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1. 发明专利

TWI495964B 利用含有有機溶劑之顯影液的顯影處理方法及顯影處理裝置有权
简体标题：利用含有有机溶剂之显影液的显影处理方法及显影处理设备
公开(公告)号：TWI495964B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW100146042
申请日：2011-12-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本武幸一 , HONTAKE, KOUICHI , 丹羽崇文 , NIWA, TAKAFUMI , 京田秀治 , KYOUDA, HIDEHARU , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE
IPC分类号： G03F7/30 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/3021 , G03F7/325

2. 发明专利

TWI619190B 液處理方法、記憶媒體及液處理裝置有权
简体标题：液处理方法、记忆媒体及液处理设备
公开(公告)号：TWI619190B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW104131139
申请日：2015-09-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：甲斐亜希子 , KAI, AKIKO , 丹羽崇文 , NIWA, TAKAFUMI , 髙橋彰吾 , TAKAHASHI, SHOGO , 西畑広 , NISHIHATA, HIROSHI , 寺下裕一 , TERASHITA, YUICHI , 小玉輝彦 , KODAMA, TERUHIKO
IPC分类号： H01L21/67 , B08B1/04 , B08B3/10
CPC分类号： H01L21/67051 , G03F7/3021 , H01L21/0206 , H01L21/0337 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/6708 , H01L21/68742

3. 发明专利

TW202027238A 基板液處理裝置及基板液處理方法审中-公开
简体标题：基板液处理设备及基板液处理方法
公开(公告)号：TW202027238A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108125168
申请日：2019-07-17
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：丹羽崇文 , NIWA, TAKAFUMI , 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO
IPC分类号： H01L23/34 , H01L21/324
摘要： [課題] 提供在無電解鍍敷處理中，在基板面內提升鍍敷膜之均勻性的技術。 [解決手段] 具備：基板保持部，其係吸附保持基板並使其旋轉；加熱部，其係從外部加熱基板保持部；鍍敷液供給部，其係對被保持於基板保持部而旋轉之基板供給鍍敷液；及控制部，其係控制基板保持部和加熱部和鍍敷液供給部之動作，控制部係以在透過基板保持部保持基板之前，透過加熱部將基板保持部加熱成50℃以上之方式進行控制。
简体摘要： [课题] 提供在无电解镀敷处理中，在基板面内提升镀敷膜之均匀性的技术。 [解决手段] 具备：基板保持部，其系吸附保持基板并使其旋转；加热部，其系从外部加热基板保持部；镀敷液供给部，其系对被保持于基板保持部而旋转之基板供给镀敷液；及控制部，其系控制基板保持部和加热部和镀敷液供给部之动作，控制部系以在透过基板保持部保持基板之前，透过加热部将基板保持部加热成50℃以上之方式进行控制。

4. 发明专利

TW201628114A 液處理方法、記憶媒體及液處理裝置审中-公开
简体标题：液处理方法、记忆媒体及液处理设备
公开(公告)号：TW201628114A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104131139
申请日：2015-09-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：甲斐亜希子 , KAI, AKIKO , 丹羽崇文 , NIWA, TAKAFUMI , 髙橋彰吾 , TAKAHASHI, SHOGO , 西畑広 , NISHIHATA, HIROSHI , 寺下裕一 , TERASHITA, YUICHI , 小玉輝彦 , KODAMA, TERUHIKO
IPC分类号： H01L21/67 , B08B1/04 , B08B3/10
CPC分类号： H01L21/67051 , G03F7/3021 , H01L21/0206 , H01L21/0337 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/6708 , H01L21/68742
摘要：提供一種液處理方法等，其係可在一邊使基板旋轉，一邊藉由處理液對基板之表面全體進行液處理時，即使提升基板之旋轉速度，亦可抑制處理液之液體飛濺，且藉由此，可對基板之周緣部進行良好的液處理。在使基板(W)水平地保持於旋轉自如的基板保持部(11)，且藉由處理液進行液處理時，在藉由處理液對至少比基板(W)之周緣部更往中心側的部位進行液處理後，一邊使基板(W)旋轉，一邊使處理液噴嘴(32)之吐出口(321)朝向旋轉方向的下游側，相對於基板(W)的表面斜向且沿著基板(W)之切線方向，將處理液吐出至基板(W)之周緣部。一邊進行該處理液之吐出，一邊從前述處理液的液附著位置朝向基板(W)之中心部，將氣體從氣體噴嘴(31)朝向鄰接之位置垂直地吐出。
简体摘要：提供一种液处理方法等，其系可在一边使基板旋转，一边借由处理液对基板之表面全体进行液处理时，即使提升基板之旋转速度，亦可抑制处理液之液体飞溅，且借由此，可对基板之周缘部进行良好的液处理。在使基板(W)水平地保持于旋转自如的基板保持部(11)，且借由处理液进行液处理时，在借由处理液对至少比基板(W)之周缘部更往中心侧的部位进行液处理后，一边使基板(W)旋转，一边使处理液喷嘴(32)之吐出口(321)朝向旋转方向的下游侧，相对于基板(W)的表面斜向且沿着基板(W)之切线方向，将处理液吐出至基板(W)之周缘部。一边进行该处理液之吐出，一边从前述处理液的液附着位置朝向基板(W)之中心部，将气体从气体喷嘴(31)朝向邻接之位置垂直地吐出。

5. 发明专利

TWI666684B 塗佈膜形成方法、塗佈膜形成裝置及記憶媒體有权
简体标题：涂布膜形成方法、涂布膜形成设备及记忆媒体
公开(公告)号：TWI666684B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW105136281
申请日：2016-11-08
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 丹羽崇文 , NIWA, TAKAFUMI
IPC分类号： H01L21/027 , B05D1/40 , B05D3/04 , B05C11/08 , B05C9/12 , B05C9/14

6. 发明专利

TW201826038A 輔助曝光裝置及曝光量分布取得方法审中-公开
简体标题：辅助曝光设备及曝光量分布取得方法
公开(公告)号：TW201826038A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106132194
申请日：2017-09-20
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柏木秀明 , KASHIWAGI, HIDEAKI , 丹羽崇文 , NIWA, TAKAFUMI , 古閑法久 , KOGA, NORIHISA
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/38
摘要： [課題] 在對被塗佈在基板上之光阻膜，與轉印光罩之圖案的通常曝光處理不同，另外進行照射紫外光之輔助曝光之情況下，以更確實地提高光阻圖案之線寬之面內均勻性。　　[解決手段] 輔助曝光裝置(123)係對被塗佈在晶圓(W上)之光阻膜轉印光罩之圖案之曝光處理不同，另外進行對晶圓上之光阻膜照射來自雷射光源(135)之特定波長的光的輔助曝光。輔助曝光裝置(123)具備朝向晶圓(W)反射來自雷射光源(135)之光的第1全反射鏡(141)，和反射被反射至該第1全反射鏡(141)之後被反射至晶圓(W)之光的第2全反射鏡(142)，和具有受光被反射至第2全反射鏡(142)之光之受光部的攝像裝置(143)。
简体摘要： [课题] 在对被涂布在基板上之光阻膜，与转印光罩之图案的通常曝光处理不同，另外进行照射紫外光之辅助曝光之情况下，以更确实地提高光阻图案之线宽之面内均匀性。　　[解决手段] 辅助曝光设备(123)系对被涂布在晶圆(W上)之光阻膜转印光罩之图案之曝光处理不同，另外进行对晶圆上之光阻膜照射来自激光光源(135)之特定波长的光的辅助曝光。辅助曝光设备(123)具备朝向晶圆(W)反射来自激光光源(135)之光的第1全反射镜(141)，和反射被反射至该第1全反射镜(141)之后被反射至晶圆(W)之光的第2全反射镜(142)，和具有受光被反射至第2全反射镜(142)之光之受光部的摄像设备(143)。

7. 发明专利

TW201729249A 塗佈膜形成方法、塗佈膜形成裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：涂布膜形成方法、涂布膜形成设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201729249A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105136281
申请日：2016-11-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 丹羽崇文 , NIWA, TAKAFUMI
IPC分类号： H01L21/027 , B05D1/40 , B05D3/04 , B05C11/08 , B05C9/12 , B05C9/14
CPC分类号： H01L21/02282 , B05C9/12 , B05C11/08 , B05C13/00 , G03F7/162 , G03F7/168 , H01L21/67028 , H01L21/67109 , H01L21/6715 , H01L21/67253 , H01L21/68764
摘要：提供在晶圓塗佈塗佈液而進行成膜時，調整被成膜之膜的膜厚的技術。在旋轉塗佈法中，藉由高速旋轉，在晶圓(W)上擴散抗蝕液之後，一面設為低速旋轉，使晶圓(W)之表面均勻，一面對晶圓(W)之表面供給乾燥氣體而降低抗蝕液之流動性，之後，提升晶圓(W)之旋轉速度而使抗蝕膜乾燥。藉由對晶圓(W)之表面供給乾燥氣體而降低抗蝕液之流動性，可以增厚抗蝕膜之膜厚。因此，除了藉由晶圓(W)之旋轉數的調整所進行的膜厚調整之外，可以藉由對晶圓(W)之表面供給乾燥氣體，調整膜厚，可以以一種類之抗蝕液形成更寬廣範圍之膜厚的膜。
简体摘要：提供在晶圆涂布涂布液而进行成膜时，调整被成膜之膜的膜厚的技术。在旋转涂布法中，借由高速旋转，在晶圆(W)上扩散抗蚀液之后，一面设为低速旋转，使晶圆(W)之表面均匀，一面对晶圆(W)之表面供给干燥气体而降低抗蚀液之流动性，之后，提升晶圆(W)之旋转速度而使抗蚀膜干燥。借由对晶圆(W)之表面供给干燥气体而降低抗蚀液之流动性，可以增厚抗蚀膜之膜厚。因此，除了借由晶圆(W)之旋转数的调整所进行的膜厚调整之外，可以借由对晶圆(W)之表面供给干燥气体，调整膜厚，可以以一种类之抗蚀液形成更宽广范围之膜厚的膜。

8. 发明专利

TWI471906B 基板處理方法有权
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TWI471906B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW099140794
申请日：2010-11-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：丹羽崇文 , NIWA, TAKAFUMI , 中村泰之 , NAKAMURA, HIROSHI , 京田秀治 , KYOUDA, HIDEHARU
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/0035 , H01L21/67178 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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