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1. 发明专利

TWI305294B 用於噴嘴排出式塗敷法之正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE TYPE APPLICATION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD 有权
简体标题：用于喷嘴排出式涂敷法之正型光阻组成物及光阻图型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE TYPE APPLICATION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
公开(公告)号：TWI305294B
公开(公告)日：2009-01-11
申请号：TW093108900
申请日：2004-03-31
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 加藤哲也 KATO, TETSUYA , 中島哲矢 NAKAJIMA, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：具有使排出噴嘴與基板相對移動將正型光阻組成物塗敷於基板之塗敷面全面之過程的噴嘴排出式塗敷法所用之正型光阻組成物,其特徵為:含有(A)聚苯乙烯換算質量平均分子量(Mw)6000以上之鹼可溶酚醛清漆樹脂,(C)含有二疊氮基之化合物,以及(D)有機溶劑而成。
简体摘要：具有使排出喷嘴与基板相对移动将正型光阻组成物涂敷于基板之涂敷面全面之过程的喷嘴排出式涂敷法所用之正型光阻组成物,其特征为:含有(A)聚苯乙烯换算质量平均分子量(Mw)6000以上之碱可溶酚醛清漆树脂,(C)含有二叠氮基之化合物,以及(D)有机溶剂而成。

2. 发明专利

TW200513799A 排出噴嘴式塗佈法用正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE-COATING METHOD AND FORMATION METHOD OF RESIST PATTERN 审中-公开
简体标题：排出喷嘴式涂布法用正型光阻组成物及光阻图型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISCHARGE NOZZLE-COATING METHOD AND FORMATION METHOD OF RESIST PATTERN
公开(公告)号：TW200513799A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW093127664
申请日：2004-09-13
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 加藤哲也 KATO, TETSUYA , 中島哲矢 NAKAJIMA, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：本發明提供適合使用於排出噴嘴式之光阻塗佈法的正型光阻組成物；此組成物係，具有依排出噴嘴與基板之相對移動將正型光阻組成物塗佈於基板的塗佈面全面之步驟，的排出噴嘴式塗佈法中所使用之正型光阻組成物；含(A)鹼可溶性酚醛清漆樹脂、(B)分子量為1000以下之含酚性羥基化合物、(C)含二迭氮基化合物、及(D)有機溶劑而成，該(D)有機溶劑含有丙二醇單甲基醚乙酸酯。093127664-p01.bmp
简体摘要：本发明提供适合使用于排出喷嘴式之光阻涂布法的正型光阻组成物；此组成物系，具有依排出喷嘴与基板之相对移动将正型光阻组成物涂布于基板的涂布面全面之步骤，的排出喷嘴式涂布法中所使用之正型光阻组成物；含(A)碱可溶性酚醛清漆树脂、(B)分子量为1000以下之含酚性羟基化合物、(C)含二迭氮基化合物、及(D)有机溶剂而成，该(D)有机溶剂含有丙二醇单甲基醚乙酸酯。093127664-p01.bmp

3. 发明专利

TWI311078B 光阻劑稀釋系統有权
简体标题：光阻剂稀释系统
公开(公告)号：TWI311078B
公开(公告)日：2009-06-21
申请号：TW095140798
申请日：2006-11-03
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 長谷川透 HASEGAWA, TORU , 室伏榮治 MUROBUSHI, EIJI
IPC分类号： B05C , B05B
摘要： [課題]本發明,係提供一種具備流動有高黏度光阻劑等之易於乾燥的液體之配管的光阻劑稀釋系統。
[解決手段]光阻劑稀釋系統1,係具備有:配管3,其係具有高黏度光阻劑用配管3a,稀釋溶劑用配管3b,及1個流出部3e;和調製槽2,其係將藉由高黏度光阻劑用配管3a而流入且藉由流出部3e而流出之高黏度光阻劑,與藉由稀釋溶劑用配管3b而流入且藉由流出部3e而流出之稀釋溶劑混合。藉由使用該光阻劑稀釋系統1,在使用時,稀釋溶劑能恆常地將殘留於配管之表面的高黏度光阻劑洗淨。
简体摘要： [课题]本发明,系提供一种具备流动有高黏度光阻剂等之易于干燥的液体之配管的光阻剂稀释系统。 [解决手段]光阻剂稀释系统1,系具备有:配管3,其系具有高黏度光阻剂用配管3a,稀释溶剂用配管3b,及1个流出部3e;和调制槽2,其系将借由高黏度光阻剂用配管3a而流入且借由流出部3e而流出之高黏度光阻剂,与借由稀释溶剂用配管3b而流入且借由流出部3e而流出之稀释溶剂混合。借由使用该光阻剂稀释系统1,在使用时,稀释溶剂能恒常地将残留于配管之表面的高黏度光阻剂洗净。

4. 发明专利

TW200719980A 光阻劑稀釋系統审中-公开
简体标题：光阻剂稀释系统
公开(公告)号：TW200719980A
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095140798
申请日：2006-11-03
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 長谷川透 HASEGAWA, TORU , 室伏榮治 MUROBUSHI, EIJI
IPC分类号： B05C , B05B
摘要：【課題】本發明,係提供一種具備流動有高黏度光阻劑等之易於乾燥的液體之配管的光阻劑稀釋系統。【解決手段】光阻劑稀釋系統1,係具備有:配管3,其係具有高黏度光阻劑用配管3a,稀釋溶劑用配管3b,及1個流出部3e;和調製槽2,其係將藉由高黏度光阻劑用配管3a而流入且藉由流出部3e而流出之高黏度光阻劑,與藉由稀釋溶劑用配管3b而流入且藉由流出部3e而流出之稀釋溶劑混合。藉由使用該光阻劑稀釋系統1,在使用時,稀釋溶劑能恆常地將殘留於配管之表面的高黏度光阻劑洗淨。
简体摘要：【课题】本发明,系提供一种具备流动有高黏度光阻剂等之易于干燥的液体之配管的光阻剂稀释系统。【解决手段】光阻剂稀释系统1,系具备有:配管3,其系具有高黏度光阻剂用配管3a,稀释溶剂用配管3b,及1个流出部3e;和调制槽2,其系将借由高黏度光阻剂用配管3a而流入且借由流出部3e而流出之高黏度光阻剂,与借由稀释溶剂用配管3b而流入且借由流出部3e而流出之稀释溶剂混合。借由使用该光阻剂稀释系统1,在使用时,稀释溶剂能恒常地将残留于配管之表面的高黏度光阻剂洗净。

5. 发明专利

TW200421020A 正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN 审中-公开
简体标题：正型光阻组成物及光阻图型之形成方法 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
公开(公告)号：TW200421020A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW093103071
申请日：2004-02-10
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 加藤哲也 KATO, TETSUYA , 中島哲矢 NAKAJIMA, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：提供於高溫後烘烤步驟中可防止光阻圖型變形，並且可減低高溫加熱時之脫氧量的正型光阻組成物。此正型光阻組成物為含有(A)換算成聚苯乙烯之質量平均分子量(Mw)為20000以上且二核體含量為4％以下的鹼性可溶性酚醛清漆樹脂，(B)分子量為1000以下之含有酚性羥基的化合物，(C)含有二疊氮基的化合物，及(D)有機溶劑所構成。
简体摘要：提供于高温后烘烤步骤中可防止光阻图型变形，并且可减低高温加热时之脱氧量的正型光阻组成物。此正型光阻组成物为含有(A)换算成聚苯乙烯之质量平均分子量(Mw)为20000以上且二核体含量为4％以下的碱性可溶性酚醛清漆树脂，(B)分子量为1000以下之含有酚性羟基的化合物，(C)含有二叠氮基的化合物，及(D)有机溶剂所构成。

6. 发明专利

TWI307457B 光阻圖型之形成方法及使用其形成微細圖型之方法、以及液晶顯示元件之製造方法 RESIST PATTERN FORMATION METHOD, FINE PATTERN FORMATION METHOD USING THE SAME, AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT FABRICATION METHOD 有权
简体标题：光阻图型之形成方法及使用其形成微细图型之方法、以及液晶显示组件之制造方法 RESIST PATTERN FORMATION METHOD, FINE PATTERN FORMATION METHOD USING THE SAME, AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT FABRICATION METHOD
公开(公告)号：TWI307457B
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：TW093136163
申请日：2004-11-24
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA
IPC分类号： G03F , G02F , H01L
摘要：一種光阻圖型之形成方法,其特徵為具有下列步驟,(A)在基體10上形成光阻被膜之步驟,(B)經過含有選擇性曝光之光微影術步驟,使前述光阻被膜,予以圖型化成具有厚壁部r1與薄壁部r2之圖型形狀之步驟,及(C)進行前述圖型化後,進行UV固化處理,來形成具有厚壁部r1與薄壁部r2之段狀光阻圖型R之步驟。
简体摘要：一种光阻图型之形成方法,其特征为具有下列步骤,(A)在基体10上形成光阻被膜之步骤,(B)经过含有选择性曝光之光微影术步骤,使前述光阻被膜,予以图型化成具有厚壁部r1与薄壁部r2之图型形状之步骤,及(C)进行前述图型化后,进行UV固化处理,来形成具有厚壁部r1与薄壁部r2之段状光阻图型R之步骤。

7. 发明专利

TWI299818B 正型光阻組成物 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION 有权
简体标题：正型光阻组成物 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TWI299818B
公开(公告)日：2008-08-11
申请号：TW093118851
申请日：2004-06-28
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 加藤哲也 KATO, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：本發明為提供一種可解決於高反射性金屬膜上塗佈光
阻組成物以抑制霧斑產生所使用之中央滴入後旋轉塗佈法
中,抑制滴入痕跡產生並提高膜厚之均勻性,或於吐出噴
嘴式塗佈法中,抑制脊狀痕跡並提高膜厚均勻性之任一問
題,較佳為可解決全部問題之正型光阻組成物。此組成物
為含有(A)鹼可溶性清漆樹脂、(C)含二疊氮基之
化合物、(D)有機溶劑、及(E)含有特定重複單位之聚
酯改質聚二烷基矽氧烷系界面活性劑。
简体摘要：本发明为提供一种可解决于高反射性金属膜上涂布光阻组成物以抑制雾斑产生所使用之中央滴入后旋转涂布法中,抑制滴入痕迹产生并提高膜厚之均匀性,或于吐出喷嘴式涂布法中,抑制嵴状痕迹并提高膜厚均匀性之任一问题,较佳为可解决全部问题之正型光阻组成物。此组成物为含有(A)碱可溶性清漆树脂、(C)含二叠氮基之化合物、(D)有机溶剂、及(E)含有特定重复单位之聚酯改质聚二烷基硅氧烷系界面活性剂。

8. 发明专利

TW200823600A 感光性樹脂組成物及液晶面板用間隔物审中-公开
简体标题：感光性树脂组成物及液晶皮肤用间隔物
公开(公告)号：TW200823600A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096143749
申请日：2007-11-19
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 武內弘明 TAKEUCHI, HIROAKI , 前田將俊 MAEDA, MASATOSHI
IPC分类号： G03F , G02F
摘要：本發明提供一種可形成密著性高之液晶面板用間隔物的感光性樹脂組成物,以及由該感光性樹脂組成物形成之液晶面板用間隔物。本發明之感光性樹脂組成物係含有(A)光聚合性化合物、(B)光聚合起始劑以及(C)密著增强劑之感光性樹脂組成物,其特徵在於:上述(C)成分係具有含氮原子之基團的矽烷化合物,且與該氮原子鍵結之氫原子為1個以下;該感光性樹脂組成物適用於形成液晶面板用間隔物。
简体摘要：本发明提供一种可形成密着性高之液晶皮肤用间隔物的感光性树脂组成物,以及由该感光性树脂组成物形成之液晶皮肤用间隔物。本发明之感光性树脂组成物系含有(A)光聚合性化合物、(B)光聚合起始剂以及(C)密着增强剂之感光性树脂组成物,其特征在于:上述(C)成分系具有含氮原子之基团的硅烷化合物,且与该氮原子键结之氢原子为1个以下;该感光性树脂组成物适用于形成液晶皮肤用间隔物。

9. 发明专利

TW200719030A 光阻液供給裝置及用以得到該光阻液供給裝置之改造套件审中-公开
简体标题：光阻液供给设备及用以得到该光阻液供给设备之改造套件
公开(公告)号：TW200719030A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：TW095129983
申请日：2006-08-15
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 青木知三郎 AOKI, TOMOSABURO , 長谷川透 HASEGAWA, TORU
IPC分类号： G02F , B05C , G03F
摘要：本發明之課題係提供一種光阻液供給裝置,在謀求降低光阻液的運送成本之同時,可以避免使用可直接連結在目前之LCD面板製造線路上之昂貴的小型專用容器,能夠削減光阻液的總供給成本。本發明之解決手段係提供一種光阻液供給裝置,先檢測調配槽內的液體濃度及黏度中的至少一方,基於該檢測結果來調整原料液和溶劑的注入分量,用以進行稀釋控制之同時,藉由緩衝槽在一定期間貯存該稀釋控制所得到的製品用光阻液而使其穩定化。
简体摘要：本发明之课题系提供一种光阻液供给设备,在谋求降低光阻液的运送成本之同时,可以避免使用可直接链接在目前之LCD皮肤制造线路上之昂贵的小型专用容器,能够削减光阻液的总供给成本。本发明之解决手段系提供一种光阻液供给设备,先检测调配槽内的液体浓度及黏度中的至少一方,基于该检测结果来调整原料液和溶剂的注入分量,用以进行稀释控制之同时,借由缓冲槽在一定期间贮存该稀释控制所得到的制品用光阻液而使其稳定化。

10. 发明专利

TW200512542A 正型光阻組成物 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION 审中-公开
简体标题：正型光阻组成物 POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TW200512542A
公开(公告)日：2005-04-01
申请号：TW093118851
申请日：2004-06-28
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森尾公隆 MORIO, KIMITAKA , 加藤哲也 KATO, TETSUYA
IPC分类号： G03F
摘要：本發明為提供一種可解決於高反射性金屬膜上塗佈光阻組成物以抑制霧斑產生所使用之中央滴入後旋轉塗佈法中，抑制滴入痕跡產生並提高膜厚之均勻性，或於吐出噴嘴式塗佈法中，抑制脊狀痕跡並提高膜厚均勻性之任一問題，較佳為可解決全部問題之正型光阻組成物。此組成物為含有(A)鹼可溶性清漆樹脂、(C)含二疊氮基之化合物、(D)有機溶劑、及(E)含有特定重複單位之聚酯改質聚二烷基矽氧烷系界面活性劑。093118851-p01.bmp
简体摘要：本发明为提供一种可解决于高反射性金属膜上涂布光阻组成物以抑制雾斑产生所使用之中央滴入后旋转涂布法中，抑制滴入痕迹产生并提高膜厚之均匀性，或于吐出喷嘴式涂布法中，抑制嵴状痕迹并提高膜厚均匀性之任一问题，较佳为可解决全部问题之正型光阻组成物。此组成物为含有(A)碱可溶性清漆树脂、(C)含二叠氮基之化合物、(D)有机溶剂、及(E)含有特定重复单位之聚酯改质聚二烷基硅氧烷系界面活性剂。093118851-p01.bmp

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