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1. 发明专利

TWI479111B 減壓乾燥方法及減壓乾燥裝置有权
简体标题：减压干燥方法及减压干燥设备
公开(公告)号：TWI479111B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW100103096
申请日：2011-01-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：麻生豐 , ASOU, YUTAKA , 岩永和也 , IWANAGA, KAZUYA
IPC分类号： F26B5/04

2. 发明专利

TWI345805B 回流法、圖案形成方法及液晶顯示裝置用薄膜電晶體元件之製造方法 REFLOW METHOD, PATTERN FORMING METHOD AND PRODUCTION METHOD OF TFT ELEMENT FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY 失效
简体标题：回流法、图案形成方法及液晶显示设备用薄膜晶体管组件之制造方法 REFLOW METHOD, PATTERN FORMING METHOD AND PRODUCTION METHOD OF TFT ELEMENT FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY
公开(公告)号：TWI345805B
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：TW096111313
申请日：2007-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：麻生豐 , 白石雅敏
IPC分类号： H01L , G03F , G02F
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0048 , H01L27/1288 , H01L29/66765
摘要：提供一種抗蝕劑的回流處理中，使已軟化的抗蝕劑快速地流動，並且高精度地控制其流動方向及流動面積，因而可利用於圖案形成和液晶顯示裝置用薄膜電晶體元件之製造的技術。
藉由界面活性劑對抗蝕劑103至標靶區域S1的下層膜101之流動促進區域104，施行表面處理，讓抗蝕劑易於流動，來改善其停滯性。使抗蝕劑103軟化的情況下，已軟化的抗蝕劑103行進到流動促進區域104這邊，誘導到標靶區域S2。朝向未施行表面處理的禁止區域S2的抗蝕劑103的行進，是朝向標靶區域S1的抗蝕劑103愈多，相反地愈受到其反作用所抑制。
简体摘要：提供一种抗蚀剂的回流处理中，使已软化的抗蚀剂快速地流动，并且高精度地控制其流动方向及流动面积，因而可利用于图案形成和液晶显示设备用薄膜晶体管组件之制造的技术。借由界面活性剂对抗蚀剂103至标靶区域S1的下层膜101之流动促进区域104，施行表面处理，让抗蚀剂易于流动，来改善其停滞性。使抗蚀剂103软化的情况下，已软化的抗蚀剂103行进到流动促进区域104这边，诱导到标靶区域S2。朝向未施行表面处理的禁止区域S2的抗蚀剂103的行进，是朝向标靶区域S1的抗蚀剂103愈多，相反地愈受到其反作用所抑制。

3. 发明专利

TW201200830A 減壓乾燥方法及減壓乾燥裝置 DECOMPRESSION DRYING METHOD AND DECOMPRESSION DRYING APPARATUS 审中-公开
简体标题：减压干燥方法及减压干燥设备 DECOMPRESSION DRYING METHOD AND DECOMPRESSION DRYING APPARATUS
公开(公告)号：TW201200830A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100103096
申请日：2011-01-27
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：麻生豐 , 岩永和也
IPC分类号： F26B
摘要： [課題]在對於被形成在被處理基板上之塗布膜而施加乾燥處理之減壓乾燥裝置中，將乾燥處理後之塗布膜的面內均一性提升，並將在配線圖案形成過程中之前述塗布膜的殘留膜厚以及線寬幅之均一性提升。[解決手段]在將被形成有塗布膜之基板(G)收容在腔(2)中並且將前述腔內設為減壓環境之工程中，係包含有：將前述腔內之壓力以第1減壓速度(v1)來減壓，並設為較前述溶劑之蒸氣壓(Pe)更高而至少不會使前述溶劑突沸性地蒸發的第1壓力值(P1)之步驟；和從前述第1壓力值起，以較前述第1減壓速度更低之第2減壓速度(v2)來緩慢地減壓，直到至少成為前述溶劑的蒸氣壓為止之步驟。
简体摘要： [课题]在对于被形成在被处理基板上之涂布膜而施加干燥处理之减压干燥设备中，将干燥处理后之涂布膜的面内均一性提升，并将在配线图案形成过程中之前述涂布膜的残留膜厚以及线宽幅之均一性提升。[解决手段]在将被形成有涂布膜之基板(G)收容在腔(2)中并且将前述腔内设为减压环境之工程中，系包含有：将前述腔内之压力以第1减压速度(v1)来减压，并设为较前述溶剂之蒸气压(Pe)更高而至少不会使前述溶剂突沸性地蒸发的第1压力值(P1)之步骤；和从前述第1压力值起，以较前述第1减压速度更低之第2减压速度(v2)来缓慢地减压，直到至少成为前述溶剂的蒸气压为止之步骤。

4. 发明专利

TWI350558B 回流處理裝置及回流處理方法 REFLOW PROCESSING APPARATUS AND REFLOW PROCESSING METHOD 失效
简体标题：回流处理设备及回流处理方法 REFLOW PROCESSING APPARATUS AND REFLOW PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TWI350558B
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：TW097101231
申请日：2008-01-11
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：麻生豐 , 白石雅敏 , 田中志信
IPC分类号： H01L
摘要：本發明之課題在於提供一種，可於基板面內進行一致的處理且能夠獲得充分的處理量之回流處理裝置。
本發明之解決手段為，於回流處理單元(REFLW)50中，使滾輪51旋轉而將基板G往X方向搬運，於基板G通過中空筒狀之回流處理器53的內部時，將包含溶劑之氣體，從溶劑供應部55的溶劑供應口69朝向基板G的表面供應，並且從溶劑吸入部57的溶劑吸入口75將所供應的氣體予以吸入。吐出至回流處理空間S之包含溶劑之氣體，係形成朝向溶劑吸入口75之單向流動，使回流處理空間之環境中的溶劑被基板G表面的光阻所吸收，藉此使光阻軟化且流動，而形成變形光阻圖案。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种，可于基板面内进行一致的处理且能够获得充分的处理量之回流处理设备。本发明之解决手段为，于回流处理单元(REFLW)50中，使滚轮51旋转而将基板G往X方向搬运，于基板G通过中空筒状之回流处理器53的内部时，将包含溶剂之气体，从溶剂供应部55的溶剂供应口69朝向基板G的表面供应，并且从溶剂吸入部57的溶剂吸入口75将所供应的气体予以吸入。吐出至回流处理空间S之包含溶剂之气体，系形成朝向溶剂吸入口75之单向流动，使回流处理空间之环境中的溶剂被基板G表面的光阻所吸收，借此使光阻软化且流动，而形成变形光阻图案。

5. 发明专利

TWI346973B 基板處理裝置及基板處理方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD 失效
简体标题：基板处理设备及基板处理方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TWI346973B
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：TW096107285
申请日：2007-03-02
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：麻生豐
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67028
摘要：於回焊(reflow)製程中，於蝕刻處理之後，使形成於阻劑表面的變質層剝離後，藉由於阻劑溶解之前，使前述已剝離的變質層有效地從基板排除，抑制不良圖案的產生。
基板處理裝置係具備有：供給用來使變質層(207)剝離的蝕刻液之第一處理液供給手段(12)；供給用來從阻劑圖案(206)，除去不需要的阻劑的藥液之第二處理液供給手段(13)；供給用來除去被供給至基板上的蝕刻液或藥液的沖洗液之第三處理液供給手段(15)；進行從基板去除掉基板上之沖洗液的乾燥處理之乾燥手段(11)；以及進行前述乾燥手段(11)的動作控制之控制手段(17)。前述乾燥手段(11)，係在進行從基板除去被使用於前述蝕刻液的除去之沖洗液的乾燥處理之際，前述控制手段(17)係至少在基板全面殘存沖洗液的狀態下，停止乾燥處理。
简体摘要：于回焊(reflow)制程中，于蚀刻处理之后，使形成于阻剂表面的变质层剥离后，借由于阻剂溶解之前，使前述已剥离的变质层有效地从基板排除，抑制不良图案的产生。基板处理设备系具备有：供给用来使变质层(207)剥离的蚀刻液之第一处理液供给手段(12)；供给用来从阻剂图案(206)，除去不需要的阻剂的药液之第二处理液供给手段(13)；供给用来除去被供给至基板上的蚀刻液或药液的冲洗液之第三处理液供给手段(15)；进行从基板去除掉基板上之冲洗液的干燥处理之干燥手段(11)；以及进行前述干燥手段(11)的动作控制之控制手段(17)。前述干燥手段(11)，系在进行从基板除去被使用于前述蚀刻液的除去之冲洗液的干燥处理之际，前述控制手段(17)系至少在基板全面残存冲洗液的状态下，停止干燥处理。

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