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1. 发明专利

TWI528449B 電漿蝕刻方法及半導體裝置之製造方法以及電腦記錄媒體有权
简体标题：等离子蚀刻方法及半导体设备之制造方法以及电脑记录媒体
公开(公告)号：TWI528449B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW101106646
申请日：2012-02-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中川顯 , NAKAGAWA, AKIRA , 大塚雄二 , OTSUKA, YUJI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31144

2. 发明专利

TWI633598B 電漿蝕刻方法有权
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TWI633598B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW103116021
申请日：2014-05-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鎌田美子 , KAMADA, TOMIKO , 北村彰規 , KITAMURA, AKINORI , 大竹浩人 , OHTAKE, HIROTO , 長田優 , OSADA, YUTAKA , 大塚雄二 , OTSUKA, YUJI , 鴻野真之 , KOHNO, MASAYUKI , 瀧野裕輔 , TAKINO, YUSUKE , 鈴木銳二 , SUZUKI, EIJI
IPC分类号： H01L21/3065

3. 发明专利

TW201515089A 電漿蝕刻方法审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TW201515089A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103116021
申请日：2014-05-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鎌田美子 , KAMADA, TOMIKO , 北村彰規 , KITAMURA, AKINORI , 大竹浩人 , OHTAKE, HIROTO , 長田優 , OSADA, YUTAKA , 大塚雄二 , OTSUKA, YUJI , 鴻野真之 , KOHNO, MASAYUKI , 瀧野裕輔 , TAKINO, YUSUKE , 鈴木銳二 , SUZUKI, EIJI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J2237/334 , H01L21/02057 , H01L29/66545 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7848
摘要：本發明之課題在於以高均一性來實現等向性蝕刻。一實施形態之蝕刻方法係用以對含矽之被蝕刻層進行電漿蝕刻；包含下述製程：將具有被蝕刻層之被處理體安置於處理容器內之製程；生成不含氧但含有氟碳氣體或是氫氟碳氣體之第1處理氣體之電漿，將被蝕刻層之表面氧化膜加以除去之製程；生成不含氧之第2處理氣體之電漿，將在除去氧化膜之製程中所生成之碳系反應產物加以除去之製程；以及，以微波來生成含有氟碳氣體或是氫氟碳氣體之第3處理氣體之電漿，在未對構成載置被處理體之載置台的下部電極施加高頻偏壓電力的情況下，將被蝕刻層加以蝕刻之製程。
简体摘要：本发明之课题在于以高均一性来实现等向性蚀刻。一实施形态之蚀刻方法系用以对含硅之被蚀刻层进行等离子蚀刻；包含下述制程：将具有被蚀刻层之被处理体安置于处理容器内之制程；生成不含氧但含有氟碳气体或是氢氟碳气体之第1处理气体之等离子，将被蚀刻层之表面氧化膜加以除去之制程；生成不含氧之第2处理气体之等离子，将在除去氧化膜之制程中所生成之碳系反应产物加以除去之制程；以及，以微波来生成含有氟碳气体或是氢氟碳气体之第3处理气体之等离子，在未对构成载置被处理体之载置台的下部电极施加高频偏压电力的情况下，将被蚀刻层加以蚀刻之制程。

4. 发明专利

TW201250825A 電漿蝕刻方法及半導體裝置之製造方法以及電腦記錄媒體审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法及半导体设备之制造方法以及电脑记录媒体
公开(公告)号：TW201250825A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101106646
申请日：2012-02-29
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：中川顯 , 大塚雄二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要：本發明係提供一種可形成高的高寬比之接觸孔且可抑制過度蝕刻製程中最小棒之急速減少的電漿蝕刻方法及半導體裝置之製造方法以及電腦記憶媒體。一種電漿蝕刻方法,係於阻蝕層上所形成的氧化矽膜處形成孔;具備有:蝕刻氧化矽膜之主蝕刻製程;以及於主蝕刻製程之後,以阻蝕層至少露出一部分之狀態所進行之蝕刻製程;以阻蝕層至少一部分露出之狀態所進行之蝕刻製程係包括有交互地反覆進行複數次之下述製程:使得處理氣體為C4F6氣體與Ar氣體與O2氣體之混合氣體的第1蝕刻製程與使得處理氣體為C4F8氣體與Ar氣體與O2氣體之混合氣體或是C3F8氣體與Ar氣體與O2氣體之混合氣體的第2蝕刻製程。
简体摘要：本发明系提供一种可形成高的高宽比之接触孔且可抑制过度蚀刻制程中最小棒之急速减少的等离子蚀刻方法及半导体设备之制造方法以及电脑记忆媒体。一种等离子蚀刻方法,系于阻蚀层上所形成的氧化硅膜处形成孔;具备有:蚀刻氧化硅膜之主蚀刻制程;以及于主蚀刻制程之后,以阻蚀层至少露出一部分之状态所进行之蚀刻制程;以阻蚀层至少一部分露出之状态所进行之蚀刻制程系包括有交互地反复进行复数次之下述制程:使得处理气体为C4F6气体与Ar气体与O2气体之混合气体的第1蚀刻制程与使得处理气体为C4F8气体与Ar气体与O2气体之混合气体或是C3F8气体与Ar气体与O2气体之混合气体的第2蚀刻制程。

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