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1. 发明专利

TW201618201A 基板處理方法及基板處理裝置和記憶基板處理程式之電腦可讀取之記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备和记忆基板处理进程之电脑可读取之记忆媒体
公开(公告)号：TW201618201A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104122932
申请日：2015-07-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡村尚幸 , OKAMURA, NAOYUKI , 小佐井一樹 , KOSAI, KAZUKI , 寺岡一大 , TERAOKA, KAZUHIRO , 上村史洋 , KAMIMURA, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/64 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051
摘要：以往，已蝕刻處理的基板，係以聚合物去除液進行洗淨。在本發明中，係提供一種可使洗淨效果比以往更提升的基板處理。在本發明中，係在以聚合物去除液來洗淨已蝕刻處理之基板(3)的基板處理裝置(1)(基板處理方法、記憶有基板處理程式之電腦可讀取之記憶媒體)中，在以聚合物去除液來洗淨處理前述基板(3)之前，對前述基板(3)供給異丙醇蒸汽、水蒸汽、純水及異丙醇、氨水、氨水及異丙醇之任一。
简体摘要：以往，已蚀刻处理的基板，系以聚合物去除液进行洗净。在本发明中，系提供一种可使洗净效果比以往更提升的基板处理。在本发明中，系在以聚合物去除液来洗净已蚀刻处理之基板(3)的基板处理设备(1)(基板处理方法、记忆有基板处理进程之电脑可读取之记忆媒体)中，在以聚合物去除液来洗净处理前述基板(3)之前，对前述基板(3)供给异丙醇蒸汽、水蒸汽、纯水及异丙醇、氨水、氨水及异丙醇之任一。

2. 发明专利

TWI667716B 基板處理方法及基板處理裝置和記憶基板處理程式之電腦可讀取之記憶媒體有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备和记忆基板处理进程之电脑可读取之记忆媒体
公开(公告)号：TWI667716B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104122932
申请日：2015-07-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡村尚幸 , OKAMURA, NAOYUKI , 小佐井一樹 , KOSAI, KAZUKI , 寺岡一大 , TERAOKA, KAZUHIRO , 上村史洋 , KAMIMURA, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/64 , H01L21/67

3. 发明专利

TWI479550B 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體有权
简体标题：基板液体处理设备及基板液体处理方法与记录有基板液体处理进程之电脑可读取的记录媒体
公开(公告)号：TWI479550B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW099133926
申请日：2010-10-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中裕司 , TANAKA, HIROSHI , 南輝臣 , MINAMI, TERUOMI , 川渆洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 伊藤規宏 , ITO, NORIHIRO , 上村史洋 , KAMIMURA, FUMIHIRO , 藪田貴士 , YABUTA, TAKASHI , 小佐井一樹 , KOSAI, KAZUKI , 烏野崇 , UNO, TAKASHI , 關口賢治 , SEKIGUCHI, KENJI , 藤井康 , FUJII, YASUSHI
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/67051

4. 发明专利

TWI450326B 液體處理裝置及液體處理方法有权
简体标题：液体处理设备及液体处理方法
公开(公告)号：TWI450326B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW099120256
申请日：2010-06-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：南輝臣 , MINAMI, TERUOMI , 上村史洋 , KAMIMURA, FUMIHIRO , 小佐井一樹 , KOSAI, KAZUKI , 藪田貴士 , YABUTA, TAKASHI , 橫溝賢治 , YOKOMIZO, KENJI , 溝田昌吾 , MIZOTA, SHOGO
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708

5. 发明专利

TW201131623A 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體 SUBSTRATE LIQUID TREATMENT APPARATUS, SUBSTRATE LIQUID TREATMENT METHOD AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM RECORDED WITH SUBSTRATE LIQUID TREATMENT PROGRAM 审中-公开
简体标题：基板液体处理设备及基板液体处理方法与记录有基板液体处理进程之电脑可读取的记录媒体 SUBSTRATE LIQUID TREATMENT APPARATUS, SUBSTRATE LIQUID TREATMENT METHOD AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM RECORDED WITH SUBSTRATE LIQUID TREATMENT PROGRAM
公开(公告)号：TW201131623A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099133926
申请日：2010-10-05
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：田中裕司 , 南輝臣 , 川渆洋介 , 伊藤規宏 , 上村史洋 , 藪田貴士 , 小佐井一樹 , 烏野崇 , 關口賢治 , 藤井康
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/67051
摘要：本發明旨在防止於基板帶電之電荷放電所導致之靜電破壞發生。本發明之用以對基板(2)施行液體處理之基板液體處理裝置(1)及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體(48)中,在進行以基板處理化學液對基板(2)之電路形成面進行液體處理之液體處理程序前,進行以電性中和處理液處理基板(2)中與電路形成面相反面之一面,藉此使於基板(2)帶電之電荷釋放之電性中和處理程序。
简体摘要：本发明旨在防止于基板带电之电荷放电所导致之静电破坏发生。本发明之用以对基板(2)施行液体处理之基板液体处理设备(1)及基板液体处理方法与记录有基板液体处理进程之电脑可读取的记录媒体(48)中,在进行以基板处理化学液对基板(2)之电路形成面进行液体处理之液体处理进程前,进行以电性中和处理液处理基板(2)中与电路形成面相反面之一面,借此使于基板(2)带电之电荷释放之电性中和处理进程。

6. 发明专利

TW201919770A 液處理裝置及液處理方法审中-公开
简体标题：液处理设备及液处理方法
公开(公告)号：TW201919770A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128250
申请日：2018-08-14
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：寺岡一大 , TERAOKA, KAZUHIRO , 烏野崇 , UNO, TAKASHI , 上村史洋 , KAMIMURA, FUMIHIRO , 笠原政俊 , KASAHARA, MASATOSHI , 須中郁雄 , SUNAKA, IKUO , 中澤貴士 , NAKAZAWA, TAKASHI
IPC分类号： B05C11/10 , B05C21/00 , B05D1/00
摘要： [課題] 可抑制在開始處理液的循環後，循環管線內之處理液被污染的情形。 [解決手段] 實施形態之液處理裝置，係具備有儲槽、循環管線、泵、過濾器、背壓閥及控制部。儲槽，係儲存處理液。循環管線，係使從儲槽所輸送的處理液返回至儲槽。泵，係形成循環管線中之處理液的循環流。過濾器，係被設置於循環管線中之泵的下游側。背壓閥，係被設置於循環管線中之過濾器的下游側。控制部，係控制泵及背壓閥。而且，控制部，係以在開始循環管線中之處理液的循環之際，使泵之吐出壓力上升至預定的第1壓力，並在經過預定時間後，使泵之吐出壓力增加至大於第1壓力之第2壓力的方式，控制泵之吐出壓力。
简体摘要： [课题] 可抑制在开始处理液的循环后，循环管线内之处理液被污染的情形。 [解决手段] 实施形态之液处理设备，系具备有储槽、循环管线、泵、过滤器、背压阀及控制部。储槽，系存储处理液。循环管线，系使从储槽所输送的处理液返回至储槽。泵，系形成循环管线中之处理液的循环流。过滤器，系被设置于循环管线中之泵的下游侧。背压阀，系被设置于循环管线中之过滤器的下游侧。控制部，系控制泵及背压阀。而且，控制部，系以在开始循环管线中之处理液的循环之际，使泵之吐出压力上升至预定的第1压力，并在经过预定时间后，使泵之吐出压力增加至大于第1压力之第2压力的方式，控制泵之吐出压力。

7. 发明专利

TWI402901B 藥液混合方法及藥液混合裝置有权
简体标题：药液混合方法及药液混合设备
公开(公告)号：TWI402901B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW096128447
申请日：2007-08-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中裕司 , TANAKA, HIROSHI , 廣城幸吉 , HIROSHIRO, KOUKICHI , 上村史洋 , KAMIMURA, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： B01F3/088 , B01F3/0861 , B01F3/0865 , B01F5/10 , B01F15/00253 , B01F15/00331 , B01F15/00396 , B01F15/0243 , B01F15/0412 , B01F15/0437 , B01F15/06 , B01F2015/062 , B01F2215/0036 , B01J19/24 , B01J2219/00103 , B01J2219/24 , C01B15/08 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , H01L21/67057

8. 发明专利

TW201112324A 液體處理裝置及液體處理方法 LIQUID PROCESSING APPARATUS AND LIQUID PROCESSING METHOD 审中-公开
简体标题：液体处理设备及液体处理方法 LIQUID PROCESSING APPARATUS AND LIQUID PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW201112324A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099120256
申请日：2010-06-22
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：南輝臣 , 上村史洋 , 小佐井一樹 , 藪田貴士 , 橫溝賢治 , 溝田昌吾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要：本發明之目的在於提供一種液體處理裝置,其使用新的方法從基板的表面除去膜層。為了達成上述目的,本發明之液體處理裝置3從在第1膜層的上層形成第2膜層的基板除去第1膜層以及第2膜層,第1藥液供給部51對基板W供給用來溶解第1膜層的第1藥液,第2藥液供給部51供給用來降低該第2膜層之强度的第2藥液,兼具衝擊賦予部之功能的流體供給部52對第2膜層給予物理衝擊而將該第2膜層破壞同時供給用來沖走所破壞之第2膜層的碎片的流體。控制部7控制各部,以在供給第2藥液並從該流體供給部52供給流體之後,供給第1藥液。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种液体处理设备,其使用新的方法从基板的表面除去膜层。为了达成上述目的,本发明之液体处理设备3从在第1膜层的上层形成第2膜层的基板除去第1膜层以及第2膜层,第1药液供给部51对基板W供给用来溶解第1膜层的第1药液,第2药液供给部51供给用来降低该第2膜层之强度的第2药液,兼具冲击赋予部之功能的流体供给部52对第2膜层给予物理冲击而将该第2膜层破坏同时供给用来冲走所破坏之第2膜层的碎片的流体。控制部7控制各部,以在供给第2药液并从该流体供给部52供给流体之后,供给第1药液。

9. 发明专利

TWI335637B 基板處理裝置及基板支持方法有权
简体标题：基板处理设备及基板支持方法
公开(公告)号：TWI335637B
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW096109923
申请日：2007-03-22
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上村史洋 , 津田修
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67057 , H01L21/67316 , H01L21/6733 , H01L21/67757
摘要：基板支持具36具有：機械臂37，延伸於鉛直方向，成為至少在鉛直方向昇降自如；和支持體38、39、40、41，設置成從機械臂37延伸於水平方向，且用以支持基板2的支持溝44、45、46、47係沿著水平方向以特定的間隔形成有複數個；和遮蔽體49，被設置於應與藉由支持體38、39、40、41所支持之複數片基板2中最接近於機械臂37的基板對向。由遮蔽體49及機械臂37所形成之與最接近於機械臂37之基板2對向的遮蔽面52係成為與基板2的表面大致相同的形狀或比基板2的表面更廣。遮蔽體49係由比熱大於基板2的材料所構成。
简体摘要：基板支持具36具有：机械臂37，延伸于铅直方向，成为至少在铅直方向升降自如；和支持体38、39、40、41，设置成从机械臂37延伸于水平方向，且用以支持基板2的支持沟44、45、46、47系沿着水平方向以特定的间隔形成有复数个；和屏蔽体49，被设置于应与借由支持体38、39、40、41所支持之复数片基板2中最接近于机械臂37的基板对向。由屏蔽体49及机械臂37所形成之与最接近于机械臂37之基板2对向的屏蔽面52系成为与基板2的表面大致相同的形状或比基板2的表面更广。屏蔽体49系由比热大于基板2的材料所构成。

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