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    • 5. 发明专利
    • 減壓處理裝置的排氣防爆方法
    • 减压处理设备的排气防爆方法
    • TW201608611A
    • 2016-03-01
    • TW104115127
    • 2015-05-13
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 網倉紀彥AMIKURA, NORIHIKO佐佐木則和SASAKI, NORIKAZU實吉梨沙子MIYOSHI, RISAKO
    • H01L21/205H01L21/3065C23C16/44
    • F23N5/24F23M11/00F23M2900/11021G01N25/54H01J37/32834H01J37/32844Y02C20/30Y02P70/605Y10T137/0346
    • 本發明之課題在於:針對一旦混合就有可能爆發之特定可燃性氣體(CH4 、CH3 F、CH2 F2 )與鹵素族助燃性氣體之組合,對於用以預防減壓處理裝置之真空泵出口側產生排氣爆發之稀釋用惰性氣體的使用效率,加以最佳化。 本發明解決問題之解決手段係:在此電漿處理裝置,主控制部42可以透過稀釋控制器45而管理在排氣處理部40之排氣處理狀況。排氣處理部40係由以下各部所構成:除害裝置48,透過排氣管46而連接於真空泵36之出口;稀釋氣體源52,於真空泵36出口附近透過稀釋氣體供給配管50而與排氣管46連接; MFC 54及開閉閥55,設置於稀釋氣體供給配管50之中途;氣體感測器56,安裝於排氣管46且較稀釋氣體供給配管50之終端(節點N)更偏下游側;以及稀釋控制器45,控制MFC54。
    • 本发明之课题在于:针对一旦混合就有可能爆发之特定可燃性气体(CH4 、CH3 F、CH2 F2 )与卤素族助燃性气体之组合,对于用以预防减压处理设备之真空泵出口侧产生排气爆发之稀释用惰性气体的使用效率,加以最优化。 本发明解决问题之解决手段系:在此等离子处理设备,主控制部42可以透过稀释控制器45而管理在排气处理部40之排气处理状况。排气处理部40系由以下各部所构成:除害设备48,透过排气管46而连接于真空泵36之出口;稀释气体源52,于真空泵36出口附近透过稀释气体供给配管50而与排气管46连接; MFC 54及开闭阀55,设置于稀释气体供给配管50之中途;气体传感器56,安装于排气管46且较稀释气体供给配管50之终端(节点N)更偏下游侧;以及稀释控制器45,控制MFC54。
    • 6. 发明专利
    • 清洗方法及處理裝置
    • 清洗方法及处理设备
    • TW201525179A
    • 2015-07-01
    • TW103122140
    • 2014-06-26
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 高橋榮治TAKAHASHI, EIJI佐佐木則和SASAKI, NORIKAZU澤地淳SAWACHI, ATSUSHI
    • C23C16/455
    • H01J37/32862H01J37/32449H01J37/32853Y10T137/2574
    • 本發明提供一種,使用可進行分流控制的氣體供給機構有效地清洗處理裝置之清洗方法。 該清洗方法,具有氣體供給機構,清洗處理裝置;該氣體供給機構具備:分流控制部;第1流路,與該分流控制部之上游側連通;第1閥,設置於該第1流路;第2流路,與該分流控制部之下游側連通;第2閥,設置於該第2流路;以及旁通閥,設置於連接該第1流路與該第2流路之迂迴流路,與該第2流路連接;該清洗方法之特徵為,包含如下步驟:,旁通閥開啟步驟,關閉該第1閥與該第2閥,開啟該旁通閥;以及清洗步驟,於該旁通閥開啟步驟後,自該迂迴流路將氣體導入該處理裝置,清洗該處理裝置。
    • 本发明提供一种,使用可进行分流控制的气体供给机构有效地清洗处理设备之清洗方法。 该清洗方法,具有气体供给机构,清洗处理设备;该气体供给机构具备:分流控制部;第1流路,与该分流控制部之上游侧连通;第1阀,设置于该第1流路;第2流路,与该分流控制部之下游侧连通;第2阀,设置于该第2流路;以及旁通阀,设置于连接该第1流路与该第2流路之迂回流路,与该第2流路连接;该清洗方法之特征为,包含如下步骤:,旁通阀打开步骤,关闭该第1阀与该第2阀,打开该旁通阀;以及清洗步骤,于该旁通阀打开步骤后,自该迂回流路将气体导入该处理设备,清洗该处理设备。