移動吐出噴嘴及基板,而將正型光阻組成物塗佈於全部基板塗佈面之步驟的無旋轉塗佈方式所用之正型光阻組成物中,含有(A)鹼可溶性樹脂、(B)二疊氮酯化合物及(D)有機溶劑、且該組成物之黏度為1至10cp。
简体摘要：本发明系提供适用于无旋转涂布方式之正型光阻组成物。该组成物为,具备相对性移动吐出喷嘴及基板,而将正型光阻组成物涂布于全部基板涂布面之步骤的无旋转涂布方式所用之正型光阻组成物中,含有(A)碱可溶性树脂、(B)二叠氮酯化合物及(D)有机溶剂、且该组成物之黏度为1至10cp。

8. 发明专利

TWI266956B 排出噴嘴式塗佈法用正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE-COATING METHOD AND FORMATION METHOD OF RESIST PATTERN 有权
简体标题：排出喷嘴式涂布法用正型光阻组成物及光阻图型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE-COATING METHOD AND FORMATION METHOD OF RESIST PATTERN
公开(公告)号：TWI266956B
公开(公告)日：2006-11-21
申请号：TW093127664
申请日：2004-09-13
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 加藤哲也 KATO, TETSUYA , 中島哲矢 NAKAJIMA, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：本發明提供適合使用於排出噴嘴式之光阻塗佈法的正型光阻組成物；此組成物係，具有依排出噴嘴與基板之相對移動將正型光阻組成物塗佈於基板的塗佈面全面之步驟，的排出噴嘴式塗佈法中所使用之正型光阻組成物；含( A)鹼可溶性酚醛清漆樹脂、(B)分子量為1000以下之含酚性羥基化合物、(C)含二迭氮基化合物、及(D)有機溶劑而成，該(D)有機溶劑含有丙二醇單甲基醚乙酸酯。
简体摘要：本发明提供适合使用于排出喷嘴式之光阻涂布法的正型光阻组成物；此组成物系，具有依排出喷嘴与基板之相对移动将正型光阻组成物涂布于基板的涂布面全面之步骤，的排出喷嘴式涂布法中所使用之正型光阻组成物；含( A)碱可溶性酚醛清漆树脂、(B)分子量为1000以下之含酚性羟基化合物、(C)含二迭氮基化合物、及(D)有机溶剂而成，该(D)有机溶剂含有丙二醇单甲基醚乙酸酯。

9. 发明专利

TW200502683A 噴嘴排出式塗敷法用正型光阻組成物及光阻圖案之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE TYPE APPLICATION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD 审中-公开
简体标题：喷嘴排出式涂敷法用正型光阻组成物及光阻图案之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE TYPE APPLICATION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
公开(公告)号：TW200502683A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093111012
申请日：2004-04-20
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 加藤哲也 KATO, TETSUYA , 中島哲矢 NAKAJIMA, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：本發明係提供一種噴嘴排出式塗敷法用正型光阻組成物，係用於含有藉由使排出噴嘴與基板相對移動，塗佈正型光阻組成物於基板的全部塗佈面的步驟之噴嘴排出式塗佈法之正型光阻組成物，其特徵為：包含(A)鹼可溶性酚醛清漆樹脂；(C)含二疊氮(naphthoquinone diazide)基化合物；(D)有機溶劑；以及，(E)界面活性劑所成，該(E)界面活性劑的含有量在900ppm以下。
简体摘要：本发明系提供一种喷嘴排出式涂敷法用正型光阻组成物，系用于含有借由使排出喷嘴与基板相对移动，涂布正型光阻组成物于基板的全部涂布面的步骤之喷嘴排出式涂布法之正型光阻组成物，其特征为：包含(A)碱可溶性酚醛清漆树脂；(C)含二叠氮(naphthoquinone diazide)基化合物；(D)有机溶剂；以及，(E)界面活性剂所成，该(E)界面活性剂的含有量在900ppm以下。

10. 发明专利

TW591333B 正型光阻組成物及液晶顯示元件製造用之光阻圖型的形成方法有权
简体标题：正型光阻组成物及液晶显示组件制造用之光阻图型的形成方法
公开(公告)号：TW591333B
公开(公告)日：2004-06-11
申请号：TW091135081
申请日：2002-12-03
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：加藤哲也 KATO, TETSUYA , 森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO
IPC分类号： G03F
摘要：提供價廉、且使用於大型玻璃基板的製程時，其總體的特性(塗覆性、加熱不均勻特性、顯像不均勻特性)亦優的光阻材料。又，提供適於系統LCD製造的線性優，適用於i線曝光的光阻材料。
相對於100重量份鹼可溶性樹脂(A)，含5~25重量份作為增感劑的具特定化學構造酚化合物(B)，及對100質量份(A)成分及(B)成分的總質量，含有15~40質量份具特定化學構造的2種具1,2-二迭氮基-5-磺醯基的苯二迭氮基酯化合物的正型光阻組成物。
简体摘要：提供价廉、且使用于大型玻璃基板的制程时，其总体的特性(涂覆性、加热不均匀特性、显像不均匀特性)亦优的光阻材料。又，提供适于系统LCD制造的线性优，适用于i线曝光的光阻材料。相对于100重量份碱可溶性树脂(A)，含5~25重量份作为增感剂的具特定化学构造酚化合物(B)，及对100质量份(A)成分及(B)成分的总质量，含有15~40质量份具特定化学构造的2种具1,2-二迭氮基-5-磺酰基的苯二迭氮基酯化合物的正型光阻组成物。

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