专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI512882B 基板處理裝置之基板載置台有权
简体标题：基板处理设备之基板载置台
公开(公告)号：TWI512882B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW099139369
申请日：2010-11-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤徹治 , SATO, TETSUJI , 北澤貴 , KITAZAWA, TAKASHI , 吉村章弘 , YOSHIMURA, AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831

2. 发明专利

TW201530649A 支持構件及基板處理裝置审中-公开
简体标题：支持构件及基板处理设备
公开(公告)号：TW201530649A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103124004
申请日：2014-07-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉村章弘 , YOSHIMURA, AKIHIRO , 北澤貴 , KITAZAWA, TAKASHI , 增田泰 , MASUDA, YASUSHI
IPC分类号： H01L21/3065 , F16L59/147
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32522 , H01J37/32724
摘要：本發明旨在提供一種支持構件，兼顧配管之隔熱化與省空間化。其中，該支持構件，可支持連結對基板處理裝置之任意之構成要素進行溫度調節之溫度調節機構，與該基板處理裝置之一根或複數根之配管，其特徵在於：該支持構件，於內部具有中空部，於該中空部配置該配管。
简体摘要：本发明旨在提供一种支持构件，兼顾配管之隔热化与省空间化。其中，该支持构件，可支持链接对基板处理设备之任意之构成要素进行温度调节之温度调节机构，与该基板处理设备之一根或复数根之配管，其特征在于：该支持构件，于内部具有中空部，于该中空部配置该配管。

3. 发明专利

TWI641065B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI641065B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103144193
申请日：2014-12-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木信峰 , SASAKI, NOBUTAKA , 北澤貴 , KITAZAWA, TAKASHI , 吉村章弘 , YOSHIMURA, AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065

4. 发明专利

TW201834009A 處理方法及處理裝置审中-公开
简体标题：处理方法及处理设备
公开(公告)号：TW201834009A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106141260
申请日：2017-11-28
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：阪根亮太 , SAKANE, RYOTA , 北澤貴 , KITAZAWA, TAKASHI , 長畑壽 , NAGAHATA, HIROSHI , 小林秀行 , KOBAYASHI, HIDEYUKI , 山岸幸司 , YAMAGISHI, KOJI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065
摘要：本發明之課題為抑制對被處理基板進行的處理之精度下降。本發明之處理方法包含：第一步驟，使第一感測器暴露於腔室內之處理空間，並且使第二感測器被遮蔽於腔室內之處理空間；第二步驟，將含有前驅氣體之第一處理氣體供給到腔室內；第三步驟，依據第一感測器之測定值，對腔室內之狀態進行控制；第四步驟，使第一感測器被遮蔽於腔室內之處理空間，並且使第二感測器暴露於腔室內之處理空間；第五步驟，將含有反應氣體之第二處理氣體供給到腔室內；及第六步驟，依據第二感測器之測定值，對腔室內之狀態進行控制。並且，該處理方法將第一步驟到第六步驟之處理重複執行複數次。
简体摘要：本发明之课题为抑制对被处理基板进行的处理之精度下降。本发明之处理方法包含：第一步骤，使第一传感器暴露于腔室内之处理空间，并且使第二传感器被屏蔽于腔室内之处理空间；第二步骤，将含有前驱气体之第一处理气体供给到腔室内；第三步骤，依据第一传感器之测定值，对腔室内之状态进行控制；第四步骤，使第一传感器被屏蔽于腔室内之处理空间，并且使第二传感器暴露于腔室内之处理空间；第五步骤，将含有反应气体之第二处理气体供给到腔室内；及第六步骤，依据第二传感器之测定值，对腔室内之状态进行控制。并且，该处理方法将第一步骤到第六步骤之处理重复运行复数次。

5. 发明专利

TW201532174A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201532174A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103144193
申请日：2014-12-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木信峰 , SASAKI, NOBUTAKA , 北澤貴 , KITAZAWA, TAKASHI , 吉村章弘 , YOSHIMURA, AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32651 , H01J37/32091 , H01J37/32477
摘要：本發明提供一種精度良好地測定處理室內的壓力之基板處理裝置。基板處理裝置，具備：腔室，具有藉由導入的氣體實行對於基板的處理之處理室、與將該處理室內的氣體排氣之排氣室；屏蔽構件，設置於該腔室的側壁附近之至少一部分，將該處理室與該排氣室分隔；以及中空的中繼構件，貫通該屏蔽構件，將與該腔室之外部的壓力計連接之配管和該處理室連通；該中繼構件，係以使自該處理室起流入該中繼構件內的氣體之氣導值C1，變得較自該排氣室起流入該中繼構件與該腔室的側壁之間隙的氣體之氣導值C2更大的方式形成。
简体摘要：本发明提供一种精度良好地测定处理室内的压力之基板处理设备。基板处理设备，具备：腔室，具有借由导入的气体实行对于基板的处理之处理室、与将该处理室内的气体排气之排气室；屏蔽构件，设置于该腔室的侧壁附近之至少一部分，将该处理室与该排气室分隔；以及中空的中继构件，贯通该屏蔽构件，将与该腔室之外部的压力计连接之配管和该处理室连通；该中继构件，系以使自该处理室起流入该中继构件内的气体之气导值C1，变得较自该排气室起流入该中继构件与该腔室的侧壁之间隙的气体之气导值C2更大的方式形成。

6. 发明专利

TWI692027B 支持框架及基板處理裝置有权
简体标题：支持框架及基板处理设备
公开(公告)号：TWI692027B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW103124004
申请日：2014-07-11
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉村章弘 , YOSHIMURA, AKIHIRO , 北澤貴 , KITAZAWA, TAKASHI , 增田泰 , MASUDA, YASUSHI
IPC分类号： H01L21/3065 , F16L59/147

7. 发明专利

TWI522014B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI522014B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW100118041
申请日：2011-05-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：堀口將人 , HORIGUCHI, MASATO , 過本宏 , TSUJIMOTO, HIROSHI , 北澤貴 , KITAZAWA, TAKASHI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C16/509
CPC分类号： H01J37/32633 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32834

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式