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1. 发明专利

TW200307852A 負型光阻組成物审中-公开
简体标题：负型光阻组成物
公开(公告)号：TW200307852A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092114042
申请日：2003-05-23
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：高須亮一 TAKASU, RYOICHI , 宮入美和 , 岩下淳 , 立川俊和 TACHIKAWA, TOSHIKAZU
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0382 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：提供對於鹼性顯像液難泡脹的負型光阻組成物。含有經由照射放射線而發生酸的化合物（A）、和經由酸之作用而對於鹼性溶液變化成不溶性的樹脂成分（B）之可鹼性顯像的負型光阻組成物，該（B）成分為含有（b1）經由該（A）成分所發生之酸之作用形成內酯，成為對於鹼性溶液不溶性的單位、及（b2）具有醇性羥基之單位之樹脂成分的負型光阻組成物。
简体摘要：提供对于碱性显像液难泡胀的负型光阻组成物。含有经由照射放射线而发生酸的化合物（A）、和经由酸之作用而对于碱性溶液变化成不溶性的树脂成分（B）之可碱性显像的负型光阻组成物，该（B）成分为含有（b1）经由该（A）成分所发生之酸之作用形成内酯，成为对于碱性溶液不溶性的单位、及（b2）具有醇性羟基之单位之树脂成分的负型光阻组成物。

2. 发明专利

TW200300872A 正型光阻組成物及使用其之光阻形成方法有权
简体标题：正型光阻组成物及使用其之光阻形成方法
公开(公告)号：TW200300872A
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：TW091134954
申请日：2002-12-02
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：岩井武 , 久保田尚孝 , 藤村悟史 , 宮入美和 , 羽田英夫
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明提供一種正型光阻組成物，係含有：在酯側鏈部具有含多環基的酸解離性溶解抑制基，且在主鏈上具有可從(甲基)丙烯酸酯衍生的構成單元並因酸之作用而鹼可溶性會增大的樹脂成份(A)；及因曝光而會產生酸的酸產生劑成份(B)；以及有機溶劑的正型光阻組成物，而其特徵為：前述(A)成份同時具有可從甲基丙烯酸酯衍生的構成單元，及可從丙烯酸酯衍生的構成單元之化學增幅型正型光阻組成物。如使用本光阻組成物，則可形成蝕刻時之表面組糙度及線端粗糙度較低、解像性優異、焦點深度寬幅較廣潤的光阻圖型。
简体摘要：本发明提供一种正型光阻组成物，系含有：在酯侧链部具有含多环基的酸解离性溶解抑制基，且在主链上具有可从(甲基)丙烯酸酯衍生的构成单元并因酸之作用而碱可溶性会增大的树脂成份(A)；及因曝光而会产生酸的酸产生剂成份(B)；以及有机溶剂的正型光阻组成物，而其特征为：前述(A)成份同时具有可从甲基丙烯酸酯衍生的构成单元，及可从丙烯酸酯衍生的构成单元之化学增幅型正型光阻组成物。如使用本光阻组成物，则可形成蚀刻时之表面组糙度及线端粗糙度较低、解像性优异、焦点深度宽幅较广润的光阻图型。

3. 发明专利

TW500976B 用於微影圖案化之多層體有权
简体标题：用于微影图案化之多层体
公开(公告)号：TW500976B
公开(公告)日：2002-09-01
申请号：TW089116794
申请日：2000-08-18
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：立川俊和 , 金子文武 , 久保田尚孝 , 宮入美和 , 廣崎貴子 , 遠藤浩太朗
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/0382
摘要：本發明係揭示用於將光阻層微影圖案化而可獲得具有極佳橫截面外形的圖案化光阻層之多層體，該多層體結構包括，於基板表面上，位於底層之水不溶性抗反射膜及具下列組成的特定光阻組成物之負片作用型(negative- working)光阻層：(A)100重量份鹼溶性樹脂；(B)0.5至20重量份以光化射線照射可釋放酸之鹽
化合物；及(C)3至50重量份於N-位置被至少一個羥烷基或烷氧
烷基取代之甘化合物。
简体摘要：本发明系揭示用于将光阻层微影图案化而可获得具有极佳横截面外形的图案化光阻层之多层体，该多层体结构包括，于基板表面上，位于底层之水不溶性抗反射膜及具下列组成的特定光阻组成物之负片作用型(negative- working)光阻层：(A)100重量份碱溶性树脂；(B)0.5至20重量份以光化射线照射可释放酸之盐化合物；及(C)3至50重量份于N-位置被至少一个羟烷基或烷氧烷基取代之甘化合物。

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