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1. 发明专利

TW201415534A 半導體發光元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201415534A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102123757
申请日：2013-07-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林俊宇 , LIN, CHUN YU , 倪慶懷 , NI, CHING HUAI , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 邱新智 , CHIU, HSIN CHIH , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 林敬倍 , LIN, CHING PEI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00
摘要：一種半導體發光元件的製作方法，包含提供一第一基板、提供一半導體磊晶疊層、提供一第一黏著層連接第一基板及半導體磊晶疊層、圖案化半導體磊晶疊層為複數磊晶單元並使彼此自第一基板上分離，其中上述複數磊晶單元包含複數第一磊晶單元，其中每一第一磊晶單元具有一第一幾何形狀及一第一面積、複數第二磊晶單元，其中每一第二磊晶單元具有一第二幾何形狀及一第二面積、提供一第二基板，具有一表面、轉移上述複數第二磊晶單元至第二基板之表面上、切割第一基板以形成複數第一半導體發光元件，其中每一個第一半導體發光元件包含至少一第一磊晶單元、以及切割第二基板以形成複數第二半導體發光元件，其中每一個第二半導體發光元件包含至少一第二磊晶單元、其中，第一幾何形狀與第二幾何形狀不相同或第一面積與第二面積不相同。
简体摘要：一种半导体发光组件的制作方法，包含提供一第一基板、提供一半导体磊晶叠层、提供一第一黏着层连接第一基板及半导体磊晶叠层、图案化半导体磊晶叠层为复数磊晶单元并使彼此自第一基板上分离，其中上述复数磊晶单元包含复数第一磊晶单元，其中每一第一磊晶单元具有一第一几何形状及一第一面积、复数第二磊晶单元，其中每一第二磊晶单元具有一第二几何形状及一第二面积、提供一第二基板，具有一表面、转移上述复数第二磊晶单元至第二基板之表面上、切割第一基板以形成复数第一半导体发光组件，其中每一个第一半导体发光组件包含至少一第一磊晶单元、以及切割第二基板以形成复数第二半导体发光组件，其中每一个第二半导体发光组件包含至少一第二磊晶单元、其中，第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。

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