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1. 发明专利

TW201705270A 被蝕刻層之蝕刻方法审中-公开
简体标题：被蚀刻层之蚀刻方法
公开(公告)号：TW201705270A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105111157
申请日：2016-04-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：丸山幸兒 , MARUYAMA, KOJI , 輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA , 芳賀俊雄 , HAGA, TOSHIO , 堀口將人 , HORIGUCHI, MASATO , 加藤誠人 , KATO, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/30655 , H01J37/32532 , H01J37/32871 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138
摘要：本發明之課題係提供被蝕刻層之蝕刻方法。本發明之解決手段係在一實施形態之方法中，在吸附步驟中，不對下部電極施加高頻偏壓，使由處理氣體產生之自由基吸附在被蝕刻層上。接著在蝕刻步驟中，對下部電極施加高頻偏壓，將由處理氣體產生之離子引入被蝕刻層中。交互地重複吸附步驟及蝕刻步驟。在吸附步驟中，自由基密度為離子密度之200倍以上。在蝕刻步驟中，供給0.07W/cm2 以下之功率密度的RF能量至下部電極，或在0.5秒以下之期間，供給0.14W/cm2 以下之功率密度的高頻偏壓至下部電極。
简体摘要：本发明之课题系提供被蚀刻层之蚀刻方法。本发明之解决手段系在一实施形态之方法中，在吸附步骤中，不对下部电极施加高频偏压，使由处理气体产生之自由基吸附在被蚀刻层上。接着在蚀刻步骤中，对下部电极施加高频偏压，将由处理气体产生之离子引入被蚀刻层中。交互地重复吸附步骤及蚀刻步骤。在吸附步骤中，自由基密度为离子密度之200倍以上。在蚀刻步骤中，供给0.07W/cm2 以下之功率密度的RF能量至下部电极，或在0.5秒以下之期间，供给0.14W/cm2 以下之功率密度的高频偏压至下部电极。

2. 发明专利

TW201511077A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201511077A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103127017
申请日：2014-08-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：丸山幸兒 , MARUYAMA, KOJI , 崛口將人 , HORIGUCHI, MASATO , 松木哲理 , MATSUKI, TETSURI , 輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32816 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02104 , H01L21/3065 , H01L21/67069
摘要：分別獨立調整用以得到被處理體所欲之處理特性的電漿中離子密度與自由基密度。電漿處理裝置係具備有：介電體，係形成有讓內部空間連通至處理空間的連通孔；第1及第2電極，係夾置內部空間；第1氣體供給機構，係將第1處理氣體供給至內部空間；第1高頻電源，係供給第1高頻電力至第1及第2電極之至少一者，而生成第1處理氣體之第1電漿；減壓機構，係將第1電漿中之自由基與第1處理氣體朝處理空間內導入；第2高頻電源，係供給第2高頻電力，而生成第1處理氣體之第2電漿，並將離子朝被處理體吸引；控制部，係控制第1高頻電力之滿電量大小，來調整第2電漿中之自由基量，並控制第1高頻電力之比率，來調整第2電漿中之離子量。
简体摘要：分别独立调整用以得到被处理体所欲之处理特性的等离子中离子密度与自由基密度。等离子处理设备系具备有：介电体，系形成有让内部空间连通至处理空间的连通孔；第1及第2电极，系夹置内部空间；第1气体供给机构，系将第1处理气体供给至内部空间；第1高频电源，系供给第1高频电力至第1及第2电极之至少一者，而生成第1处理气体之第1等离子；减压机构，系将第1等离子中之自由基与第1处理气体朝处理空间内导入；第2高频电源，系供给第2高频电力，而生成第1处理气体之第2等离子，并将离子朝被处理体吸引；控制部，系控制第1高频电力之满电量大小，来调整第2等离子中之自由基量，并控制第1高频电力之比率，来调整第2等离子中之离子量。

3. 发明专利

TWI522014B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI522014B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW100118041
申请日：2011-05-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：堀口將人 , HORIGUCHI, MASATO , 過本宏 , TSUJIMOTO, HIROSHI , 北澤貴 , KITAZAWA, TAKASHI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C16/509
CPC分类号： H01J37/32633 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32834

4. 发明专利

TWI384545B 聚焦環，電漿蝕刻裝置及電漿蝕刻方法有权
简体标题：聚焦环，等离子蚀刻设备及等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TWI384545B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW094137494
申请日：2005-10-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤大樹 , SATOH, DAIKI , 小林秀行 , KOBAYASHI, HIDEYUKI , 堀口將人 , HORIGUCHI, MASATO
IPC分类号： H01L21/3065

5. 发明专利

TWI645443B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI645443B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW103127017
申请日：2014-08-07
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：丸山幸兒 , MARUYAMA, KOJI , 崛口將人 , HORIGUCHI, MASATO , 松木哲理 , MATSUKI, TETSURI , 輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA
IPC分类号： H01J37/32

6. 发明专利

TW201842577A 接腳控制方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：接脚控制方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201842577A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107111611
申请日：2018-04-02
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松浦伸 , MATSUURA, SHIN , 堀口将人 , HORIGUCHI, MASATO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L23/48 , H01R4/2404
摘要：本發明之課題在於抑制基板之位置偏移。本發明之接腳控制方法係分別測定支持基板並藉由複數個驅動部分別予以上下驅動之複數個接腳之高度位置，使用測定出之複數個接腳之高度位置，自複數個接腳選擇成為速度控制之基準之基準接腳，對於被選擇之基準接腳，推定自測定複數個接腳之高度位置起經過特定時間之後之高度位置即基準高度位置，算出用以使經推定之基準高度位置與基準接腳以外之其他接腳之高度位置一致之調整速度，控制驅動其他接腳之驅動部，將其他接腳之驅動速度調整為上述調整速度。
简体摘要：本发明之课题在于抑制基板之位置偏移。本发明之接脚控制方法系分别测定支持基板并借由复数个驱动部分别予以上下驱动之复数个接脚之高度位置，使用测定出之复数个接脚之高度位置，自复数个接脚选择成为速度控制之基准之基准接脚，对于被选择之基准接脚，推定自测定复数个接脚之高度位置起经过特定时间之后之高度位置即基准高度位置，算出用以使经推定之基准高度位置与基准接脚以外之其他接脚之高度位置一致之调整速度，控制驱动其他接脚之驱动部，将其他接脚之驱动速度调整为上述调整速度。

7. 发明专利

TWI501287B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI501287B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW100109801
申请日：2011-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉村章弘 , YOSHIMURA, AKIHIRO , 佐藤徹治 , SATO, TETSUJI , 堀口將人 , HORIGUCHI, MASATO , 和田暢弘 , WADA, NOBUHIRO , 小林真 , KOBAYASHI, MAKOTO , 過本宏 , TSUJIMOTO, HIROSHI , 田村純 , TAMURA, JUN , 直井護 , NAOI, MAMORU
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/66 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32568

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