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    • 6. 发明专利
    • 探針裝置
    • 探针设备
    • TW201333495A
    • 2013-08-16
    • TW101134601
    • 2012-09-21
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 篠原榮一SHINOHARA, EIICHI田岡健TAOKA, KEN
    • G01R31/28
    • G01R1/0491G01R1/067G01R31/2887G01R31/2891
    • 本發明提供一種探針裝置,可以晶圓等級來測量功率元件的靜態特性及動態特性兩者,特別是不會受到使用於靜態特性之量測線路的影響,可以晶圓等級來確實地測量功率元件的動態特性。本發明之探針裝置具備有:載置形成有複數功率元件的晶圓之可移動的載置台、具有配置在載置台上方的複數探針之探針卡、形成於載置台的載置面與其外周面之導體膜電極、以及電連接導體膜電極與測試器之量測線路,該探針裝置係以晶圓等級來測量載置台上之功率元件的電氣特性,第2量測線路係設置有在導體膜電極與測試器之間開閉量測線路的電路之開關機構。
    • 本发明提供一种探针设备,可以晶圆等级来测量功率组件的静态特性及动态特性两者,特别是不会受到使用于静态特性之量测线路的影响,可以晶圆等级来确实地测量功率组件的动态特性。本发明之探针设备具备有:载置形成有复数功率组件的晶圆之可移动的载置台、具有配置在载置台上方的复数探针之探针卡、形成于载置台的载置面与其外周面之导体膜电极、以及电连接导体膜电极与测试器之量测线路,该探针设备系以晶圆等级来测量载置台上之功率组件的电气特性,第2量测线路系设置有在导体膜电极与测试器之间开闭量测线路的电路之开关机构。
    • 7. 发明专利
    • 探針裝置
    • 探针设备
    • TW201504633A
    • 2015-02-01
    • TW103110463
    • 2014-03-20
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 篠原榮一SHINOHARA, EIICHI長坂旨俊NAGASAKA, MUNETOSHI田岡健TAOKA, KEN加藤儀保KATO, YOSHIYASU
    • G01R1/073G01R31/26
    • G01R31/26G01R1/07314G01R1/07342G01R1/07378G01R3/00G01R31/2886G01R31/2887
    • 提供一種相較於以往可縮短探針裝置中之電性路徑且使電阻等減少而可實施精度良好之檢查的探針裝置。探針裝置(100),係具備:導體膜電極(220),被形成於載置台(111)中之半導體晶圓(W)的載置面;電極板(221),被配設於載置台(111)的上方;及接觸探針(222),被配設於載置台(111)的側方,該接觸探針(222)係具有:抵接部(222a),在上面形成有凹凸;及纜線連接部(222b),在抵接部(222a)的下方與該抵接部(222a)一體構成,且連接有與導體膜電極(220)電極電性連接的纜線(225),在使載置台(111)上升且使探針卡(210)的探針(211)接觸於半導體晶圓(W)之半導體元件的電極時,藉由配設於纜線連接部(222b)之下方的彈壓構件,使抵接部(222a)與電極板(221)抵接。
    • 提供一种相较于以往可缩短探针设备中之电性路径且使电阻等减少而可实施精度良好之检查的探针设备。探针设备(100),系具备:导体膜电极(220),被形成于载置台(111)中之半导体晶圆(W)的载置面;电极板(221),被配设于载置台(111)的上方;及接触探针(222),被配设于载置台(111)的侧方,该接触探针(222)系具有:抵接部(222a),在上面形成有凹凸;及缆线连接部(222b),在抵接部(222a)的下方与该抵接部(222a)一体构成,且连接有与导体膜电极(220)电极电性连接的缆线(225),在使载置台(111)上升且使探针卡(210)的探针(211)接触于半导体晶圆(W)之半导体组件的电极时,借由配设于缆线连接部(222b)之下方的弹压构件,使抵接部(222a)与电极板(221)抵接。