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1. 发明专利

TWI634600B 成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI634600B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW102135782
申请日：2013-10-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：齊藤武尚 , SAITO, TAKEHISA , 井之口敦智 , INOKUCHI, ATSUTOSHI , 增田昇吾 , MASUDA, SHOUGO
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/511

2. 发明专利

TW201423866A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201423866A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102135782
申请日：2013-10-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：齊藤武尚 , SAITO, TAKEHISA , 井之口敦智 , INOKUCHI, ATSUTOSHI , 增田昇吾 , MASUDA, SHOUGO
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/511
CPC分类号： H01L21/0226 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/511 , C23C16/56 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/32449 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/02329
摘要：本發明之課題係以低溫程序來形成高覆蓋率之絕緣膜。一種成膜方法，係使用成膜裝置來對被處理基板形成絕緣膜者；該成膜裝置具備有：處理容器，係區劃出生成電漿之處理空間；氣體供給部，係對處理空間內供給氣體；以及電漿生成部，係對處理容器內供給微波來生成電漿；其中，包含有成膜製程，係對處理容器供給三甲矽胺中添加有H2之氣體，產生電漿而對被處理基板形成含有SiN之絕緣膜。
简体摘要：本发明之课题系以低温进程来形成高覆盖率之绝缘膜。一种成膜方法，系使用成膜设备来对被处理基板形成绝缘膜者；该成膜设备具备有：处理容器，系区划出生成等离子之处理空间；气体供给部，系对处理空间内供给气体；以及等离子生成部，系对处理容器内供给微波来生成等离子；其中，包含有成膜制程，系对处理容器供给三甲硅胺中添加有H2之气体，产生等离子而对被处理基板形成含有SiN之绝缘膜。

3. 发明专利

TWI518939B 薄膜與其形成方法，及包含該薄膜之半導體發光元件有权
简体标题：薄膜与其形成方法，及包含该薄膜之半导体发光组件
公开(公告)号：TWI518939B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW099134457
申请日：2010-10-08
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 羅姆股份有限公司 , ROHM CO., LTD. , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 淺原浩和 , ASAHARA, HIROKAZU , 井之口敦智 , INOKUCHI, ATSUTOSHI
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/318
CPC分类号： C23C16/407 , C23C16/308 , C23C16/40 , C23C16/56 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/0087 , H01L33/28

5. 发明专利

TW201131007A 基板處理裝置、演算控制機構、排氣閥及壓力控制方法审中-公开
简体标题：基板处理设备、演算控制机构、排气阀及压力控制方法
公开(公告)号：TW201131007A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099127508
申请日：2010-08-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：田中宏治 , 井之口敦智 , 白井泰雪 , 大見忠弘
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/67253
摘要：本發明係提供一種於連續地進行複數種處理製程(process)之基板處理裝置中，可對應於處理室內之處理氣體流量或處理氣體壓力之大幅度變動而於短時間內連續地進行可反饋式壓力控制的演算控制機構、排氣閥以及壓力控制方法，並提供一種具備該演算控制機構的基板處理裝置。其係提供一種於供給有處理氣體之減壓狀態處理室內進行複數種處理製程的基板處理裝置，具備有：處理氣體供給機構，係將處理氣體供給至處理室；排氣機構，係對處理室內部進行排氣；排氣閥，係調節排氣機構之排氣量；以及演算控制機構，係具有複數個計算複數種處理製程各自之最佳處理氣體壓力用的演算表，且根據演算表來控制排氣閥之開關度。
简体摘要：本发明系提供一种于连续地进行复数种处理制程(process)之基板处理设备中，可对应于处理室内之处理气体流量或处理气体压力之大幅度变动而于短时间内连续地进行可反馈式压力控制的演算控制机构、排气阀以及压力控制方法，并提供一种具备该演算控制机构的基板处理设备。其系提供一种于供给有处理气体之减压状态处理室内进行复数种处理制程的基板处理设备，具备有：处理气体供给机构，系将处理气体供给至处理室；排气机构，系对处理室内部进行排气；排气阀，系调节排气机构之排气量；以及演算控制机构，系具有复数个计算复数种处理制程各自之最佳处理气体压力用的演算表，且根据演算表来控制排气阀之开关度。

6. 发明专利

TW201130155A 薄膜與其形成方法，及包含該薄膜之半導體發光元件 THIN FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE THIN FILM 审中-公开
简体标题：薄膜与其形成方法，及包含该薄膜之半导体发光组件 THIN FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE THIN FILM
公开(公告)号：TW201130155A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099134457
申请日：2010-10-08
申请人：國立大學法人東北大學 , 羅姆股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 淺原浩和 , 井之口敦智
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/407 , C23C16/308 , C23C16/40 , C23C16/56 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/0087 , H01L33/28
摘要：本發明的目的,係安定地形成摻雜N之ZnO系化合物薄膜。在本發明中,將下列氣體供給到由微波所激發的低電子溫度且高密度電漿中,藉此於成膜對象物即基板上,形成摻雜N之ZnO系化合物薄膜,該氣體包含:有機金屬系材料氣體與含有氧與氮之氣體以及氮氣體。
简体摘要：本发明的目的,系安定地形成掺杂N之ZnO系化合物薄膜。在本发明中,将下列气体供给到由微波所激发的低电子温度且高密度等离子中,借此于成膜对象物即基板上,形成掺杂N之ZnO系化合物薄膜,该气体包含:有机金属系材料气体与含有氧与氮之气体以及氮气体。

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