专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI515326B 成膜方法及電漿成膜裝置有权
简体标题：成膜方法及等离子成膜设备
公开(公告)号：TWI515326B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW099114659
申请日：2010-05-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 小堆正人 , KOAKUTSU, MASATO , 布重裕 , NUNOSHIGE, YU
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/14 , C23C16/34 , C23C16/52 , H01L21/3205

2. 发明专利

TW201439366A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201439366A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103103057
申请日：2014-01-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大下健太郎 , OSHIMO, KENTARO , 小堆正人 , KOAKUTSU, MASATO , 佐佐木寬子 , SASAKI, HIROKO , 佐藤薰 , SATO, KAORU , 池川寬晃 , IKEGAWA, HIROAKI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/68771 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45551 , H01L21/68764
摘要：用以於真空容器內將薄膜成膜於基板上的成膜裝置，係具備有旋轉台、供給第1處理氣體的第1處理氣體供給部、供給第2處理氣體的氣體噴嘴、以覆蓋該氣體噴嘴之方式加以設置的噴嘴罩以及分離氣體供給部，該噴嘴罩係構成為具備有頂壁部以及在此頂壁部中從該旋轉台之旋轉方向上游側與下游側之各緣部朝下方側延伸的上游側壁部與下游壁面部，該上游側壁部中該氣體噴嘴側的內面係形成有傾斜的傾斜面，該上游側壁部中該氣體噴嘴側的內面與該旋轉台的表面所形成的角度θ1係成為比該下游側之側壁部中該氣體噴嘴側的內面與該旋轉台的表面所形成的角度θ2要小。
简体摘要：用以于真空容器内将薄膜成膜于基板上的成膜设备，系具备有旋转台、供给第1处理气体的第1处理气体供给部、供给第2处理气体的气体喷嘴、以覆盖该气体喷嘴之方式加以设置的喷嘴罩以及分离气体供给部，该喷嘴罩系构成为具备有顶壁部以及在此顶壁部中从该旋转台之旋转方向上游侧与下游侧之各缘部朝下方侧延伸的上游侧壁部与下游壁面部，该上游侧壁部中该气体喷嘴侧的内面系形成有倾斜的倾斜面，该上游侧壁部中该气体喷嘴侧的内面与该旋转台的表面所形成的角度θ1系成为比该下游侧之侧壁部中该气体喷嘴侧的内面与该旋转台的表面所形成的角度θ2要小。

3. 发明专利

TW201312680A 溫度測定裝置、溫度測定方法、記憶媒體以及熱處理裝置审中-公开
简体标题：温度测定设备、温度测定方法、记忆媒体以及热处理设备
公开(公告)号：TW201312680A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101118640
申请日：2012-05-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：諸井政幸 , MOROI, MASAYUKI , 菊池仁 , KIKUCHI, HITOSHI , 小堆正人 , KOAKUTSU, MASATO
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/52 , C23C16/46
CPC分类号： G01N25/00 , F27B17/0025 , F27D19/00 , F27D21/00 , F27D2019/0025 , H01L21/67248 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：一種溫度測定裝置，係用以推定包含有處理容器與加熱部之熱處理裝置當中之該處理容器內的溫度分布者；該處理容器於內部設有載置基板之旋轉台；該加熱部係加熱該處理容器；該溫度測定裝置係包含有：輻射溫度測定部，係設置成可藉由對該旋轉台之一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描以測定沿著該徑向之複數溫度測定區域的溫度；動作控制部，一旦受理該處理容器內之溫度分布的測定指示，乃利用該加熱部開始加熱該處理容器、並使得該旋轉台靜止，在利用該加熱部開始加熱該處理容器經過既定時間後，一邊使得該旋轉台相對於該輻射溫度測定部進行旋轉、一邊沿著該旋轉台之圓周方向反覆地進行利用該輻射溫度測定部來對該旋轉台之該一面側朝該旋轉台之徑向做掃描而測定該複數溫度測定區域之溫度的處理，而從該輻射溫度測定部取得該旋轉台之該徑向以及該圓周方向之複數該溫度測定區域之溫度；溫度地圖製作部，係基於該輻射溫度測定部於該旋轉台之徑向進行掃描之每一掃描的該溫度測定區域之數量以及該旋轉台之旋轉數，特定出該動作控制部取得該溫度之該溫度測定區域的位址，使得該溫度與該位址產生對應而記憶於記憶部；以及，溫度數據顯示處理部，該溫度地圖製作部係基於記憶於該記憶部之該溫度與該位址而顯示該旋轉台之該一面側的溫度分布來做為該處理容器內之溫度分布的推定值。
简体摘要：一种温度测定设备，系用以推定包含有处理容器与加热部之热处理设备当中之该处理容器内的温度分布者；该处理容器于内部设有载置基板之旋转台；该加热部系加热该处理容器；该温度测定设备系包含有：辐射温度测定部，系设置成可借由对该旋转台之一面侧朝该旋转台之径向进行扫描以测定沿着该径向之复数温度测定区域的温度；动作控制部，一旦受理该处理容器内之温度分布的测定指示，乃利用该加热部开始加热该处理容器、并使得该旋转台静止，在利用该加热部开始加热该处理容器经过既定时间后，一边使得该旋转台相对于该辐射温度测定部进行旋转、一边沿着该旋转台之圆周方向反复地进行利用该辐射温度测定部来对该旋转台之该一面侧朝该旋转台之径向做扫描而测定该复数温度测定区域之温度的处理，而从该辐射温度测定部取得该旋转台之该径向以及该圆周方向之复数该温度测定区域之温度；温度地图制作部，系基于该辐射温度测定部于该旋转台之径向进行扫描之每一扫描的该温度测定区域之数量以及该旋转台之旋转数，特定出该动作控制部取得该温度之该温度测定区域的位址，使得该温度与该位址产生对应而记忆于记忆部；以及，温度数据显示处理部，该温度地图制作部系基于记忆于该记忆部之该温度与该位址而显示该旋转台之该一面侧的温度分布来做为该处理容器内之温度分布的推定值。

4. 发明专利

TWI550124B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI550124B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW103103057
申请日：2014-01-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大下健太郎 , OSHIMO, KENTARO , 小堆正人 , KOAKUTSU, MASATO , 佐佐木寬子 , SASAKI, HIROKO , 佐藤薰 , SATO, KAORU , 池川寬晃 , IKEGAWA, HIROAKI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/68771 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45551 , H01L21/68764

5. 发明专利

TWI488248B 溫度測定裝置、溫度測定方法、記憶媒體以及熱處理裝置有权
简体标题：温度测定设备、温度测定方法、记忆媒体以及热处理设备
公开(公告)号：TWI488248B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW101118640
申请日：2012-05-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：諸井政幸 , MOROI, MASAYUKI , 菊池仁 , KIKUCHI, HITOSHI , 小堆正人 , KOAKUTSU, MASATO
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/52 , C23C16/46
CPC分类号： G01N25/00 , F27B17/0025 , F27D19/00 , F27D21/00 , F27D2019/0025 , H01L21/67248 , H01L21/68764 , H01L21/68771

6. 发明专利

TW201333251A 成膜方法（二）审中-公开
公开(公告)号：TW201333251A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101149973
申请日：2012-12-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大下健太郎 , OSHIMO, KENNTARO , 小堆正人 , KOAKUTSU, MASATO
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34
CPC分类号： H01L28/60 , C23C16/34 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/56 , H01L21/28562 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：本發明之成膜方法(二)係包含有：將基板載置於真空容器內可旋轉地設置之旋轉台的基板載置部之步驟；藉由將該旋轉台旋轉，將該旋轉台所載置之該基板交互地暴露於含鈦氣體及會與該含鈦氣體反應之含氮氣體，來於該基板上成膜氮化鈦之步驟；以及將成膜有該氮化鈦之該基板暴露於該含氮氣體之步驟；並且重複該成膜之步驟及該暴露之步驟。
简体摘要：本发明之成膜方法(二)系包含有：将基板载置于真空容器内可旋转地设置之旋转台的基板载置部之步骤；借由将该旋转台旋转，将该旋转台所载置之该基板交互地暴露于含钛气体及会与该含钛气体反应之含氮气体，来于该基板上成膜氮化钛之步骤；以及将成膜有该氮化钛之该基板暴露于该含氮气体之步骤；并且重复该成膜之步骤及该暴露之步骤。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式