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1. 发明专利

TW200306612A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW200306612A
公开(公告)日：2003-11-16
申请号：TW092107555
申请日：2003-04-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野中龍 , 北野雅敏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32706
摘要：本發明之電漿處理裝置，係利用處理氣體的電漿來對被處理體(W)進行處理之處理裝置(100)。此裝置係具備：具有處理氣體的導入口(16)與排氣口(30)之處理容器(12)。並且，在處理容器(12)內設有載置被處理體的電極(104)。便能夠由高頻電源(114)來對此電極(104)施加供以形成處理氣體的電漿之高頻電力。又，處理裝置(100)具備：經由彼此串聯的電阻(132)與開閉器(134)來使電極(104)接地之接地電路(130)。
简体摘要：本发明之等离子处理设备，系利用处理气体的等离子来对被处理体(W)进行处理之处理设备(100)。此设备系具备：具有处理气体的导入口(16)与排气口(30)之处理容器(12)。并且，在处理容器(12)内设有载置被处理体的电极(104)。便能够由高频电源(114)来对此电极(104)施加供以形成处理气体的等离子之高频电力。又，处理设备(100)具备：经由彼此串联的电阻(132)与开闭器(134)来使电极(104)接地之接地电路(130)。

2. 发明专利

TW201534762A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201534762A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103137323
申请日：2014-10-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野中龍 , NONAKA, RYO , 佐藤雅紀 , SATO, MASANORI , 籔本奈津紀 , YABUMOTO, NATSUKI , 高山貴光 , TAKAYAMA, TAKAMITSU , 原田彰俊 , HARADA, AKITOSHI , 佐佐木淳一 , SASAKI, JUNICHI , 花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI
IPC分类号： C23C4/12 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32477 , H01J37/34
摘要：將妨礙被處理體之分離的殘留吸附力降低。電漿處理方法係包含：附著工序，係在處理容器內部所設置的靜電吸盤未載置有被處理體的狀態下，藉由產生含Ar、He、O2及N2中至少任一者之處理氣體的電漿，並利用該電漿中的離子來濺射含有Si的構件，而讓Si含有物附著至附著了含C及F反應生成物的該靜電吸盤；吸附工序，係在該被處理體被搬入至該處理容器內部的情形中，藉由沉積了該Si含有物的該靜電吸盤來吸附該被處理體；電漿處理工序，係電漿處理該被處理體；以及分離工序，係讓被電漿處理的該被處理體從附著了該Si含有物的該靜電吸盤分離。
简体摘要：将妨碍被处理体之分离的残留吸附力降低。等离子处理方法系包含：附着工序，系在处理容器内部所设置的静电吸盘未载置有被处理体的状态下，借由产生含Ar、He、O2及N2中至少任一者之处理气体的等离子，并利用该等离子中的离子来溅射含有Si的构件，而让Si含有物附着至附着了含C及F反应生成物的该静电吸盘；吸附工序，系在该被处理体被搬入至该处理容器内部的情形中，借由沉积了该Si含有物的该静电吸盘来吸附该被处理体；等离子处理工序，系等离子处理该被处理体；以及分离工序，系让被等离子处理的该被处理体从附着了该Si含有物的该静电吸盘分离。

3. 发明专利

TW201131690A 基板載置台之溫度控制系統及其溫度控制方法审中-公开
简体标题：基板载置台之温度控制系统及其温度控制方法
公开(公告)号：TW201131690A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099134654
申请日：2010-10-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：佐佐木康晴 , 野中龍 , 長山將之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67109
摘要：本發明係提供一種基板載置台之溫度控制系統,可迅速地使基板溫度上昇,並可減少熱能損失。內藏有加熱器單元與熱媒體流道且載置有欲施以電漿蝕刻處理之晶圓的台座之冷媒循環系統係具備有:冷媒供給裝置,係連接至熱媒體流道而將較低溫之冷媒供給至熱媒體流道;高溫媒體儲存槽,係設置於熱媒體流道與冷媒供給裝置之間,儲存有較高溫之高溫媒體;以及第1閥門群,係設置於冷媒供給裝置與高溫媒體儲存槽、以及熱媒體流道之間處,將台座溫度上昇時,停止從冷媒供給裝置將冷媒供給至熱媒體流道,且從高溫媒體儲存槽將高溫媒體供給至熱媒體流道。
简体摘要：本发明系提供一种基板载置台之温度控制系统,可迅速地使基板温度上升,并可减少热能损失。内藏有加热器单元与热媒体流道且载置有欲施以等离子蚀刻处理之晶圆的台座之冷媒循环系统系具备有:冷媒供给设备,系连接至热媒体流道而将较低温之冷媒供给至热媒体流道;高温媒体存储槽,系设置于热媒体流道与冷媒供给设备之间,存储有较高温之高温媒体;以及第1阀门群,系设置于冷媒供给设备与高温媒体存储槽、以及热媒体流道之间处,将台座温度上升时,停止从冷媒供给设备将冷媒供给至热媒体流道,且从高温媒体存储槽将高温媒体供给至热媒体流道。

4. 发明专利

TWI560769B 載置台溫度控制裝置及基板處理裝置有权
简体标题：载置台温度控制设备及基板处理设备
公开(公告)号：TWI560769B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW101125959
申请日：2012-07-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野中龍 , NONAKA, RYO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67103 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67248

5. 发明专利

TWI501348B 基板載置台之溫度控制系統及其溫度控制方法有权
简体标题：基板载置台之温度控制系统及其温度控制方法
公开(公告)号：TWI501348B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099134654
申请日：2010-10-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木康晴 , SASAKI, YASUHARU , 野中龍 , NONAKA, RYO , 長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67109

6. 发明专利

TW201318062A 載置台溫度控制裝置及基板處理裝置审中-公开
简体标题：载置台温度控制设备及基板处理设备
公开(公告)号：TW201318062A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101125959
申请日：2012-07-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野中龍 , NONAKA, RYO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67103 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67248
摘要：本發明關於一種載置台溫度控制裝置及基板處理裝置，其課題為相對於載置台面內整體的設定溫度而僅使面內的所欲部位處局部地較設定溫度要高或要低。載置台溫度控制裝置係設置有於載置台內遍佈其面內整體所形成之主流道；於載置台內遠離主流道的上側而形成於載置台的面內一部分之輔助流道；以及，將已調整為特定設定溫度後的調溫媒介供應並循環於主流道，並且使該調溫媒介分流，而更進一步地調整為較該設定溫度要高之溫度或要低之溫度後再供應並循環於輔助流道之調溫媒介循環機構。
简体摘要：本发明关于一种载置台温度控制设备及基板处理设备，其课题为相对于载置台面内整体的设置温度而仅使面内的所欲部位处局部地较设置温度要高或要低。载置台温度控制设备系设置有于载置台内遍布其面内整体所形成之主流道；于载置台内远离主流道的上侧而形成于载置台的面内一部分之辅助流道；以及，将已调整为特定设置温度后的调温媒介供应并循环于主流道，并且使该调温媒介分流，而更进一步地调整为较该设置温度要高之温度或要低之温度后再供应并循环于辅助流道之调温媒介循环机构。

7. 外观设计

TW419340S 用於半導體製造之靜電吸盤用吸著板失效
简体标题：用于半导体制造之静电吸盘用吸着板
公开(公告)号：TW419340S
公开(公告)日：2001-01-11
申请号：TW087305524
申请日：1998-07-28
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：野中龍 , 田口千博
摘要：本創作係有關於一種「用於半導體製造之靜電吸盤用吸著板」之新式樣設計。
如圖所示者:本創作主體為陶磁製,內部藏有銅箔電極,外觀呈圓板狀，順著圓心有小孔向外擴散分佈。如第7圖所示,安裝於真空容器內,將內部電極連接於直流電源之同時,將高頻電力施加於接受器及上部電極間產生電漿。將晶圓以靜電吸著於本吸著板上,將電熱氣體通過該板之小孔,供給於晶圓及該板之間,冷卻晶圓。
上述說明僅供輔助瞭解本創作而非用以限制其內容;理應明瞭,新式樣係就其整體形狀、花紋、或色彩指定之,且係以申請專利範圍所界定者為準。
简体摘要：本创作系有关于一种“用于半导体制造之静电吸盘用吸着板”之新式样设计。如图所示者:本创作主体为陶磁制,内部藏有铜箔电极,外观呈圆板状，顺着圆心有小孔向外扩散分布。如第7图所示,安装于真空容器内,将内部电极连接于直流电源之同时,将高频电力施加于接受器及上部电极间产生等离子。将晶圆以静电吸着于本吸着板上,将电热气体通过该板之小孔,供给于晶圆及该板之间,冷却晶圆。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容;理应明了,新式样系就其整体形状、花纹、或色彩指定之,且系以申请专利范围所界定者为准。

8. 发明专利

TWI609994B 電漿處理方法及電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI609994B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW103137323
申请日：2014-10-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野中龍 , NONAKA, RYO , 佐藤雅紀 , SATO, MASANORI , 籔本奈津紀 , YABUMOTO, NATSUKI , 高山貴光 , TAKAYAMA, TAKAMITSU , 原田彰俊 , HARADA, AKITOSHI , 佐佐木淳一 , SASAKI, JUNICHI , 花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI
IPC分类号： C23C4/12 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32477 , H01J37/34

9. 发明专利

TWI492321B 被處理基板的溫度調節裝置及溫度調節方法、以及具備其的電漿處理裝置有权
简体标题：被处理基板的温度调节设备及温度调节方法、以及具备其的等离子处理设备
公开(公告)号：TWI492321B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW097142046
申请日：2008-10-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野中龍 , NONAKA, RYO , 村上幸一 , MURAKAMI, KOICHI
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： G05D23/1934

10. 发明专利

TWI445063B 基板處理系統及基板洗淨裝置有权
简体标题：基板处理系统及基板洗净设备
公开(公告)号：TWI445063B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW097111199
申请日：2008-03-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：守屋剛 , MORIYA, TSUYOSHI , 大西正 , ONISHI, TADASHI , 野中龍 , NONAKA, RYO , 西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI
IPC分类号： H01L21/30 , B08B3/02 , B08B5/02
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708

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