专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI522737B ＥＵＶ用光阻組成物，ＥＵＶ用光阻組成物之製造方法及光阻圖型之形成方法有权
简体标题：ＥＵＶ用光阻组成物，ＥＵＶ用光阻组成物之制造方法及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI522737B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101103898
申请日：2012-02-07
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：岩下淳 , IWASHITA, JUN , 昆野健理 , KONNO, KENRI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397

2. 发明专利

TWI536096B 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，高分子化合物有权
简体标题：光阻组成物，光阻图型之形成方法，高分子化合物
公开(公告)号：TWI536096B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW100137896
申请日：2011-10-19
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平野智之 , HIRANO, TOMOYUKI , 高木大地 , TAKAKI, DAICHI , 鹽野大壽 , SHIONO, DAIJU , 昆野健理 , KONNO, KENRI , 松澤賢介 , MATSUZAWA, KENSUKE , 岩下淳 , IWASHITA, JUN
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/38 , H01L21/027
CPC分类号： C08F220/38 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397

3. 发明专利

TW201302818A 光阻圖型之形成方法，及負型顯影用光阻組成物审中-公开
简体标题：光阻图型之形成方法，及负型显影用光阻组成物
公开(公告)号：TW201302818A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101107923
申请日：2012-03-08
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平野智之 , HIRANO, TOMOYUKI , 高木大地 , TAKAKI, DAICHI , 鹽野大壽 , SHIONO, DAIJU , 昆野健理 , KONNO, KENRI , 高木勇 , TAKAGI, ISAMU
IPC分类号： C08F220/38 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/325 , C08F220/24 , C08F220/28 , C08F220/38 , C08F224/00 , C08F226/02 , C08F228/06 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要：一種光阻圖型之形成方法，其為包含，使用含有經由酸之作用而可降低對有機溶劑之溶解性的基材成份(A)之光阻組成物於支撐體上形成光阻膜之步驟、使該光阻膜曝光之步驟，及使用含有前述有機溶劑之顯影液的負型顯影對該光阻膜進行圖型描繪(patterning)，以形成光阻圖型之步驟的光阻圖型之形成方法，其特徵為，前述基材成份(A)，為使用具有經由曝光而產生酸之結構單位(a0)，與α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有經由酸之作用而增大極性之酸分解性基的結構單位(a1)的樹脂成份，前述顯影液，為使用含有腈系溶劑之顯影液。
简体摘要：一种光阻图型之形成方法，其为包含，使用含有经由酸之作用而可降低对有机溶剂之溶解性的基材成份(A)之光阻组成物于支撑体上形成光阻膜之步骤、使该光阻膜曝光之步骤，及使用含有前述有机溶剂之显影液的负型显影对该光阻膜进行图型描绘(patterning)，以形成光阻图型之步骤的光阻图型之形成方法，其特征为，前述基材成份(A)，为使用具有经由曝光而产生酸之结构单位(a0)，与α位之碳原子所键结之氢原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之结构单位，且含有经由酸之作用而增大极性之酸分解性基的结构单位(a1)的树脂成份，前述显影液，为使用含有腈系溶剂之显影液。

4. 发明专利

TW201219422A 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，高分子化合物，化合物 RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, POLYMER COMPOUND, COMPOUND 审中-公开
简体标题：光阻组成物，光阻图型之形成方法，高分子化合物，化合物 RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, POLYMER COMPOUND, COMPOUND
公开(公告)号：TW201219422A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100120553
申请日：2011-06-13
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：川上晃也 , 道谷和茂 , 內海義之 , 岩下淳 , 昆野健理 , 鹽野大壽 , 高木大地
IPC分类号： C08F , C07C , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/027 , C07C69/54 , C07C309/04 , C07C309/09 , C07C309/10 , C07C309/12 , C07C311/48 , C07C311/51 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C08F20/38 , C08F2220/382 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/111 , Y10S430/121
摘要：本發明為提供一種可以良好之微影蝕刻特性形成微細光阻圖型之光阻組成物及光阻圖型之形成方法，適合使用於該光阻組成物用之新穎高分子化合物，適合作為該高分子化合物之單體的化合物。上述光阻組成物為含有，具有下述通式(a0)所表示之結構單位(a0)的高分子化合物(A)。式(a0)中，A為下述通式(1)或(2)所表示之陰離子。
简体摘要：本发明为提供一种可以良好之微影蚀刻特性形成微细光阻图型之光阻组成物及光阻图型之形成方法，适合使用于该光阻组成物用之新颖高分子化合物，适合作为该高分子化合物之单体的化合物。上述光阻组成物为含有，具有下述通式(a0)所表示之结构单位(a0)的高分子化合物(A)。式(a0)中，A为下述通式(1)或(2)所表示之阴离子。

5. 发明专利

TWI614230B 化合物、自由基聚合起始劑、化合物之製造方法、聚合物、光阻組成物、光阻圖型之形成方法有权
简体标题：化合物、自由基聚合起始剂、化合物之制造方法、聚合物、光阻组成物、光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI614230B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW101121681
申请日：2012-06-15
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI , 太宰尚宏 , DAZAI, TAKAHIRO , 岩下淳 , IWASHITA, JUN , 昆野健理 , KONNO, KENRI
IPC分类号： C07C303/22 , C07C309/12 , C08F2/50 , C08F4/04 , G03F7/031 , G03F7/039 , C09B69/10 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , C07C25/18 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C08F4/04 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397

6. 发明专利

TWI522738B 光阻組成物、光阻圖型之形成方法及高分子化合物有权
简体标题：光阻组成物、光阻图型之形成方法及高分子化合物
公开(公告)号：TWI522738B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101104531
申请日：2012-02-13
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：高木大地 , TAKAKI, DAICHI , 鹽野大壽 , SHIONO, DAIJU , 新井雅俊 , ARAI, MASATOSHI , 岩下淳 , IWASHITA, JUN , 昆野健理 , KONNO, KENRI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/38 , H01L21/027
CPC分类号： C08F228/06 , C08F220/22 , C08F220/38 , C08F228/02 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397

7. 发明专利

TWI499597B 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，高分子化合物，化合物有权
简体标题：光阻组成物，光阻图型之形成方法，高分子化合物，化合物
公开(公告)号：TWI499597B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW100120553
申请日：2011-06-13
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：川上晃也 , KAWAUE, AKIYA , 道谷和茂 , DOHTANI, KAZUSHIGE , 內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI , 岩下淳 , IWASHITA, JUN , 昆野健理 , KONNO, KENRI , 鹽野大壽 , SHIONO, DAIJU , 高木大地 , TAKAKI, DAICHI
IPC分类号： C08F20/38 , C07C381/12 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/027 , C07C69/54 , C07C309/04 , C07C309/09 , C07C309/10 , C07C309/12 , C07C311/48 , C07C311/51 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C08F20/38 , C08F2220/382 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/111 , Y10S430/121

8. 发明专利

TWI664239B 奈米壓印用組合物及奈米壓印圖案形成方法有权
简体标题：奈米压印用组合物及奈米压印图案形成方法
公开(公告)号：TWI664239B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW105111685
申请日：2016-04-14
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：昆野健理 , KONNO, KENRI
IPC分类号： C08L83/07 , C08L33/16 , B29C59/02 , B29C59/16 , B82Y40/00 , H01L21/308

9. 发明专利

TW201827929A 壓印用下層膜形成用組成物以及圖型形成方法审中-公开
简体标题：压印用下层膜形成用组成物以及图型形成方法
公开(公告)号：TW201827929A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106136625
申请日：2017-10-25
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：昆野健理 , KONNO, KENRI
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/028 , B29C59/02 , H01L21/027
摘要：本發明提供壓印用下層膜形成用組成物以及使用了該下層膜形成用組成物的圖型形成方法，所述下層膜形成用組成物適合用於利用蝕刻法的圖型的形成，可分別將下層膜與奈米壓印用硬化性樹脂層的蝕刻選擇比、下層膜與金屬膜的蝕刻選擇比控制在最適當的範圍，進一步向基板的塗佈性良好。一種壓印用下層膜形成用組成物，含有(A)二氧化矽粒子、(B)光聚合性化合物、(C)光聚合起始劑與(D)溶劑，其特徵在於，前述(A)二氧化矽粒子以及前述(B)光聚合性化合物的總量100質量份中的前述(A)二氧化矽粒子的含量超過20質量份，且不足90質量份。
简体摘要：本发明提供压印用下层膜形成用组成物以及使用了该下层膜形成用组成物的图型形成方法，所述下层膜形成用组成物适合用于利用蚀刻法的图型的形成，可分别将下层膜与奈米压印用硬化性树脂层的蚀刻选择比、下层膜与金属膜的蚀刻选择比控制在最适当的范围，进一步向基板的涂布性良好。一种压印用下层膜形成用组成物，含有(A)二氧化硅粒子、(B)光聚合性化合物、(C)光聚合起始剂与(D)溶剂，其特征在于，前述(A)二氧化硅粒子以及前述(B)光聚合性化合物的总量100质量份中的前述(A)二氧化硅粒子的含量超过20质量份，且不足90质量份。

10. 发明专利

TW201702314A 奈米壓印用組合物及奈米壓印圖案形成方法审中-公开
简体标题：奈米压印用组合物及奈米压印图案形成方法
公开(公告)号：TW201702314A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105111685
申请日：2016-04-14
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：昆野健理 , KONNO, KENRI
IPC分类号： C08L83/07 , C08L33/16 , B29C59/02 , B29C59/16 , B82Y40/00 , H01L21/308
CPC分类号： G03F7/0002 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08L83/06 , C09D183/04 , C09D183/06 , G03F7/0046 , G03F7/0388 , G03F7/0757 , C08L33/16
摘要：本發明提供一種奈米壓印用組合物，其特徵在於：含有具有會藉由光照射而聚合之聚合性基之矽氧烷聚合物(A)、聚合起始劑(C)、及含氟高分子化合物(F)，且上述含氟高分子化合物(F)具有以下述通式(f1-1)表示之結構單元。[式(f1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基；Rf102及Rf103分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基；Rf102及Rf103可相同亦可不同；nf1為1~5之整數，Rf101為含有氟原子之有機基]。
简体摘要：本发明提供一种奈米压印用组合物，其特征在于：含有具有会借由光照射而聚合之聚合性基之硅氧烷聚合物(A)、聚合起始剂(C)、及含氟高分子化合物(F)，且上述含氟高分子化合物(F)具有以下述通式(f1-1)表示之结构单元。[式(f1-1)中，R为氢原子、碳数1~5之烷基、或碳数1~5之卤化烷基；Rf102及Rf103分别独立地表示氢原子、卤素原子、碳数1~5之烷基、或碳数1~5之卤化烷基；Rf102及Rf103可相同亦可不同；nf1为1~5之整数，Rf101为含有氟原子之有机基]。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式