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1. 发明专利

TWI338192B 光阻組成物之評估方法 EVALUATION METHOD OF RESIST COMPOSITION 有权
简体标题：光阻组成物之评估方法 EVALUATION METHOD OF RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TWI338192B
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW094123917
申请日：2004-01-29
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：平山拓 , 羽田英夫 , 藤村悟史 , 岩井武 , 佐藤充 , 高須亮一 , 立川俊和 , 岩下淳 , 石塚啓太 , 山田知孝 , 高山壽一 , 吉田正昭
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明為提供一種於浸漬微影蝕刻(immersion lithography)處理步驟中所使用之溶媒具有安定性，且具有優良感度、優良光阻圖案外觀形狀之光阻組成物，及使用該光阻組成物之光阻圖案之形成方法。其為包含屬於某一參數範圍之光阻組成物，或含有酸解離性溶解抑制基，可因酸作用而增大鹼可溶性之樹脂成份(A)，與酸產生劑成分(B)，與有機溶劑，且前述(A)成分為含有(a1)由具有酸解離性溶解抑制基之（甲基）丙烯酸酯所衍生之結構單位，且不含有(a0)(a0－1)含二羧酸之無水物結構單位及(a0－2)含酚性羥基之結構單位的正型光阻組成物。
简体摘要：本发明为提供一种于浸渍微影蚀刻(immersion lithography)处理步骤中所使用之溶媒具有安定性，且具有优良感度、优良光阻图案外观形状之光阻组成物，及使用该光阻组成物之光阻图案之形成方法。其为包含属于某一参数范围之光阻组成物，或含有酸解离性溶解抑制基，可因酸作用而增大碱可溶性之树脂成份(A)，与酸产生剂成分(B)，与有机溶剂，且前述(A)成分为含有(a1)由具有酸解离性溶解抑制基之（甲基）丙烯酸酯所衍生之结构单位，且不含有(a0)(a0－1)含二羧酸之无水物结构单位及(a0－2)含酚性羟基之结构单位的正型光阻组成物。

2. 发明专利

TWI317461B 光阻組成物之評估方法 EVALUATION METHOD OF RESIST COMPOSITION 有权
简体标题：光阻组成物之评估方法 EVALUATION METHOD OF RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TWI317461B
公开(公告)日：2009-11-21
申请号：TW094123914
申请日：2004-01-29
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：平山拓 , 羽田英夫 , 藤村悟史 , 岩井武 , 佐藤充 , 高須亮一 , 立川俊和 , 岩下淳 , 石塚啟太 , 山田知孝 , 高山壽一 , 吉田正昭
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明為提供一種於浸漬微影蝕刻(immersion lithography)處理步驟中所使用之溶媒具有安定性，且具有優良感度、優良光阻圖案外觀形狀之光阻組成物，及使用該光阻組成物之光阻圖案之形成方法。其為包含屬於某一參數範圍之光阻組成物，或含有酸解離性溶解抑制基，可因酸作用而增大鹼可溶性之樹脂成份(A)，與酸產生劑成分(B)，與有機溶劑，且前述(A)成分為含有(a1)由具有酸解離性溶解抑制基之（甲基）丙烯酸酯所衍生之結構單位，且不含有(a0)(a0－1)含二羧酸之無水物結構單位及(a0－2)含酚性羥基之結構單位的正型光阻組成物。
简体摘要：本发明为提供一种于浸渍微影蚀刻(immersion lithography)处理步骤中所使用之溶媒具有安定性，且具有优良感度、优良光阻图案外观形状之光阻组成物，及使用该光阻组成物之光阻图案之形成方法。其为包含属于某一参数范围之光阻组成物，或含有酸解离性溶解抑制基，可因酸作用而增大碱可溶性之树脂成份(A)，与酸产生剂成分(B)，与有机溶剂，且前述(A)成分为含有(a1)由具有酸解离性溶解抑制基之（甲基）丙烯酸酯所衍生之结构单位，且不含有(a0)(a0－1)含二羧酸之无水物结构单位及(a0－2)含酚性羟基之结构单位的正型光阻组成物。

3. 发明专利

TW200300270A 圖案微細化用被覆形成劑及使用該形成劑形成微細圖案的方法审中-公开
简体标题：图案微细化用被覆形成剂及使用该形成剂形成微细图案的方法
公开(公告)号：TW200300270A
公开(公告)日：2003-05-16
申请号：TW091132603
申请日：2002-11-05
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：菅田祥樹 , 金子文武 , 立川俊和
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/40
摘要：揭示經予被覆於具有光阻圖案之基板上，利用其熱收縮作用並使光阻圖案間之間隔狹小並形成微細圖案而使用的圖案微細化用被覆形成劑，含有水溶性聚合物及界面活性劑為特徵之圖案微細化用被覆形成劑，及採用該被覆形成劑之微細圖案之形成方法。由本發明係予以提供可得圖案尺寸之控制性優越，同時具有良好的輪廓及於半導體裝置之要求特性的微細圖案之被覆形成劑及使用該形成劑微細圖案形成方法。
简体摘要：揭示经予被覆于具有光阻图案之基板上，利用其热收缩作用并使光阻图案间之间隔狭小并形成微细图案而使用的图案微细化用被覆形成剂，含有水溶性聚合物及界面活性剂为特征之图案微细化用被覆形成剂，及采用该被覆形成剂之微细图案之形成方法。由本发明系予以提供可得图案尺寸之控制性优越，同时具有良好的轮廓及于半导体设备之要求特性的微细图案之被覆形成剂及使用该形成剂微细图案形成方法。

4. 发明专利

TW500976B 用於微影圖案化之多層體有权
简体标题：用于微影图案化之多层体
公开(公告)号：TW500976B
公开(公告)日：2002-09-01
申请号：TW089116794
申请日：2000-08-18
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：立川俊和 , 金子文武 , 久保田尚孝 , 宮入美和 , 廣崎貴子 , 遠藤浩太朗
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/0382
摘要：本發明係揭示用於將光阻層微影圖案化而可獲得具有極佳橫截面外形的圖案化光阻層之多層體，該多層體結構包括，於基板表面上，位於底層之水不溶性抗反射膜及具下列組成的特定光阻組成物之負片作用型(negative- working)光阻層：(A)100重量份鹼溶性樹脂；(B)0.5至20重量份以光化射線照射可釋放酸之鹽
化合物；及(C)3至50重量份於N-位置被至少一個羥烷基或烷氧
烷基取代之甘化合物。
简体摘要：本发明系揭示用于将光阻层微影图案化而可获得具有极佳横截面外形的图案化光阻层之多层体，该多层体结构包括，于基板表面上，位于底层之水不溶性抗反射膜及具下列组成的特定光阻组成物之负片作用型(negative- working)光阻层：(A)100重量份碱溶性树脂；(B)0.5至20重量份以光化射线照射可释放酸之盐化合物；及(C)3至50重量份于N-位置被至少一个羟烷基或烷氧烷基取代之甘化合物。

5. 发明专利

TWI316165B 圖型微細化用被覆形成劑及使用其之微細圖型的形成方法 OVER-COATING AGENT FOR FORMING FINE PATTERNS AND A METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING SUCH AGENT 有权
简体标题：图型微细化用被覆形成剂及使用其之微细图型的形成方法 OVER-COATING AGENT FOR FORMING FINE PATTERNS AND A METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING SUCH AGENT
公开(公告)号：TWI316165B
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：TW094113715
申请日：2005-04-28
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：菅田祥樹 , 金子文武 , 立川俊和 , 上野直久
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/0338 , H01L21/31144
摘要：本發明係揭示一種用於被覆於具有光阻圖型之基板上，且利用該被覆的熱收縮作用縮小光阻圖型的間隔形成微細圖型之被覆形成劑，其為含有至少含甲基丙烯酸及/或甲基丙烯酸甲酯為構成單體之水溶性聚合物為特徵的圖型微細化用被覆形成劑，及使用該圖型微細化用被覆形成劑之微細圖型的形成方法。由本發明，提供較大曝光寬容度，對光阻圖型的尺寸控制可反映微細化圖型的尺寸控制，又，可維持熱收縮作用後的光阻圖型形狀之矩形而防止頂部成為圓狀之高熱收縮率的圖型微細化用被覆形成劑，及使用其之微細圖型的形成方法。
简体摘要：本发明系揭示一种用于被覆于具有光阻图型之基板上，且利用该被覆的热收缩作用缩小光阻图型的间隔形成微细图型之被覆形成剂，其为含有至少含甲基丙烯酸及/或甲基丙烯酸甲酯为构成单体之水溶性聚合物为特征的图型微细化用被覆形成剂，及使用该图型微细化用被覆形成剂之微细图型的形成方法。由本发明，提供较大曝光宽容度，对光阻图型的尺寸控制可反映微细化图型的尺寸控制，又，可维持热收缩作用后的光阻图型形状之矩形而防止顶部成为圆状之高热收缩率的图型微细化用被覆形成剂，及使用其之微细图型的形成方法。

6. 发明专利

TW544763B 減小光阻層中之圖案尺寸的方法有权
简体标题：减小光阻层中之图案尺寸的方法
公开(公告)号：TW544763B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091113288
申请日：2002-06-18
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：菅田祥樹 , 金子文武 , 立川俊和
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭示用以減小於基材上之圖案化光阻層的圖案尺寸俾達到增加的光阻圖案化平坦度之所謂的塗覆熱流法之改良，其中形成於該圖案化光阻層上之水溶性樹脂塗層係熱處理而引起該塗層之熱收縮以及該圖案尺寸之減小，接著以水清洗而移除該塗層。除了例如聚丙烯酸為主之聚合物的水溶性樹脂之外，藉著使用水性塗覆溶液與例如三乙醇胺之水溶性胺化合物混合而獲得該方法之改良。自包含依特定共聚合比率之 (甲基)丙烯酸與例如N-乙烯基咯烷酮、N-乙烯基咪唑烷酮及N-丙烯醯基嗎之含氮單體的共聚物，及N-乙烯基咯烷酮與N-乙烯基咪唑烷酮之共聚物的特定共聚物選擇該水溶性樹脂而獲得進一步之改良。
简体摘要：本发明揭示用以减小于基材上之图案化光阻层的图案尺寸俾达到增加的光阻图案化平坦度之所谓的涂覆热流法之改良，其中形成于该图案化光阻层上之水溶性树脂涂层系热处理而引起该涂层之热收缩以及该图案尺寸之减小，接着以水清洗而移除该涂层。除了例如聚丙烯酸为主之聚合物的水溶性树脂之外，借着使用水性涂覆溶液与例如三乙醇胺之水溶性胺化合物混合而获得该方法之改良。自包含依特定共聚合比率之 (甲基)丙烯酸与例如N-乙烯基咯烷酮、N-乙烯基咪唑烷酮及N-丙烯酰基吗之含氮单体的共聚物，及N-乙烯基咯烷酮与N-乙烯基咪唑烷酮之共聚物的特定共聚物选择该水溶性树脂而获得进一步之改良。

7. 发明专利

TW200300566A 微細圖案之形成方法失效
简体标题：微细图案之形成方法
公开(公告)号：TW200300566A
公开(公告)日：2003-06-01
申请号：TW091132601
申请日：2002-11-05
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：新堀博 , 菅田祥樹 , 金子文武 , 立川俊和
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0277
摘要：本發明係提供一種於具有光致抗蝕劑圖案之基板上被覆圖案微細化用被覆形成劑之步驟，藉由熱處理收縮該圖案微細化用被覆形成劑，藉此熱收縮作用使光致抗蝕劑圖案間之間隔縮小的步驟，以及去除該圖案微細化用被覆形成劑之步驟，重覆進行複數次者為其特徵之微細圖案之形成方法。提供一種具備有效控制圖案尺寸，良好外形及半導體裝置之要求特性，更且，即使使用具膜厚1.0μm以上厚膜光致抗蝕劑圖案之基板仍可取得良好外形之微細圖案的微細圖案形成方法。
简体摘要：本发明系提供一种于具有光致抗蚀剂图案之基板上被覆图案微细化用被覆形成剂之步骤，借由热处理收缩该图案微细化用被覆形成剂，借此热收缩作用使光致抗蚀剂图案间之间隔缩小的步骤，以及去除该图案微细化用被覆形成剂之步骤，重复进行复数次者为其特征之微细图案之形成方法。提供一种具备有效控制图案尺寸，良好外形及半导体设备之要求特性，更且，即使使用具膜厚1.0μm以上厚膜光致抗蚀剂图案之基板仍可取得良好外形之微细图案的微细图案形成方法。

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